SK海力士致力于成為“全方位面向AI的存儲(chǔ)器供應(yīng)商(Full Stack AI Memory Provider)”,不僅在DRAM領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新,在NAND閃存(NAND Flash,以下簡(jiǎn)稱N
發(fā)表于 07-10 11:37
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NAND
文章目錄
NAND
一、FLASH閃存是什么?
二、SD NAND Flash
三、STM32例程
一、FLASH閃存是什么?
簡(jiǎn)
發(fā)表于 07-03 14:33
NAND閃存介質(zhì)為主的一種存儲(chǔ)產(chǎn)品,應(yīng)用于筆記本電腦、臺(tái)式電腦、移動(dòng)終端、服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心等場(chǎng)合.
NAND閃存類型
按照每個(gè)單元可以存儲(chǔ)的位數(shù),可以將
發(fā)表于 01-15 18:15
芯片行業(yè)正在努力在未來幾年內(nèi)將?3D NAND?閃存的堆棧高度提高四倍,從 200 層增加到 800 層或更多,利用額外的容量將有助于滿足對(duì)各種類型內(nèi)存的無休止需求。 這些額外的
發(fā)表于 12-19 11:00
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技術(shù)方案。
三、NAND Flash分類
NAND閃存卡的主要分類以NAND閃存顆粒的技
發(fā)表于 12-17 17:34
近日,鎧俠宣布成功量產(chǎn)業(yè)界首款采用四層單元(4LC)技術(shù)的QLC UFS 4.0閃存。這款新型閃存相較于傳統(tǒng)的TLC UFS,擁有更高的位密度,使其在存儲(chǔ)需求日益增長的移動(dòng)應(yīng)用程序領(lǐng)域
發(fā)表于 10-31 18:22
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三星電子在NAND閃存技術(shù)領(lǐng)域再次邁出重要一步,其最新推出的QLC V-NAND第九代產(chǎn)品,集成了多項(xiàng)前沿技術(shù)突破,標(biāo)志著數(shù)據(jù)存儲(chǔ)性能與容量的全新飛躍。這款基于雙堆棧架構(gòu)的
發(fā)表于 09-23 14:53
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三星電子今日宣布了一項(xiàng)重大里程碑——其自主研發(fā)的1太比特(Tb)容量四層單元(QLC)第九代V-NAND閃存已正式邁入量產(chǎn)階段。這一成就不僅標(biāo)志著三星在存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)領(lǐng)先,也預(yù)示著
發(fā)表于 09-12 16:27
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2024年第二季度,全球NAND閃存市場(chǎng)迎來價(jià)格顯著上漲的行情,平均售價(jià)攀升了15%,反映出市場(chǎng)需求持續(xù)旺盛與供應(yīng)端的緊張態(tài)勢(shì)。然而,與此同時(shí),NAND
發(fā)表于 09-11 17:00
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NAND閃存的發(fā)展歷程是一段充滿創(chuàng)新與突破的歷程,它自誕生以來就不斷推動(dòng)著存儲(chǔ)技術(shù)的進(jìn)步。以下是對(duì)NAND閃存發(fā)展歷程的詳細(xì)梳理,將全面且深入地介紹其關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)和重要進(jìn)展。
發(fā)表于 08-10 16:32
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NAND閃存和NOR閃存是兩種常見的閃存存儲(chǔ)器技術(shù),它們?cè)诙鄠€(gè)方面存在顯著的差異。以下將從技術(shù)原理、結(jié)構(gòu)、性能特點(diǎn)、應(yīng)用場(chǎng)景以及發(fā)展趨勢(shì)等方面對(duì)兩者進(jìn)行詳細(xì)比較。
發(fā)表于 08-10 16:14
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NAND閃存,又稱之為“NAND Flash”,是一種基于Flash存儲(chǔ)技術(shù)的非易失性閃存芯片。下面將從NAND
發(fā)表于 08-10 15:57
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韓國半導(dǎo)體巨頭SK海力士正加速推進(jìn)NAND閃存技術(shù)的革新,據(jù)韓媒最新報(bào)道,該公司計(jì)劃于2025年末全面完成400+層堆疊NAND
發(fā)表于 08-02 16:56
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近日,韓國權(quán)威媒體ETNews爆出猛料,SK海力士正在積極籌備加速下一代NAND閃存的研發(fā)進(jìn)程,并且已經(jīng)設(shè)定了明確的發(fā)展時(shí)間表——計(jì)劃在2025年底之前,全面完成高達(dá)400多層堆疊NAND
發(fā)表于 08-01 15:26
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據(jù)集邦咨詢于2021年7月25日公布的新近研究報(bào)告顯示,據(jù)悉,蘋果正積極考慮在其未來的iPhone產(chǎn)品線中導(dǎo)入一項(xiàng)名為QLC NAND閃存技術(shù)的革新性媒介。而這項(xiàng)技術(shù)的實(shí)際投入使用,預(yù)計(jì)最早可在2026年看到成果,屆時(shí),iPho
發(fā)表于 07-25 14:50
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評(píng)論