全球NAND產(chǎn)值將在今年四季度環(huán)比下降
11月27日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce的數(shù)據(jù)顯示，2020年第四季度，全球NAND閃存行業(yè)產(chǎn)值將環(huán)比下降。
對(duì)比2020年第三季度，全球NAND閃存行業(yè)產(chǎn)值僅增長(zhǎng)了0.3%，達(dá)到145億美元。
分析指出，整體市況可歸因于第三季隨著年底旺季前消費(fèi)性電子備貨增加與智能手機(jī)需求回溫，其中PC市場(chǎng)則因遠(yuǎn)距教學(xué)推升Chromebook標(biāo)案需求不落，然而該產(chǎn)品所需容量較低，對(duì)NAND Flash位消耗挹注有限。
除上述因素以外，由于服務(wù)器與數(shù)據(jù)中心客戶在第二季為避免供應(yīng)鏈中斷，提升零部件及半成品庫(kù)存水位，因此第三季開始著手去化，導(dǎo)致采購(gòu)動(dòng)能頓失，需求表現(xiàn)疲弱，故第三季NAND Flash各類產(chǎn)品合約價(jià)轉(zhuǎn)為下跌。
目前，NAND閃存市場(chǎng)仍然供過于求，這將在今年第四季繼續(xù)拖累閃存價(jià)格。據(jù)某位產(chǎn)業(yè)鏈消息人士透露，由于市場(chǎng)供應(yīng)過剩，包括DRAM與NAND在內(nèi)的內(nèi)存芯片價(jià)格預(yù)計(jì)會(huì)在今年第四季度環(huán)比下滑10%。
不過長(zhǎng)期來看，存儲(chǔ)市場(chǎng)仍在高速增長(zhǎng)。據(jù)市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)Yole Developpement的報(bào)告顯示，雖然存儲(chǔ)市場(chǎng)具有季節(jié)和周期性波動(dòng)的特性，但全球NAND存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模仍會(huì)呈增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。其中，3D NAND存儲(chǔ)晶圓制造設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模也會(huì)同步增長(zhǎng)，該市場(chǎng)規(guī)模將會(huì)由2019的102億美元增長(zhǎng)至2025年的175億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)到9%。
對(duì)比2020年第三季度，全球NAND閃存行業(yè)產(chǎn)值僅增長(zhǎng)了0.3%，達(dá)到145億美元。
分析指出，整體市況可歸因于第三季隨著年底旺季前消費(fèi)性電子備貨增加與智能手機(jī)需求回溫，其中PC市場(chǎng)則因遠(yuǎn)距教學(xué)推升Chromebook標(biāo)案需求不落，然而該產(chǎn)品所需容量較低，對(duì)NAND Flash位消耗挹注有限。
除上述因素以外，由于服務(wù)器與數(shù)據(jù)中心客戶在第二季為避免供應(yīng)鏈中斷，提升零部件及半成品庫(kù)存水位，因此第三季開始著手去化，導(dǎo)致采購(gòu)動(dòng)能頓失，需求表現(xiàn)疲弱，故第三季NAND Flash各類產(chǎn)品合約價(jià)轉(zhuǎn)為下跌。
目前，NAND閃存市場(chǎng)仍然供過于求，這將在今年第四季繼續(xù)拖累閃存價(jià)格。據(jù)某位產(chǎn)業(yè)鏈消息人士透露，由于市場(chǎng)供應(yīng)過剩，包括DRAM與NAND在內(nèi)的內(nèi)存芯片價(jià)格預(yù)計(jì)會(huì)在今年第四季度環(huán)比下滑10%。
不過長(zhǎng)期來看，存儲(chǔ)市場(chǎng)仍在高速增長(zhǎng)。據(jù)市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)Yole Developpement的報(bào)告顯示，雖然存儲(chǔ)市場(chǎng)具有季節(jié)和周期性波動(dòng)的特性，但全球NAND存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模仍會(huì)呈增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。其中，3D NAND存儲(chǔ)晶圓制造設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模也會(huì)同步增長(zhǎng)，該市場(chǎng)規(guī)模將會(huì)由2019的102億美元增長(zhǎng)至2025年的175億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)到9%。
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