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ROHM開發(fā)厚膜分流電阻器 安森美發(fā)布應(yīng)用于服務(wù)器和電信的MOSFET

牽手一起夢 ? 來源:綜合ROHM和安森美官網(wǎng)整合 ? 作者:綜合ROHM和安森美官 ? 2022-03-29 09:31 ? 次閱讀

ROHM開發(fā)出實(shí)現(xiàn)4W業(yè)內(nèi)超高額定功率的厚膜分流電阻器“LTR100L”

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM開發(fā)出一款厚膜分流電阻器“LTR100L”,非常適用于工業(yè)設(shè)備和消費(fèi)電子設(shè)備等的電流檢測應(yīng)用。

ROHM正在致力于擴(kuò)大分流電阻器的產(chǎn)品陣容,最近,最大額定功率為10W的金屬板分流電阻器“GMR320”已于2021年2月開始投入量產(chǎn)。此外,從2018年4月開始,2W額定功率保證的厚膜分流電阻器“LTR50低阻值系列”也已開始量產(chǎn)。此次新產(chǎn)品的推出,使厚膜分流電阻器的產(chǎn)品陣容擴(kuò)展到了更高的功率范圍。

新產(chǎn)品通過改良電阻體材料并適用引腳溫度降額,在3264尺寸(3.2mm×6.4mm)的厚膜分流電阻器中,實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)超高的4W額定功率。該產(chǎn)品非常適合功率不斷提高的工業(yè)設(shè)備和消費(fèi)電子設(shè)備領(lǐng)域,例如電機(jī)控制電路和過電流保護(hù)電路的電流檢測應(yīng)用。此外,通過優(yōu)化元件結(jié)構(gòu),還在厚膜分流電阻器業(yè)界實(shí)現(xiàn)了出色的電阻溫度系數(shù)(TCR)*1。由于不易受溫度影響,因此可以進(jìn)行高精度和高可靠性的電流檢測。

安森美發(fā)布高性能、低損耗的SUPERFET V MOSFET系列,應(yīng)用于服務(wù)器和電信

領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi,美國納斯達(dá)克股票代號:ON),發(fā)布新的600 V SUPERFET?V MOSFET系列。這些高性能器件使電源能滿足嚴(yán)苛的能效規(guī)定,如80 PLUS Titanium,尤其是在極具挑戰(zhàn)性的10%負(fù)載條件下。600 V SUPERFET系列下的三個(gè)產(chǎn)品組--FAST、Easy Drive和FRFET經(jīng)過優(yōu)化,可在各種不同的應(yīng)用和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中提供領(lǐng)先同類的性能。

600 V SUPERFET V系列提供出色的開關(guān)特性和較低的門極噪聲,從而降低電磁干擾(EMI)--這對服務(wù)器和 電信系統(tǒng)是個(gè)顯著的好處。此外,強(qiáng)固的體二極管和較高的VGSS(DC +/- 30 V)增強(qiáng)了系統(tǒng)可靠性。

安森美先進(jìn)電源分部高級副總裁兼總經(jīng)理Asif Jakwani說:“80 Plus Titanium認(rèn)證以應(yīng)對氣候變化為目標(biāo),要求服務(wù)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)硬件在10%負(fù)載條件下的電源能效水平達(dá)90%,在處理50%負(fù)載時(shí)的能效達(dá)96%。我們的SUPERFET V系列的FAST、Easy Drive和FRFET版本正在滿足這些要求,提供強(qiáng)固的方案,確保持續(xù)的系統(tǒng)可靠性?!?/p>

綜合ROHM和安森美官網(wǎng)整合

審核編輯:郭婷

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