據(jù)濟(jì)南日?qǐng)?bào)報(bào)道，1月27日，富能功率半導(dǎo)體8英寸項(xiàng)目一期實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品下線，標(biāo)志著山東首條芯片加工制造線進(jìn)入實(shí)際生產(chǎn)階段，補(bǔ)齊了山東省集成電路產(chǎn)業(yè)的短板。

富能功率半導(dǎo)體項(xiàng)目規(guī)劃總占地面積630畝，共分三期建設(shè)，據(jù)了解，富能功率半導(dǎo)體項(xiàng)目生產(chǎn)的各類(lèi)晶體管產(chǎn)品，可廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、新能源裝備和汽車(chē)電子等領(lǐng)域。根據(jù)此前的資料，富能功率半導(dǎo)體項(xiàng)目是濟(jì)南市2020年重點(diǎn)項(xiàng)目名單，項(xiàng)目規(guī)劃建設(shè)月產(chǎn)10萬(wàn)片的兩座8英寸廠及一座月產(chǎn)5萬(wàn)片的12英寸廠，第一期投入60億元。

本次投產(chǎn)的8英寸廠為項(xiàng)目一期，2019年開(kāi)工建設(shè)，2020年12月底首條產(chǎn)線建設(shè)完畢。項(xiàng)目第一期一階段投產(chǎn)后將有望達(dá)到年產(chǎn)36萬(wàn)片8英寸硅基功率器件(MOSFET Super Junction IGBT)和1萬(wàn)片6寸碳化硅功率器件(SIC MOSFET)的生產(chǎn)能力。

濟(jì)南日?qǐng)?bào)指出，這將顯著提升濟(jì)南芯片制造產(chǎn)業(yè)發(fā)展實(shí)力，為“工業(yè)強(qiáng)市”戰(zhàn)略注入強(qiáng)勁動(dòng)力的同時(shí)，還將打破國(guó)外壟斷，實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)芯片的有效替代。

資料顯示，濟(jì)南富能半導(dǎo)體有限公司成立于2018年11月，是一家致力于深耕半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的IDM公司，專(zhuān)注半導(dǎo)體能源器件、芯片及模組產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)。濟(jì)南網(wǎng)2020年6月曾報(bào)道，未來(lái)五年，富能將從高端硅和碳化硅等產(chǎn)品切入市場(chǎng)，有效實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代，五年后年?duì)I業(yè)額達(dá)100億人民幣，力爭(zhēng)在10年內(nèi)達(dá)到國(guó)際一流半導(dǎo)體生產(chǎn)企業(yè)水平。

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