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三星電子2021年將在半導(dǎo)體業(yè)務(wù)投資300億美元以上 這是什么概念

ss ? 來(lái)源:探索科技TechSugar ? 作者:墨均 ? 2021-01-13 14:34 ? 次閱讀
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在2017年之前,全行業(yè)的資本支出總額不超過(guò)700億美元,2017年三星狂賭存儲(chǔ)器,其半導(dǎo)體支出飆升到242億美元,帶動(dòng)存儲(chǔ)器廠商掀起又一輪投資狂潮,最終帶動(dòng)全球半導(dǎo)體支出在2017年創(chuàng)出956億美元新高,比2016年多出278億美元,半導(dǎo)體設(shè)備廠商賺到盆滿缽滿。

1月4日,據(jù)中國(guó)臺(tái)灣媒體報(bào)道,臺(tái)積電將2021年資本支出上調(diào)至200億美元以上——可能會(huì)達(dá)到220億美元。而1月9日,據(jù)日經(jīng)亞洲評(píng)論報(bào)道,三星電子2021年將在半導(dǎo)體業(yè)務(wù)投資300億美元以上。如果計(jì)劃最終實(shí)現(xiàn),那將是臺(tái)積電資本支出首次超過(guò)200億美元,也是三星電子在半導(dǎo)體上首次投資超過(guò)300億美元,標(biāo)志著半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)先者的金元轟炸提升到一個(gè)新級(jí)別。

300億美元是什么概念?進(jìn)入二十一世紀(jì)以來(lái),有兩年全行業(yè)資本支出不到300億美元,分別是2002年和2009年,2003年全行業(yè)支出也僅有313億美元。也許你會(huì)說(shuō)這些數(shù)據(jù)都太久遠(yuǎn),但實(shí)際上,在2017年之前,全行業(yè)的資本支出總額不超過(guò)700億美元,2017年三星狂賭存儲(chǔ)器,其半導(dǎo)體支出飆升到242億美元,帶動(dòng)存儲(chǔ)器廠商掀起又一輪投資狂潮,最終帶動(dòng)全球半導(dǎo)體支出在2017年創(chuàng)出956億美元新高,比2016年多出278億美元,半導(dǎo)體設(shè)備廠商賺到盆滿缽滿。

另一組數(shù)據(jù)也很有意思。2017年至2019年中國(guó)所有半導(dǎo)體廠商資本支出為308億美元,2019年中國(guó)境內(nèi)半導(dǎo)體公司(含外資公司)生產(chǎn)的芯片總值為227億美元。也就是說(shuō),三星一年投入頂中國(guó)廠商三年投入總和,中國(guó)一年所有產(chǎn)出的芯片銷售額加起來(lái)不夠三星一年的資本支出。而大基金二期總金額為290億美元,也不到300億美元。

三星和臺(tái)積電的瘋狂投入,還有可能讓他們拉開(kāi)與英特爾在制造工藝上的差距。先看三家2019年的資本支出。三星最高,達(dá)到192億美元,英特爾次之,資本支出為162億美元,臺(tái)積電第三,也有149億美元。2020年三星在半導(dǎo)體上花了265億美元,臺(tái)積電也花了170億,英特爾的數(shù)據(jù)還沒(méi)有出來(lái),但前三個(gè)季度都比2019年同比下降,三個(gè)季度總支出為103.92億美元,不出意外的話,2020年全年資本支出應(yīng)該在150億美元之內(nèi)。

2017年之前,這三家在半導(dǎo)體支出上大體接近,2017年三星開(kāi)始沖刺,但三星投入中包含大量存儲(chǔ)器設(shè)備投入,單純邏輯工藝投入上,三星和臺(tái)積電并沒(méi)有領(lǐng)先英特爾多少。但這兩年來(lái),英特爾工藝開(kāi)發(fā)遇到難題,時(shí)不時(shí)傳出英特爾要加大生產(chǎn)外包的消息,如果真的加大外包比例,預(yù)示著至少2021年,英特爾資本支出可能會(huì)在150億美元以下,從而第一次被臺(tái)積電資本支出拉開(kāi)50億美元以上。

這對(duì)英特爾而言是非常危險(xiǎn)的信號(hào),先進(jìn)工藝的競(jìng)爭(zhēng)一直是淘汰賽,一旦投入跟不上就要被市場(chǎng)淘汰。130納米工藝節(jié)點(diǎn)全球有近30個(gè)玩家,到28納米時(shí)僅剩10個(gè)玩家,其余廠商因?yàn)楦簧先绱烁邚?qiáng)度的投資節(jié)奏而放棄先進(jìn)工藝研究,伴隨格芯(GlobalFoundries)和聯(lián)電(UMC)宣布放棄先進(jìn)工藝研發(fā),現(xiàn)在愿意在先進(jìn)工藝上做投入的只有四個(gè)廠商,即臺(tái)積電、三星、英特爾和中芯國(guó)際。

目前來(lái)看,主要以IDM模式為主的英特爾,在先進(jìn)工藝投入上已經(jīng)遇到困難。臺(tái)積電和中芯國(guó)際是純代工模式,成本可以向多家客戶攤銷,三星除了有龐大的存儲(chǔ)器產(chǎn)線,其代工規(guī)模也僅次于臺(tái)積電。英特爾目前只能自己承擔(dān)先進(jìn)工藝研發(fā),如今量產(chǎn)遇阻,無(wú)米下鍋,前期投入不能收回,也不敢加大投入只去擴(kuò)充10納米產(chǎn)能,這就異常窘迫,不投入就可能被拉開(kāi)差距,但這么高昂的投入始終見(jiàn)不到效果,就算英特爾也吃不消。

從英特爾2020年的資本支出來(lái)看,將來(lái)找臺(tái)積電或者三星進(jìn)行大規(guī)模外包并非不可能——當(dāng)然英特爾還會(huì)保留相當(dāng)程度的自產(chǎn)比例,比如超過(guò)50%,一旦自產(chǎn)比例過(guò)低,那么英特爾將難以維持在先進(jìn)工藝上的投入,最終在先進(jìn)工藝上只有走向無(wú)晶圓這條路。

先進(jìn)工藝,終將成為少數(shù)人的游戲。

責(zé)任編輯:xj

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