一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

鎧俠、西數(shù)推162層3D閃存,性能提升66%

如意 ? 來源:快科技 ? 作者:憲瑞 ? 2021-02-20 10:40 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

在幾大閃存原廠的主力從96層升級到128/144層之后,美光、SK海力士之前推出了176層的3D閃存,現(xiàn)在鎧俠、西數(shù)也加入這一陣營,推出了162層3D閃存。

各大廠商的3D閃存技術(shù)并不一樣,所以堆棧的層數(shù)也不同,鎧俠、西數(shù)使用的BiCS技術(shù),堆棧層數(shù)并不是最高的,但是存儲密度不錯,這次162層相比之前的112層閃存提升了10%的密度。

這樣一來,從112層提高到162層使得芯片的面積減少了40%,在同樣的300mm晶圓上可以多生產(chǎn)70%的容量,直接大幅降低了閃存成本。

除了產(chǎn)能、成本上的改善,鎧俠的162層閃存還改進了架構(gòu),將控制電路放置于存儲陣列下方,不僅減少了核心面積,還提高了性能,工作速度2.4倍提升,延遲減少了10%,IO性能提升了66%,實現(xiàn)了性能、容量雙重提升。

鎧俠并沒有公布162層3D閃存的量產(chǎn)時間,預(yù)期是要到2022年了,可能會在鎧俠、西數(shù)位于日本四日市的新建工廠量產(chǎn)。

2020年10越低,為了滿足日益增長的5G需求,鎧俠宣布將投資1萬億日元,約合95億美元,在日本四日市再建一座3D閃存工廠,占地面積超過40000平方米,建成后將成為旗下最大的閃存工廠,也是該公司第七座閃存廠。
責編AJX

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 閃存
    +關(guān)注

    關(guān)注

    16

    文章

    1845

    瀏覽量

    115974
  • 西數(shù)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    69

    瀏覽量

    16242
  • 鎧俠
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    107

    瀏覽量

    8069
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    雙軸技術(shù)戰(zhàn)略,研發(fā)超級SSD

    年,近一半的NAND需求將與人工智能相關(guān)。Kioxia旨在通過先進的SSD產(chǎn)品和技術(shù),以支持人工智能系統(tǒng)不斷變化的需求。正在開發(fā)CM9系列、
    的頭像 發(fā)表于 06-12 09:14 ?2089次閱讀
    <b class='flag-5'>鎧</b><b class='flag-5'>俠</b>雙軸技術(shù)戰(zhàn)略,研發(fā)超級SSD

    3D閃存的制造工藝與挑戰(zhàn)

    3D閃存有著更大容量、更低成本和更高性能的優(yōu)勢,本文介紹了3D閃存的制造工藝與挑戰(zhàn)。
    的頭像 發(fā)表于 04-08 14:38 ?1050次閱讀
    <b class='flag-5'>3D</b><b class='flag-5'>閃存</b>的制造工藝與挑戰(zhàn)

    與閃迪發(fā)布下一代3D閃存技術(shù),實現(xiàn)4.8Gb/s NAND接口速度

    兩家公司預(yù)展第十代3D閃存技術(shù),為性能、能效和位密度設(shè)立新標準舊金山,國際固態(tài)電路會議(ISSCC)——株式會社與閃迪公司聯(lián)合發(fā)布一項尖
    的頭像 發(fā)表于 02-25 11:31 ?500次閱讀
    <b class='flag-5'>鎧</b><b class='flag-5'>俠</b>與閃迪發(fā)布下一代<b class='flag-5'>3D</b><b class='flag-5'>閃存</b>技術(shù),實現(xiàn)4.8Gb/s NAND接口速度

    發(fā)布上市后首份季度財報

    于近日正式公布了其自上市以來的首份季度財報,詳細披露了2024財年第三財季的財務(wù)數(shù)據(jù)。 在截至2024年12月31日的這一財季中,實現(xiàn)了4500億日元(約合214.32億元人民
    的頭像 發(fā)表于 02-18 11:21 ?534次閱讀

    SciChart 3D for WPF圖表庫

    SciChart 3D for WPF 是一個實時、高性能的 WPF 3D 圖表庫,專為金融、醫(yī)療和科學(xué)應(yīng)用程序而設(shè)計。非常適合需要極致性能和豐富的交互式
    的頭像 發(fā)表于 01-23 13:49 ?621次閱讀
    SciChart <b class='flag-5'>3D</b> for WPF圖表庫

