近日，惠普實驗室（Hewlett-Packard Labs）的研究人員光子學研究小組的技術突破顯示，他們發(fā)明了一種新型的憶阻器激光器。這是一種激光，它的波長可以通過電子方式移動，而且獨特的是，憶阻器是將存儲器存儲為電阻值的器件。施加電壓會改變電阻，即使關閉設備電源，該值也會保持不變。在IEEE International Electron Device會議上，研究人員提出，除了簡化處理器間數(shù)據(jù)傳輸?shù)墓庾?a target="_blank">收發(fā)器外，新設備還可以形成超高效的腦激勵光子電路的組件。

不同顏色的光可以同時通過光纖和其他波導，因此可以調(diào)整波長的光子收發(fā)器將導致計算機和最終處理器之間的更高帶寬連接。半導體激光器發(fā)光的波長可以通過加熱器件或通過器件結構中特定種類的電荷積累而改變。然而，這兩種現(xiàn)象都需要能量。

Illustration:Hewlett Packard Labs

The hybrid silicon MOS microring laser is made by bonding a compound semiconductor wafer to a silicon wafer. The oxide at the interface is part of what gives the device have memristor properties.

另外，憶阻器是將存儲器存儲為電阻的裝置。正確的電壓信號可以改變電阻，即使電源關閉，電阻也會保持不變。

HPE實驗室的研究員Bassem Tossoun想知道是否能制造出一種像憶阻器一樣存儲頻率的激光器。事實證明，這不僅是可能的，而且HPE在不知不覺中已經(jīng)構建了這樣一個設備。Tossoun開始探索的時候，他只是嘗試在他的同事、資深研究科學家Di Liang開發(fā)的兩種設備上進行實驗，這兩種設備被稱為混合硅MOS微環(huán)調(diào)制器和混合硅MOS微環(huán)激光器。

兩者都是多層結構，基本上由同心環(huán)組成，同心環(huán)形成一個半導體激光器，其中嵌入一個氧化物基電容器。通過控制電容器上的電壓，不同數(shù)量的電荷在那里積累。這改變了設備的光學模式指數(shù)，即當相位光沿波導傳播時，會經(jīng)歷多少延遲，從而改變發(fā)射光的波長。

“如果我們施加足夠的電壓偏置，（微環(huán)器件）能像記憶器件一樣切換嗎？Tossoun問道，而回答是肯定的，“實際上，我們一直在制造這些憶阻器，但之前并不知道?！?/p>

弄清楚它為什么起作用需要更多的努力。憶阻器通常是兩個金屬電極，中間夾著一小塊絕緣體，如氧化鈦。在自然狀態(tài)下，通過絕緣體的電阻很高。但有了足夠的電壓，絕緣體中的氧原子就會電離，遷移到電極上，留下導電絲，降低電阻。這是一個可逆的過程，當然，轉(zhuǎn)換電壓會驅(qū)動離子回到原來的位置，并消除傳導路徑。

Image: Hewlett Packard Labs

When the laser is in its low-resistance state, heat shifts its output to a longer wavelength.

實驗和模擬顯示，當器件處于低電阻狀態(tài)時，它會加熱，延長（紅移）輸出光的波長。當它處于高電阻狀態(tài)時，電荷載流子會聚集在縮短（藍移）器件波長的氧化物周圍。（我們已經(jīng)知道，在關閉狀態(tài)下進一步提高電壓可以進一步將微環(huán)激光器推向藍色，使波長偏移是其他方法的10億分之一。）在Tossoun使用的設備中，這種切換發(fā)生在75納秒左右，但只發(fā)生在1納米左右的波長上。

現(xiàn)在確定憶阻器激光器將扮演什么角色還為時過早，Tossoun表示，該小組正在探索用它們設計神經(jīng)形態(tài)的光學電路。“從長遠來看，對于我們的宏偉前景來說，現(xiàn)在已經(jīng)有了構建一個集成內(nèi)存、計算和高速光互連的系統(tǒng)的基石 -- 這是我們第一次將所有這些集成在同一個芯片上，”Liang說。因此，憶阻器激光組件開辟了一個新領域，將我們的能力從光學通信擴展到光學和神經(jīng)形態(tài)計算以及其他領域。

責任編輯：xj

原文標題：HPE發(fā)明首臺憶阻器激光器

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