近年來，隨著用戶需求的增加，計算能力也在快速增長。從手中的移動設(shè)備到工廠的互聯(lián)機器，全球數(shù)據(jù)量都在成倍數(shù)增長。這些數(shù)據(jù)為構(gòu)建數(shù)據(jù)分析、超級計算、機器學習和人工智能等高性能計算提供動力。

提高速度，降低能耗

滿足尖端計算的需求

為了應(yīng)對上述變化，計算機不僅需要超快的微處理器，還需要能夠快速、高效和可持續(xù)地處理這些數(shù)據(jù)量的內(nèi)存解決方案。三星的創(chuàng)新正在幫助滿足這一需求，通過應(yīng)用迄今為止只能在邏輯半導體中找到的 DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）的開發(fā)技術(shù)來優(yōu)化其性能。

向DDR5的飛躍

與上一代產(chǎn)品DDR4（第四代雙倍數(shù)據(jù)速率內(nèi)存)相比，三星新一代內(nèi)存芯片DDR5（第五代雙倍數(shù)據(jù)速率內(nèi)存）的性能提高了兩倍以上，傳輸數(shù)據(jù)速度最高可達每秒7200Mbps，超高速處理器的運算速度進一步提高。

計算機內(nèi)存由內(nèi)存單元組成，每個單元都能存儲電荷。如果單元帶電荷，計算機軟件將此解讀為二進制狀態(tài)“1”。如果單元不帶電荷，計算機軟件將此解讀為二進制狀態(tài)“0”。通過這種方式，隨機存取存儲器（Random Access Memory ，RAM) 使用電荷來存儲和處理構(gòu)成計算機代碼的數(shù)百萬個 1 和 0。然而近年來，計算機內(nèi)存芯片的制造商們一直在突破物理學的極限：為了使內(nèi)存發(fā)揮作用，單元之間需要相互隔絕。否則，電荷可能會在單元間泄漏，損壞RAM 中保存的數(shù)據(jù)，阻止需要這些數(shù)據(jù)的程序運行。為了克服這些限制，提高DRAM芯片的性能，三星將主要用于邏輯芯片的高電介質(zhì)金屬柵極(High-K Metal Gate，HKMG) 工藝技術(shù)，應(yīng)用到了密集的內(nèi)存芯片上。這改善了緊密包裝的單元之間的絕緣性，數(shù)據(jù)移動速度達到了DDR4的兩倍以上。 HKMG技術(shù)的引進，得益于三星的行業(yè)和技術(shù)優(yōu)勢，也是三星與客戶密切合作的結(jié)果。

具有內(nèi)置可持續(xù)性的功率增強系統(tǒng)

三星DDR5內(nèi)存的能耗比上一代減少了 13%，這項成果尤為重要，因為全球數(shù)據(jù)中心市場正以每年 6.4% 的速度增長。數(shù)據(jù)中心已經(jīng)消耗了大約1%的全球能源產(chǎn)量，如果將來能源行業(yè)沒有發(fā)生重大改變，那么這個數(shù)字在未來10年內(nèi)會增長40倍。對于數(shù)據(jù)中心的運營商和使用高性能計算的其他用戶來說，需求已經(jīng)非常明確：他們迫切需要擁有能夠賦予他們更多處理能力的技術(shù)，同時減少環(huán)境足跡。這正是三星新款DDR5模塊及其HKMG工藝技術(shù)希望交付的產(chǎn)品。三星的DDR5內(nèi)存為電力用戶提供了高容量節(jié)能內(nèi)存模塊，以在性能和效率之間達到平衡。

512 GB內(nèi)存提升

適用于數(shù)據(jù)密集型的工作負載

三星DDR5內(nèi)存使用硅通孔（Through Silicon Via，TSV)技術(shù)堆疊了8層16 GB DRAM 芯片，從而能夠提供容量高達512GB的DDR5內(nèi)存。三星研究人員和工程師實現(xiàn)了內(nèi)存芯片的創(chuàng)新核心技術(shù)，因此，三星的合作伙伴能夠在機器學習，人工智能，分析、超大規(guī)模計算，以及其他新興數(shù)據(jù)密集型工作量的前沿計算等領(lǐng)域中將DDR5內(nèi)存產(chǎn)品集成和使用于自身產(chǎn)品中。

三星電子DRAM內(nèi)存規(guī)劃/啟用團隊副總裁 Sohn Young-Soo 表示：“該行業(yè)確實需要一個變革者，而三星同時擁有邏輯芯片和內(nèi)存功能，能夠?qū)KMG技術(shù)融入內(nèi)存產(chǎn)品的開發(fā)。憑借DDR5內(nèi)存模塊，三星為業(yè)界提供了能夠快速擴展性能并降低功耗的優(yōu)質(zhì)工具。新冠肺炎加快了企業(yè)和社會的數(shù)字化轉(zhuǎn)型，在這種情況下，DDR5內(nèi)存的出現(xiàn)不僅對行業(yè)來說是好消息，也是向未來數(shù)字世界邁出的關(guān)鍵一步。”

*本文中的產(chǎn)品圖片以及型號、數(shù)據(jù)、功能、性能、規(guī)格參數(shù)等僅供參考，三星有可能對上述內(nèi)容進行改進，具體信息請參照產(chǎn)品實物、產(chǎn)品說明書或三星官網(wǎng)（www.samsung.com/cn）。除非經(jīng)特殊說明，本網(wǎng)站中所涉及的數(shù)據(jù)均為三星內(nèi)部測試結(jié)果，涉及的對比均為與三星產(chǎn)品相比較。

原文標題：三星半導體｜DDR5內(nèi)存解決方案：性能提高兩倍，節(jié)能13%！

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