Intel全球首發(fā)144層堆疊的QLC NAND閃存顆粒
近日，Intel全球首發(fā)了144層堆疊的QLC NAND閃存顆粒，并用于D7-P5510、D5-P5316、670p、H20等不同SSD產(chǎn)品，不過對(duì)于主控芯片，Intel一直守口如瓶。
慧榮今天宣布，作為Intel的高級(jí)合作伙伴，慧榮多年來(lái)持續(xù)作為Intel SSD提供主控方案，而這次發(fā)布的SSD 670p、傲騰H20混合式SSD，用的也都是慧榮主控。
事實(shí)上，Intel上一代的SSD 660p/650p、傲騰H10也都是慧榮主控，而且都是慧榮SM2263。
這次的主控方案具體型號(hào)未公布，但參照慧榮產(chǎn)品線，大概率還是SM2263，因?yàn)樗暮罄m(xù)產(chǎn)品已經(jīng)是支持PCIe 4.0規(guī)格的SM2264，而這兩款SSD并不支持PCIe 4.0。
慧榮SM2263均支持PCIe 3.0 x4、NVMe 1.3，支持四個(gè)閃存通道，支持LDPC ECC糾錯(cuò)、AES/TCG硬件加密，12×12毫米封裝。
責(zé)任編輯:pj
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
芯片
+關(guān)注
關(guān)注
459文章
51927瀏覽量
433833 -
閃存
+關(guān)注
關(guān)注
16文章
1829瀏覽量
115625 -
intel
+關(guān)注
關(guān)注
19文章
3491瀏覽量
187602
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
SD NAND、SPI NAND 和 Raw NAND 的定義與比較
NAND閃存介質(zhì)為主的一種存儲(chǔ)產(chǎn)品,應(yīng)用于筆記本電腦、臺(tái)式電腦、移動(dòng)終端、服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心等場(chǎng)合.
NAND閃存類型
按照每個(gè)單元可以存儲(chǔ)的位數(shù)，可以將
發(fā)表于 01-15 18:15
【半導(dǎo)體存儲(chǔ)】關(guān)于NAND Flash的一些小知識(shí)
技術(shù)方案。
三、NAND Flash分類
NAND閃存卡的主要分類以NAND閃存顆粒的技
發(fā)表于 12-17 17:34
鎧俠量產(chǎn)四層單元QLC UFS 4.0閃存
近日，鎧俠宣布成功量產(chǎn)業(yè)界首款采用四層單元（4LC）技術(shù)的QLC UFS 4.0閃存。這款新型閃存相較于傳統(tǒng)的TLC UFS，擁有更高的位密度，使其在存儲(chǔ)需求日益增長(zhǎng)的移動(dòng)應(yīng)用程序領(lǐng)域
三星QLC第九代V-NAND量產(chǎn)啟動(dòng),引領(lǐng)AI時(shí)代數(shù)據(jù)存儲(chǔ)新紀(jì)元
三星電子在NAND閃存技術(shù)領(lǐng)域再次邁出重要一步，其最新推出的QLC V-NAND第九代產(chǎn)品，集成了多項(xiàng)前沿技術(shù)突破，標(biāo)志著數(shù)據(jù)存儲(chǔ)性能與容量的全新飛躍。這款基于雙堆棧架構(gòu)的
三星電子量產(chǎn)1TB QLC第九代V-NAND
三星電子今日宣布了一項(xiàng)重大里程碑——其自主研發(fā)的1太比特（Tb）容量四層單元（QLC）第九代V-NAND閃存已正式邁入量產(chǎn)階段。這一成就不僅標(biāo)志著三星在存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)領(lǐng)先，也預(yù)示著
NAND閃存的發(fā)展歷程
NAND閃存的發(fā)展歷程是一段充滿創(chuàng)新與突破的歷程，它自誕生以來(lái)就不斷推動(dòng)著存儲(chǔ)技術(shù)的進(jìn)步。以下是對(duì)NAND閃存發(fā)展歷程的詳細(xì)梳理，將全面且深入地介紹其關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)和重要進(jìn)展。
