今年4月，三星半導(dǎo)體將為中國數(shù)據(jù)中心客戶提供一款新一代高性能固態(tài)硬盤 －－ PM9A3 U．2。PM9A3 U．2支持PCIe 4．0，是三星半導(dǎo)體專為中國數(shù)據(jù)中心客戶打造，此舉彰顯了三星半導(dǎo)體計(jì)劃進(jìn)一步加強(qiáng)與中國企業(yè)合作的決心。

三星半導(dǎo)體發(fā)布為中國數(shù)據(jù)中心客戶打造的新款高性能固態(tài)硬盤

PM9A3 U．2支持PCIe 4．0，是三星半導(dǎo)體專為中國數(shù)據(jù)中心客戶打造，此舉彰顯了三星半導(dǎo)體計(jì)劃進(jìn)一步加強(qiáng)與中國企業(yè)合作的決心。

PM9A3 U．2使用三星第六代3D閃存（V－NAND）技術(shù)，基于NVMe協(xié)議，完全符合開放計(jì)算項(xiàng)目（OCP）NVMe 云端固態(tài)硬盤規(guī)范，并能根據(jù)數(shù)據(jù)中心需求，在性能、電源效率、可靠性、安全性等方面，提供高級別的解決方案。

值得一提的是，在目前已量產(chǎn)的數(shù)據(jù)中心級固態(tài)硬盤產(chǎn)品中，PM9A3 U．2 實(shí)現(xiàn)了更高級別的隨機(jī)寫入性能，可滿足中國客戶的需求，更低的能耗有利于數(shù)據(jù)中心節(jié)省運(yùn)營成本，有助于減少碳排放。

PM9A3 U．2搭載了支持PCIe 4．0技術(shù)的的全新控制器和三星第六代3D閃存（V－NAND）技術(shù)，并通過固件優(yōu)化實(shí)現(xiàn)了200K IOPS的穩(wěn)態(tài)隨機(jī)寫入性能，同比上一代產(chǎn)品PM983 U．2提升了4倍。

對中國運(yùn)營數(shù)據(jù)中心的科技企業(yè)而言，隨機(jī)寫入速度尤為重要，相信PM9A3U．2出色的表現(xiàn)，能很好地滿足這些客戶的需求。

另外，PM9A3 U．2的4K穩(wěn)態(tài)隨機(jī)讀取性能為1100K IOPS，順序讀取速度為6900MB／s，相對上一代產(chǎn)品PM983 U．2分別提升2．2倍和2．16倍；并且，在每瓦304MB／s的順序?qū)懭胄阅鼙憩F(xiàn)中，與前代產(chǎn)品相比，能效比提高了61％。

三星半導(dǎo)體存儲市場部總經(jīng)理鄭光熙先生（音譯）表示：“PM9A3 U．2是三星首個(gè)采用第六代3D閃存（V－NAND）技術(shù)并支持 PCIe4．0的NVMe固態(tài)硬盤產(chǎn)品，符合中國數(shù)據(jù)中心客戶運(yùn)營所需的特定性能和功耗配置，我們期待著它成為中國數(shù)據(jù)中心客戶的極佳解決方案?！?/p>

從量產(chǎn)PM9A3 U．2開始，三星半導(dǎo)體將繼續(xù)加強(qiáng)與全球數(shù)據(jù)中心客戶合作，不斷推進(jìn)新一代存儲技術(shù)的發(fā)展和標(biāo)準(zhǔn)化，以迎接全面開放的5G時(shí)代和不斷變化的生活方式。

性能和功耗數(shù)據(jù)基于三星內(nèi)部測量結(jié)果并符合以下條件：

1）性能

隨機(jī)性能測試工具使用的是FIO 2．1．3。操作系統(tǒng)為Linux RHEL 6．6（內(nèi)核3．14．29），數(shù)據(jù)塊大小為4KB（4，096字節(jié)），隊(duì)列深度32，4個(gè)測試線程；順序性能塊大小為128KB（131072字節(jié)），隊(duì)列深度為32，1個(gè)測試線程。實(shí)際性能可能會因使用條件和環(huán)境而異。

2） 功耗

功耗是通過SSD中連接器插頭的12V電源引腳測量的。 活動功耗和空閑功耗定義為最高平均功率，即在100毫秒持續(xù)時(shí)間內(nèi)的最大RMS平均值。 活動功耗的測量條件假定為100％順序讀寫。

注釋：

SSD：固態(tài)硬盤， RMS：均方根， NVMe：非易失性內(nèi)存，

IOPS：每秒讀寫次數(shù)，MB／s：百萬字節(jié)／秒

PCIe：高速串行計(jì)算機(jī)擴(kuò)展總線標(biāo)準(zhǔn)

責(zé)任編輯：haq