一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

SIC MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)概述

電子設(shè)計(jì) ? 來(lái)源:電子設(shè)計(jì) ? 作者:電子設(shè)計(jì) ? 2020-12-26 14:51 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

一、SIC MOSFET的特性

1、導(dǎo)通電阻隨溫度變化率較小,高溫情況下導(dǎo)通阻抗很低,能在惡劣的環(huán)境下很好的工作。

2、隨著門(mén)極電壓的升高,導(dǎo)通電阻越小,表現(xiàn)更接近于壓控電阻。

3、開(kāi)通需要門(mén)極電荷較小,總體驅(qū)動(dòng)功率較低,其體二極管Vf較高,但反向恢復(fù)性很好,可以降低開(kāi)通損耗。

4、具有更小的結(jié)電容,關(guān)斷速度較快,關(guān)斷損耗更小。

5、開(kāi)關(guān)損耗小,可以進(jìn)行高頻開(kāi)關(guān)動(dòng)作,使得濾波器等無(wú)源器件小型化,提高功率密度。

6、開(kāi)通電壓高于高于SI器件,推薦使用Vgs為18V或者20V,雖然開(kāi)啟電壓只有2.7V,但只有驅(qū)動(dòng)電壓達(dá)到18V~20V時(shí)才能完全開(kāi)通。

7、誤觸發(fā)耐性稍差,需要有源鉗位電路或者施加負(fù)電壓防止其誤觸發(fā)。

二、SIC MOSFET對(duì)驅(qū)動(dòng)的要求

1、觸發(fā)脈沖有比較快的上升速度和下降速度,脈沖前沿和后沿要陡。

2、驅(qū)動(dòng)回路的阻抗不能太大,開(kāi)通時(shí)快速對(duì)柵極電容充電,關(guān)斷時(shí)柵極電容能夠快速放電。

3、驅(qū)動(dòng)電路能夠提供足夠大的驅(qū)動(dòng)電流

4、驅(qū)動(dòng)電路能夠提供足夠大的驅(qū)動(dòng)電壓,減小SIC MOSFET的導(dǎo)通損耗。

5、驅(qū)動(dòng)電路采用負(fù)壓關(guān)斷,防止誤導(dǎo)通,增強(qiáng)其抗干擾能力。

6、驅(qū)動(dòng)電路整個(gè)驅(qū)動(dòng)回路寄生電感要小,驅(qū)動(dòng)電路盡量靠近功率管。

7、驅(qū)動(dòng)電路峰值電流Imax要更大,減小米勒平臺(tái)的持續(xù)時(shí)間,提高開(kāi)關(guān)速度。

三、SIC MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

對(duì)于有IGBT驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)的工程師來(lái)說(shuō),SIC MOSFET驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)與IGBT驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)類似,可以在原來(lái)的驅(qū)動(dòng)電路上進(jìn)行修改參數(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)。

驅(qū)動(dòng)電源的設(shè)計(jì)

SIC MOSFET電源的設(shè)計(jì),根據(jù)其特性,需要有負(fù)壓關(guān)斷和相比SI MOSFET較高的驅(qū)動(dòng)電壓,一般設(shè)計(jì)電源為-6V~+22V,根據(jù)不同廠家的不同Datasheet大家選擇合適的電源正負(fù)電壓的設(shè)計(jì),這里只給出一個(gè)籠統(tǒng)的設(shè)計(jì)范圍??梢詫GBT模塊驅(qū)動(dòng)電源進(jìn)行稍微修改使用在這里,比如,特斯拉在分立IGBT和SIC IGBT上都是用反激電源,具體電路參考?xì)v史文章中對(duì)特斯拉Model S 與Model 3的硬件對(duì)比分析中,也可以使用電源模塊,比如國(guó)內(nèi)做的比較好的金升陽(yáng)的電源模塊,可以降低設(shè)計(jì)難度,但成本也會(huì)相應(yīng)的升高。

驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)

