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晶合集成發(fā)布110nm-LP MCU工藝平臺(tái)

我快閉嘴 ? 來源:合肥晶合 ? 作者:合肥晶合 ? 2021-01-01 10:37 ? 次閱讀
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2020年12月,合肥晶合集成電路股份有限公司(以下簡稱“晶合集成”)與矽成積體電路股份有限公司(以下簡稱“ISSI”)、成都銳成芯微科技股份有限公司(以下簡稱“銳成芯微”)聯(lián)合推出110nm-AL MCU 全平臺(tái)解決方案(圖1)。該平臺(tái)為晶合集成“顯像微電”(顯示器驅(qū)動(dòng)、圖像傳感、微控制器、電源管理)四大特色工藝中重要的“微”一環(huán)。

晶合集成發(fā)布110nm-LP MCU工藝平臺(tái)

嵌入式閃存(110LP-eFlash):基于110nm LP 1.5V/5V 低功耗邏輯工藝的嵌入式閃存平臺(tái)。面向容量介于16KB/32KB-256KB,擦寫次數(shù)大于100K次的MCU應(yīng)用。采用ISSI第二代架構(gòu) 2T-pFlash (pFusion?) 的記憶體模塊,搭配銳成芯微的全套低功耗模擬IP方案:

晶合集成發(fā)布110nm-LP MCU工藝平臺(tái)

1)NVM IP:ISSI pFusion? 第二代架構(gòu)。在第一代架構(gòu)低功耗、高速度、高抗干擾能力及高可靠性的基礎(chǔ)上,顯著提升可靠性的工藝窗口(圖2),特別適用于高可靠性需求的工規(guī)及車規(guī)應(yīng)用;客制化的pFusion?模塊允許同時(shí)存在不同大小的擦除區(qū)塊,提升系統(tǒng)配置彈性,滿足客戶多種應(yīng)用場景需求。

2)模擬IP:銳成芯微的全套低功耗模擬IP方案具有卓越的靜態(tài)功耗(nA級(jí)),極大降低了芯片在待機(jī)模式下的整體功耗。在功耗、性能和成本上實(shí)現(xiàn)極佳平衡,可以廣泛應(yīng)用於MCU、IoT, smart card,wireless、power meters以及車規(guī)系統(tǒng)。2020年晶合集成成功導(dǎo)入多家嵌入式閃存客戶產(chǎn)品驗(yàn)證并于12月進(jìn)入投片量產(chǎn)。

MTP(110LP-MTP):基于110nm LP 1.5V/5V 低功耗邏輯工藝的MTP(Multiple-Time Programming)平臺(tái)。面向容量1KB-16KB/32KB,擦寫次數(shù)介于10次-10K次的MCU應(yīng)用。銳成芯微的LogicFlash? IP 提供業(yè)界最小的MTP IP。具有擦寫次數(shù)大于10K次, 高溫?cái)?shù)據(jù)保存大于10年,高速讀寫及低芯片測試成本等優(yōu)勢,滿足低成本高性能MCU的應(yīng)用需求,可廣泛應(yīng)用于工業(yè)和家電類產(chǎn)品,例如鋰電池供電的物聯(lián)網(wǎng)、智能家居、智能穿戴類應(yīng)用。目前已經(jīng)成功導(dǎo)入客戶并進(jìn)入投片量產(chǎn)。

晶合集成的110nm全鋁后段12寸生產(chǎn)線可為客戶在MCU及低功耗SOC產(chǎn)品提供更具市場競爭力的代工業(yè)務(wù)和更優(yōu)質(zhì)的技術(shù)服務(wù)。為了更好滿足客戶產(chǎn)品日益增長的更新迭代需求,到2022年,晶合集成還將在55nm邏輯工藝基礎(chǔ)上推出55nm嵌入式閃存工藝平臺(tái),進(jìn)一步為客戶提供128KB-1MB高性能MCU平臺(tái)解決方案。

關(guān)于合肥晶合集成電路股份有限公司

合肥晶合集成電路股份有限公司(簡稱“晶合集成”)成立于2015年5月,專注于半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)代工服務(wù)。截至2020年11月產(chǎn)能突破3萬片/月,實(shí)現(xiàn)了在手機(jī)面板驅(qū)動(dòng)芯片代工領(lǐng)域領(lǐng)先的目標(biāo)。晶合集成初期的主要產(chǎn)品為面板驅(qū)動(dòng)芯片,后續(xù)將以客戶需求為導(dǎo)向,結(jié)合平板顯示、汽車電子、家用電器、工業(yè)控制人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢,進(jìn)一步拓展微控制器(MCU)、CMOS圖像傳感器(CIS)、電源管理(PMIC) 、人工智能物聯(lián)網(wǎng)(AIoT)等不同應(yīng)用領(lǐng)域芯片代工,矢志成為中國最卓越的集成電路專業(yè)制造公司之一。

關(guān)于矽成積體電路股份有限公司

矽成積體電路股份有限公司(簡稱“ISSI”)成立于1988年,是一家技術(shù)領(lǐng)先的集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)。公司專注于汽車電子、網(wǎng)絡(luò)通信、工控醫(yī)療及數(shù)字消費(fèi)電子四個(gè)領(lǐng)域,為此設(shè)計(jì)開發(fā)高性能IC芯片,主要產(chǎn)品包括DRAM、SRAM、FLASH及混合模擬信號(hào)產(chǎn)品。除此之外,矽成也擁有獨(dú)立自主研發(fā)的embedded flash(pFusion)智財(cái)權(quán)(IP),透過技術(shù)授權(quán)于各大芯片代工廠及設(shè)計(jì)公司,量產(chǎn)工藝從180nm到55nm,累計(jì)的出貨片數(shù)遠(yuǎn)大于一百萬片晶圓;以第三方的e-flash IP 來說,目前是屬于世界領(lǐng)先的供應(yīng)商之一。

關(guān)于成都銳成芯微科技股份有限公司

銳成芯微成立于2011年,是一家專注于集成電路IP核技術(shù)研發(fā)及服務(wù)的國家高新技術(shù)企業(yè),總部位于成都,在國內(nèi)多地設(shè)有分支機(jī)構(gòu)。銳成芯微是國內(nèi)領(lǐng)先的同時(shí)擁有超低功耗模擬IP技術(shù)、高可靠性嵌入式存儲(chǔ)IP技術(shù)、高性能RF技術(shù)和高速數(shù)據(jù)傳輸IP技術(shù)的企業(yè),目前已與國內(nèi)外20多家晶圓代工廠開展合作,產(chǎn)品覆蓋從14/16nm到180nm的CMOS, BiCMOS, BCD, SiGe, HV,F(xiàn)inFET,F(xiàn)D-SOI等幾十個(gè)工藝制程,累計(jì)開發(fā)IP 500多項(xiàng),國內(nèi)外申請專利超200件,服務(wù)全球300多家集成電路設(shè)計(jì)企業(yè),產(chǎn)品廣 泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)、智能家居、汽車電子、智慧電源、可穿戴、醫(yī)療電子、工業(yè)控制等領(lǐng)域。
責(zé)任編輯:tzh

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