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第三代功率半導(dǎo)體發(fā)展面臨哪些挑戰(zhàn)?

我快閉嘴 ? 來(lái)源:愛(ài)集微 ? 作者:Jimmy ? 2020-11-27 15:27 ? 次閱讀
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小鵬汽車(chē)動(dòng)力總成中心IPU硬件高級(jí)專家陳宏在2020第三代半導(dǎo)體支撐新能源汽車(chē)創(chuàng)新發(fā)展高峰論壇上表示,智能網(wǎng)聯(lián)汽車(chē)朝著高安全性、動(dòng)力性、智能化、長(zhǎng)續(xù)航、快速充電方向發(fā)展。

陳宏表示,2020-2025年新能源汽車(chē)銷量以年均25%增長(zhǎng)率上升,到2025年銷量過(guò)700萬(wàn)輛。

陳宏指出,功率半導(dǎo)體在新能源汽車(chē)中的應(yīng)用領(lǐng)域包括:OBC、空調(diào)、逆變器DCDC及附屬電氣設(shè)備。

碳化硅Mos相比硅基IGBT功率半導(dǎo)體具有耐高溫,低功耗及耐高壓等特點(diǎn)。采用碳化硅技術(shù),電機(jī)逆變器效率提升約4%,對(duì)應(yīng)整車(chē)?yán)m(xù)航里程增加約7%。

雖然第三代功率半導(dǎo)體有著諸多優(yōu)點(diǎn),但在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)與技術(shù)之下也面臨諸多挑戰(zhàn),如器件成本高,功率器件的良率,EMC:高頻信號(hào)干擾比硅基IGBT大,SiC器件的制造與封裝,器件并聯(lián)擴(kuò)容技術(shù),器件及系統(tǒng)散熱設(shè)計(jì)等。

陳宏表示,碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,對(duì)功率模塊的封裝要求更高,朝著耐高溫、高功率密度、低雜散電感、高可靠性封裝路線發(fā)展。

小鵬汽車(chē)希望與產(chǎn)業(yè)鏈合作伙伴,共同推進(jìn)碳化硅在智能網(wǎng)聯(lián)汽車(chē)中的標(biāo)準(zhǔn)化,推廣第三代功率半導(dǎo)體在智能網(wǎng)聯(lián)汽車(chē)中的應(yīng)用。
責(zé)任編輯:tzh

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