NAND閃存是什么意思
NAND閃存，又稱之為“NAND Flash”，是一種基于Flash存儲(chǔ)技術(shù)的非易失性閃存芯片。下面將從NAND
SK海力士加速NAND研發(fā)，400+層閃存量產(chǎn)在即
韓國(guó)半導(dǎo)體巨頭SK海力士正加速推進(jìn)NAND閃存技術(shù)的革新，據(jù)韓媒最新報(bào)道，該公司計(jì)劃于2025年末全面完成400+層堆疊NAND
SK海力士將在2025年底量產(chǎn)400+層堆疊NAND
近日，韓國(guó)權(quán)威媒體ETNews爆出猛料，SK海力士正在積極籌備加速下一代NAND閃存的研發(fā)進(jìn)程，并且已經(jīng)設(shè)定了明確的發(fā)展時(shí)間表——計(jì)劃在2025年底之前，全面完成高達(dá)400多層堆疊NAND
蘋果將在iPhone中運(yùn)用QLC NAND閃存技術(shù)
據(jù)集邦咨詢于2021年7月25日公布的新近研究報(bào)告顯示，據(jù)悉，蘋果正積極考慮在其未來(lái)的iPhone產(chǎn)品線中導(dǎo)入一項(xiàng)名為QLC NAND閃存技術(shù)的革新性媒介。而這項(xiàng)技術(shù)的實(shí)際投入使用，預(yù)計(jì)最早可在2026年看到成果，屆時(shí)，iPho
鎧俠瞄準(zhǔn)2027年：挑戰(zhàn)1000層堆疊的3D NAND閃存新高度
在全球半導(dǎo)體行業(yè)的激烈競(jìng)爭(zhēng)中，日本知名存儲(chǔ)芯片制造商鎧俠（Kioxia）展現(xiàn)了其雄心壯志和堅(jiān)定決心。在結(jié)束了長(zhǎng)達(dá)20個(gè)月的NAND閃存減產(chǎn)計(jì)劃后，鎧俠的兩座日本工廠生產(chǎn)線開工率已提升至100%，同時(shí)上周還公布了其令人矚目的3D
西部數(shù)據(jù)推出2TB QLC NAND閃存芯片,重塑數(shù)據(jù)存儲(chǔ)新紀(jì)元
在當(dāng)今這個(gè)數(shù)據(jù)爆炸的時(shí)代，存儲(chǔ)技術(shù)的每一次革新都牽動(dòng)著整個(gè)科技行業(yè)的神經(jīng)。近日，西部數(shù)據(jù)在投資者活動(dòng)上揭開了一項(xiàng)令人矚目的技術(shù)突破——業(yè)界最高密度的2TB QLC NAND閃存芯片，這款名為BiCS8的芯片不僅代表了數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域
3D NAND閃存來(lái)到290層，400層+不遠(yuǎn)了
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）早在2022年閃存芯片廠商紛紛發(fā)布200+層 3D NAND，并從TLC到QLC得以廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。來(lái)到2024年5月目前三星第
美光率先量產(chǎn)232層QLC NAND產(chǎn)品
美光科技再次領(lǐng)跑行業(yè)前沿，近日宣布其232層QLC NAND產(chǎn)品已成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，并已開始應(yīng)用于部分Crucial英睿達(dá)固態(tài)硬盤中。這一突破性的技術(shù)不僅滿足了客戶端對(duì)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的高需求，同時(shí)也為數(shù)據(jù)中心提供了更高效的存儲(chǔ)解決方案。
美光232層QLC NAND現(xiàn)已量產(chǎn)
美光科技近日宣布了重大技術(shù)突破，其先進(jìn)的232層QLC NAND閃存已成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，并已部分應(yīng)用于Crucial英睿達(dá)固態(tài)硬盤（SSD）中。此外，美光還推出了2500 NVMeTM S
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論