SGT-MOS結(jié)構(gòu)及轉(zhuǎn)移特性詳解
SGT-MOS結(jié)構(gòu)
屏蔽柵側(cè)壁氧化層厚度：0.7um
屏蔽柵底部氧化層厚度：0.5um
屏蔽柵隔離氧化層厚度：0.3um
屏蔽柵寬度：0.4um
屏蔽柵縱向長(zhǎng)度：3.4um
（2）SGTMOS轉(zhuǎn)移特性
SGT（split-gate-trench，分裂柵極溝槽）結(jié)構(gòu)因其具有電荷耦合效應(yīng)，在傳統(tǒng)溝槽mosfet垂直耗盡（p-body/n-epi結(jié)）基礎(chǔ)上引入了水平耗盡，將器件電場(chǎng)由三角形分布改變?yōu)榻凭匦畏植?。在采用同樣摻雜濃度的外延規(guī)格情況下，器件可以獲得更高的擊穿電壓，該結(jié)構(gòu)在中低壓功率器件領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。
MOS器件第一個(gè)深溝槽（Deep Trench）作為“體內(nèi)場(chǎng)板”在反向電壓下平衡漂移區(qū)電荷，這樣可以降低漂移區(qū)的電阻率，從而降低器件的比導(dǎo)通電阻（RSP）和柵極電荷（Qg）。
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