針對被美方列入“實體清單”一事，中芯國際20日晚做出回應(yīng)。

中芯國際表示，經(jīng)公司初步評估，該事項對公司短期內(nèi)運營及財務(wù)狀況無重大不利影響，對10納米及以下先進(jìn)工藝的研發(fā)及產(chǎn)能建設(shè)有重大不利影響，公司將持續(xù)與美國政府相關(guān)部門進(jìn)行溝通，并視情況采取一切可行措施，積極尋求解決方案，力爭將不利影響降到最低。

中芯國際指出，自9月5日從媒體獲悉可能被美國商務(wù)部列入貿(mào)易黑名單以來，公司一直努力與美國政府相關(guān)部門溝通，以期得到公平、公正的對待。但遺憾的是，公司仍然被列入了“實體清單”。對此，公司表示堅決反對，并再次重申，公司自成立以來一貫恪守合規(guī)運營的原則，嚴(yán)格遵守生產(chǎn)經(jīng)營活動所涉及相關(guān)國家和地區(qū)的法律法規(guī)，從未有任何涉及軍事應(yīng)用的經(jīng)營行為。

商務(wù)部新聞發(fā)言人12月19日就美國商務(wù)部將59家中國實體列入出口管制“實體清單”答記者問時表示，美方泛化國家安全，不斷濫用出口管制等措施對他國企業(yè)、機構(gòu)和個人持續(xù)進(jìn)行打壓，對國際經(jīng)貿(mào)秩序和自由貿(mào)易規(guī)則造成嚴(yán)重破壞，對全球產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈安全造成嚴(yán)重威脅。這不利于中國，不利于美國，也不利于整個世界。

下一代先進(jìn)工藝發(fā)展受阻

中芯國際被列入“實體清單”在市場預(yù)期之內(nèi)。10月初，公司確認(rèn)遭到美國出口管制。

中芯國際公告稱，被列入“實體清單”后，根據(jù)美國相關(guān)法律法規(guī)的規(guī)定，針對適用于美國《出口管制條例》的產(chǎn)品或技術(shù)，供應(yīng)商須獲得美國商務(wù)部的出口許可才能向中芯國際供應(yīng)；對用于10納米及以下技術(shù)節(jié)點（包括極紫外光技術(shù)）的產(chǎn)品或技術(shù)，美國商務(wù)部會采取“推定拒絕”的審批政策進(jìn)行審核；同時中芯國際為部分特殊客戶提供代工服務(wù)也可能受到一定限制。

在邏輯電路領(lǐng)域，目前還遵循著“摩爾定律”，即每隔18-24個月，晶體管的數(shù)量增加一倍，性能也將提升一倍。因此，擁有更為領(lǐng)先的工藝技術(shù)意味著贏得更多的市場機會。5G手機、高性能計算、物聯(lián)網(wǎng)、自動駕駛等場景需要用到的芯片中，CPU、GPU、SOC等核心器件的技術(shù)節(jié)點已基本推進(jìn)到7納米或者5納米，AI芯片亦是。

盡管中芯國際當(dāng)前量產(chǎn)的最先進(jìn)工藝只是14納米，但公司已經(jīng)儲備了更加先進(jìn)的工藝技術(shù)。如果美方上述政策不調(diào)整，公司已開發(fā)但未量產(chǎn)的先進(jìn)技術(shù)或只能束之高閣。

相對而言，成熟工藝受到的影響長期可控。中金公司黃樂平團隊認(rèn)為，對于10納米以上制程，中芯國際在生產(chǎn)中除了會使用美國設(shè)備以外，也會采購美國產(chǎn)半導(dǎo)體材料（如氣體等電子化學(xué)品）及EDA軟件。預(yù)計公司在向美國政府申請出口許可的同時，也會積極導(dǎo)入日本、歐洲及國產(chǎn)等新供應(yīng)商，長期看影響有限，但短期是否會對供應(yīng)鏈穩(wěn)定造成影響有待觀察。