    控股在東京證券交易所PRIME市場上市

    日本半導(dǎo)體存儲器領(lǐng)域的佼佼者控股,近日在東京證券交易所最高級別的PRIME市場成功掛牌上市,其股票發(fā)行價定為每股1455日元。這一舉措標志著控股正式邁入資本市場,開啟了全新的發(fā)
    的頭像 發(fā)表于 12-20 14:04 ?576次閱讀

    預(yù)測2028年NAND Flash需求將激增2.7倍

    存儲芯片大廠近日發(fā)表了一項令人矚目的預(yù)測,稱在人工智能需求的強勁推動下,到2028年,全球?qū)AND Flash的需求將增加2.7倍。這一預(yù)測不僅展示了存儲市場的巨大潛力,也預(yù)示著
    的頭像 發(fā)表于 11-12 14:40 ?682次閱讀

    將開發(fā)新型CXL接口存儲器

    近日,公司宣布其“創(chuàng)新型存儲制造技術(shù)開發(fā)”提案已被日本新能源?產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開發(fā)機構(gòu)(NEDO)的“加強后5G信息和通信系統(tǒng)基礎(chǔ)設(shè)施研究開發(fā)項目/先進半導(dǎo)體制造技術(shù)開發(fā)”計劃采納。這一消息標志著
    的頭像 發(fā)表于 11-11 15:54 ?632次閱讀

    計劃2025年6月前完成IPO

    近日,日本知名半導(dǎo)體企業(yè)被曝出正積極籌備首次公開募股(IPO)的重大計劃。根據(jù)向日本金融服務(wù)廳提交的正式文件,公司計劃在2024年12月至2025年6月期間,正式在東京證券交易
    的頭像 發(fā)表于 11-11 14:41 ?673次閱讀

    預(yù)測:2028年前閃存需求將激增2.7倍,受AI發(fā)展推動

    在人工智能技術(shù)的蓬勃推動下,芯片制造商于11月5日宣布,預(yù)計未來五年內(nèi)(至2028年),閃存市場需求將大幅增長約2.7倍。這一預(yù)測基于當前人工智能技術(shù)的快速發(fā)展和對服務(wù)器、智能手機及個人電腦等領(lǐng)域需求的持續(xù)擴大。
    的頭像 發(fā)表于 11-06 13:57 ?904次閱讀

    量產(chǎn)四單元QLC UFS 4.0閃存

    近日,宣布成功量產(chǎn)業(yè)界首款采用四單元(4LC)技術(shù)的QLC UFS 4.0閃存。這款新型閃存相較于傳統(tǒng)的TLC UFS,擁有更高的位密
    的頭像 發(fā)表于 10-31 18:22 ?2996次閱讀

    三星與計劃減產(chǎn)NAND閃存

    近日,據(jù)供應(yīng)鏈消息,三星電子與正考慮在第四季度對NAND閃存進行減產(chǎn),并預(yù)計根據(jù)市場狀況分階段實施。
    的頭像 發(fā)表于 10-30 16:18 ?664次閱讀

    貝恩資本取消IPO計劃,估值分歧成關(guān)鍵

    據(jù)消息人士透露,由于投資者對日本存儲芯片制造商(Kioxia)的估值期望與貝恩資本(Bain Capital)存在巨大分歧,這家美國收購公司已決定取消原定于10月的首次公開募股
    的頭像 發(fā)表于 10-12 15:31 ?690次閱讀

    擱置10月IPO計劃

    日本存儲芯片巨頭(Kioxia)近日宣布,已決定將原定于10月在東京證券交易所的首次公開募股(IPO)計劃暫時擱置。這一決定背后,是在競爭激烈的市場環(huán)境中面臨的諸多挑戰(zhàn)。
    的頭像 發(fā)表于 09-25 14:53 ?635次閱讀

    北上市NAND閃存新工廠竣工,預(yù)計2025年秋投產(chǎn)

    存儲芯片巨頭(Kioxia)近日宣布了一項重要進展:其位于日本巖手縣北上市的第二家NAND閃存制造工廠(Fab 2,簡稱K2)已圓滿竣工。此次竣工標志著
    的頭像 發(fā)表于 08-06 09:27 ?998次閱讀