ASML公司的EUV光刻機全球獨一份,現(xiàn)在主要是用在7nm及以下的邏輯工藝上,臺積電、三星用它生產(chǎn)CPU、GPU等芯片。馬上內(nèi)存芯片也要跟進了,SK海力士宣布明年底量產(chǎn)EUV工藝內(nèi)存。
據(jù)報道,SK海力士總裁李石熙日前表示,該公司計劃將于明年下半年開始在利川廠區(qū)M16采用EUV光刻機生產(chǎn)第四代(1a nm)DRAM產(chǎn)品。
李石熙表示M16工廠將于今年底建成,明年上半年開始引入制造設備,目前實驗室正在進行準備工作,預計明年開始量產(chǎn)。
對內(nèi)存來說,它跟CPU邏輯工藝一樣面臨著需要微縮的問題,EUV光刻機可以減少多重曝光工藝,提供工藝精度,從而可以減少生產(chǎn)時間、降低成本,并提高性能。
當然,上EUV工藝的代價也不是沒有,EUV光刻機單價10億元以上,產(chǎn)量還是不如傳統(tǒng)DUV光刻機,意味著初期成本會比較高。
在SK海力士之前,三星也宣布使用EUV工藝生產(chǎn)內(nèi)存,前不久發(fā)布的16Gb容量LPDDR5內(nèi)存已經(jīng)用上了,帶寬速度為6400Mbps(等價6400MHz),比現(xiàn)款12Gb LPDDR5-5500快了16%。
在16GB的總容量下,允許一秒內(nèi)傳輸10部5GB高清電影(51.2GB)。
三大內(nèi)存原廠中,只有美光對EUV工藝不太熱心,不過隨著前兩大廠商上馬EUV工藝,美光后續(xù)的想法或許也會改變了。
責編AJX
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