目前，中芯國際在上海、北京、天津、深圳四地共建有7座晶圓廠。從尺寸來看，4座為12英寸產(chǎn)線，3座為8英寸產(chǎn)線。從工藝節(jié)點來看，2座為先進(jìn)工藝產(chǎn)線，5座為成熟工藝產(chǎn)線。其中先進(jìn)工藝產(chǎn)線分別為中芯南方（14納米及以下）和中芯北方（28納米），這兩座晶圓廠生產(chǎn)的芯片尺寸都是12英寸。

中芯國際的產(chǎn)能利用率維持在高位，換句話說，如果擴產(chǎn)計劃和下一代先進(jìn)工藝量產(chǎn)沒法落地，在不提價的情況下，公司需要采取更為嚴(yán)格的成本管控，才能有效緩解較高折舊對盈利的沖擊。折合8英寸晶圓計算，今年第三季度，公司月產(chǎn)能為51.02萬片，產(chǎn)能利用率為97.8%。而在第三季度的晶圓收入中，85%由成熟工藝貢獻(xiàn)。

增強自主可控

28納米產(chǎn)線可期

固然形勢嚴(yán)峻，但不是沒有機會，65納米及以上制程方面，國產(chǎn)材料與設(shè)備已經(jīng)取得長足進(jìn)步。多個消息稱，國內(nèi)廠商正在合力打造一條去美化的28納米芯片制造產(chǎn)線。

據(jù)了解，國內(nèi)廠商有望在明年開發(fā)出可用于生產(chǎn)28納米芯片的干式雙工件臺光刻機，并計劃2022年開發(fā)出可用于生產(chǎn)28納米芯片的浸沒式雙工件臺光刻機。

光源、光學(xué)系統(tǒng)和工件臺系光刻機的三大核心組件，而國產(chǎn)可用于生產(chǎn)28納米芯片的浸沒式光刻光源、浸沒式ArF曝光光學(xué)系統(tǒng)和浸沒式雙工件臺均有望在明年實現(xiàn)。

刻蝕機方面，在硅刻蝕領(lǐng)域，國產(chǎn)28納米刻蝕機已基本量產(chǎn)，14納米進(jìn)入中芯國際產(chǎn)線，7納米正在研發(fā)；在金屬刻蝕領(lǐng)域，國產(chǎn)28納米刻蝕機已基本量產(chǎn)，14納米進(jìn)入中芯國際產(chǎn)線。

薄膜沉積設(shè)備方面，國產(chǎn)28納米PVD設(shè)備和國產(chǎn)28納米CVD設(shè)備都已批量出貨，且14納米也都已部分驗證成功，同時正在研發(fā)7納米；國產(chǎn)28納米PECVD設(shè)備批量出貨，14納米已部分驗證成功。

離子注入機方面，在中速流和大速流領(lǐng)域，國產(chǎn)28納米的設(shè)備已基本量產(chǎn)，22納米進(jìn)入中芯國際產(chǎn)線，14納米正在開發(fā)；高能離子注入方面，28納米進(jìn)入中芯國際產(chǎn)線，22納米正在研發(fā)。

一位半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基金合伙人表示：“受客觀規(guī)律制約，要在一些領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)技術(shù)和產(chǎn)業(yè)的超越都需要長時間的積累。而一旦趕起來，有時候往往會意料之外的快。65納米及以上產(chǎn)線，如果全面用國產(chǎn)設(shè)備，然后利用國內(nèi)龐大的市場需求，可以實現(xiàn)快速迭代。我覺得完全可以利用市場養(yǎng)分，支持國產(chǎn)材料與裝備企業(yè)的發(fā)展?！?/p>

一家半導(dǎo)體裝備材料投資機構(gòu)的負(fù)責(zé)人認(rèn)為，從經(jīng)濟角度看，全球化下的專業(yè)分工是最好的，能大幅降低成本，但從國家安全角度講，有必要自主可控。
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