驅(qū)動(dòng)芯片,英飛凌和ST都有相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)芯片,并且原來(lái)英飛凌用于IGBT驅(qū)動(dòng)的1ED系列和2ED系列都可以用在SIC MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路,如下圖所示,英飛凌對(duì)SIC MOSFET驅(qū)動(dòng)IC的介紹,具體的參數(shù)朋友們可以參考英飛凌的Datasheet(注:不是在為誰(shuí)打廣告,因?yàn)榻?jīng)常用英飛凌的產(chǎn)品,比較熟悉就拿出來(lái)對(duì)比)。

ST也有相應(yīng)的門(mén)極驅(qū)動(dòng)芯片,如Model 3上使用的STGAP1AS,具體的規(guī)格書(shū)大家可以參閱ST官網(wǎng)的Datasheet,或者回復(fù)本文題目:SIC MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)概述,將會(huì)得到相應(yīng)的Datasheet。

審核編輯 黃昊宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    150

    文章

    8556

    瀏覽量

    220257
  • 驅(qū)動(dòng)電路
    +關(guān)注

    關(guān)注

    155

    文章

    1584

    瀏覽量

    109912
  • 汽車(chē)電控
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    17

    瀏覽量

    5634
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    SiC碳化硅MOSFET時(shí)代的驅(qū)動(dòng)供電解決方案:基本BTP1521P電源芯片

    傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車(chē)連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSF
    的頭像 發(fā)表于 06-19 16:57 ?272次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b>碳化硅<b class='flag-5'>MOSFET</b>時(shí)代的<b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b>供電解決方案:基本BTP1521P電源芯片

    SiC MOSFET計(jì)算損耗的方法

    本文將介紹如何根據(jù)開(kāi)關(guān)波形計(jì)算使用了SiC MOSFET的開(kāi)關(guān)電路中的SiC MOSFET的損耗。這是一種在線性近似的有效范圍內(nèi)對(duì)開(kāi)關(guān)波形進(jìn)
    的頭像 發(fā)表于 06-12 11:22 ?1304次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>計(jì)算損耗的方法

    Si-IGBT+SiC-MOSFET并聯(lián)混合驅(qū)動(dòng)逆變器設(shè)計(jì)的關(guān)鍵要素

    Si-IGBT+SiC-MOSFET并聯(lián)混合驅(qū)動(dòng)逆變器設(shè)計(jì)的關(guān)鍵要素
    的頭像 發(fā)表于 06-06 08:25 ?1255次閱讀
    Si-IGBT+<b class='flag-5'>SiC-MOSFET</b>并聯(lián)混合<b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b>逆變器設(shè)計(jì)的關(guān)鍵要素

    國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET在有源濾波器(APF)中的革新應(yīng)用

    傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車(chē)連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSF
    的頭像 發(fā)表于 05-10 13:38 ?262次閱讀
    國(guó)產(chǎn)<b class='flag-5'>SiC</b>碳化硅<b class='flag-5'>MOSFET</b>在有源濾波器(APF)中的革新應(yīng)用

    SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)的關(guān)鍵點(diǎn)

    柵極驅(qū)動(dòng)器是確保SiC MOSFET安全運(yùn)行的關(guān)鍵,設(shè)計(jì)柵極驅(qū)動(dòng)電路的關(guān)鍵點(diǎn)包括柵極電阻、柵極電壓和布線方式等,本章節(jié)帶你了解柵極
    的頭像 發(fā)表于 05-06 15:54 ?602次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b><b class='flag-5'>電路</b>設(shè)計(jì)的關(guān)鍵點(diǎn)

    電力電子新未來(lái):珠聯(lián)璧合,基本半導(dǎo)體SiC模塊及SiC驅(qū)動(dòng)雙龍出擊

    傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車(chē)連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOS
    的頭像 發(fā)表于 05-03 15:29 ?240次閱讀
    電力電子新未來(lái):珠聯(lián)璧合,基本半導(dǎo)體<b class='flag-5'>SiC</b>模塊及<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b>雙龍出擊

    SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

    柵極驅(qū)動(dòng)器是保證SiC MOSFET安全運(yùn)行的關(guān)鍵,設(shè)計(jì)柵極驅(qū)動(dòng)電路的關(guān)鍵點(diǎn)包括柵極電阻、柵極電壓和布線方式等,本章節(jié)帶你了解
    的頭像 發(fā)表于 04-24 17:00 ?922次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b><b class='flag-5'>電路</b>設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

    SiC MOSFET 開(kāi)關(guān)模塊RC緩沖吸收電路的參數(shù)優(yōu)化設(shè)計(jì)

    尖峰電壓和系統(tǒng) EMC 的抑制為目標(biāo)。實(shí)際應(yīng)用中,選擇緩沖吸收電路參數(shù)時(shí),為防止 SiC-MOSFET開(kāi)關(guān)在開(kāi)通瞬間由于吸收電容器上能量過(guò)多、需通過(guò)自身放電進(jìn)而影響模塊使用壽命,需要對(duì) RC 緩沖吸收
    發(fā)表于 04-23 11:25

    麥科信光隔離探頭在碳化硅(SiCMOSFET動(dòng)態(tài)測(cè)試中的應(yīng)用

    MOSFET漏源電壓和柵極電壓 測(cè)試難點(diǎn) :普通無(wú)源探頭和常規(guī)差分電壓探頭的寄生參數(shù)較大。由于SiC MOSFET具有極快的開(kāi)關(guān)速度(高dv/dt),探頭的寄生電感和寄生電容會(huì)與測(cè)試電路
    發(fā)表于 04-08 16:00

    SiC MOSFET的參數(shù)特性

    碳化硅(SiCMOSFET作為寬禁帶半導(dǎo)體材料(WBG)的一種,具有許多優(yōu)異的參數(shù)特性,這些特性使其在高壓、高速、高溫等應(yīng)用中表現(xiàn)出色。本文將詳細(xì)探討SiC MOSFET的主要參數(shù)特
    的頭像 發(fā)表于 02-02 13:48 ?1243次閱讀

    驅(qū)動(dòng)Microchip SiC MOSFET

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《驅(qū)動(dòng)Microchip SiC MOSFET.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 01-21 13:59 ?2次下載
    <b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b>Microchip <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>

    SiC MOSFET如何選擇柵極驅(qū)動(dòng)

    硅基MOSFET和IGBT過(guò)去一直在電力電子應(yīng)用行業(yè)占據(jù)主導(dǎo)地位,這些應(yīng)用包括不間斷電源、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、泵以及電動(dòng)汽車(chē)(EV)等。然而,市場(chǎng)對(duì)更小型化產(chǎn)品的需求,以及設(shè)計(jì)人員面臨的提高電源能效的壓力,使得碳化硅(SiC
    的頭像 發(fā)表于 01-02 14:24 ?1171次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>如何選擇柵極<b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b>器

    SiC MOSFET模塊封裝技術(shù)及驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)

    碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅SiC MOSFET作為一種新型寬禁帶半導(dǎo)體器件,具有導(dǎo)通電阻低,開(kāi)關(guān)損耗小的特點(diǎn),可降低器件損耗,提升系統(tǒng)效率,更適合應(yīng)用于高頻電路。碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 10-16 13:52 ?5292次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>模塊封裝技術(shù)及<b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b>設(shè)計(jì)

    SiC MOSFETSiC SBD的區(qū)別

    SiC MOSFET(碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)和SiC SBD(碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管)是兩種基于碳化硅(SiC)材料的功率半導(dǎo)體器件,它們?cè)陔娏﹄娮宇I(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。盡
    的頭像 發(fā)表于 09-10 15:19 ?3541次閱讀

    OBC DC/DC SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)選型及供電設(shè)計(jì)要點(diǎn)

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《OBC DC/DC SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)選型及供電設(shè)計(jì)要點(diǎn).pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 09-10 10:47 ?1次下載
    OBC DC/DC <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b>選型及供電設(shè)計(jì)要點(diǎn)