場效應(yīng)管（FieldEffectTransistor）又稱場效應(yīng)晶體管，是利用控制輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管，［1］它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。主要有兩種類型（junctionFET—JFET）和金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（metal-oxidesemiconductorFET，簡稱MOS-FET）。

場效應(yīng)管具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競爭者。

與雙極型晶體管相比，場效應(yīng)管具有如下特點(diǎn)。

（1）場效應(yīng)管是電壓控制器件，它通過VGS（柵源電壓）來控制ID（漏極電流）；

（2）場效應(yīng)管的控制輸入端電流極小，因此它的輸入電阻（107～1012Ω）很大。

（3）它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，因此它的溫度穩(wěn)定性較好；

（4）它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù)；

（5）場效應(yīng)管的抗輻射能力強(qiáng)；

（6）由于它不存在雜亂運(yùn)動的電子擴(kuò)散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。

場效應(yīng)管工作原理用一句話說，就是“漏極-源極間流經(jīng)溝道的ID，用以柵極與溝道間的pn結(jié)形成的反偏的柵極電壓控制ID”。更正確地說，ID流經(jīng)通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結(jié)反偏的變化，產(chǎn)生耗盡層擴(kuò)展變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區(qū)域，表示的過渡層的擴(kuò)展因?yàn)椴缓艽?，根?jù)漏極-源極間所加VDS的電場，源極區(qū)域的某些電子被漏極拉去，即從漏極向源極有電流ID流動。從門極向漏極擴(kuò)展的過度層將溝道的一部分構(gòu)成堵塞型，ID飽和。將這種狀態(tài)稱為夾斷。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋，并不是電流被切斷。

哪么如何判斷他們的好壞呢？

先用萬用表R×10kΩ擋（內(nèi)置有15V電池），把負(fù)表筆（黑）接?xùn)艠O（G），正表筆（紅）接源極（S）。給柵、源極之間充電，此時(shí)萬用表指針有輕微偏轉(zhuǎn)。再改用萬用表R×1Ω擋，將負(fù)表筆接漏極（D），正筆接源極（S），萬用表指示值若為幾歐姆，則說明場效應(yīng)管是好的。

二、判斷結(jié)型場效應(yīng)管的電極

將萬用表撥至R×100檔，紅表筆任意接一個(gè)腳管，黑表筆則接另一個(gè)腳管，使第三腳懸空。若發(fā)現(xiàn)表針有輕微擺動，就證明第三腳為柵極。欲獲得更明顯的觀察效果，還可利用人體靠近或者用手指觸摸懸空腳，只要看到表針作大幅度偏轉(zhuǎn)，即說明懸空腳是柵極，其余二腳分別是源極和漏極。

判斷理由：JFET的輸入電阻大于100MΩ，并且跨導(dǎo)很高，當(dāng)柵極開路時(shí)空間電磁場很容易在柵極上感應(yīng)出電壓信號，使管子趨于截止，或趨于導(dǎo)通。若將人體感應(yīng)電壓直接加在柵極上，由于輸入干擾信號較強(qiáng)，上述現(xiàn)象會更加明顯。如表針向左側(cè)大幅度偏轉(zhuǎn)，就意味著管子趨于截止，漏-源極間電阻RDS增大，漏-源極間電流減小IDS。反之，表針向右側(cè)大幅度偏轉(zhuǎn)，說明管子趨向?qū)?，RDS↓，IDS↑。但表針究竟向哪個(gè)方向偏轉(zhuǎn)，應(yīng)視感應(yīng)電壓的極性（正向電壓或反向電壓）及管子的工作點(diǎn)而定。

注意事項(xiàng)：

（1）試驗(yàn)表明，當(dāng)兩手與D、S極絕緣，只摸柵極時(shí)，表針一般向左偏轉(zhuǎn)。但是，如果兩手分別接觸D、S極，并且用手指摸住柵極時(shí)，有可能觀察到表針向右偏轉(zhuǎn)的情形。其原因是人體幾個(gè)部位和電阻對場效應(yīng)管起到偏置作用，使之進(jìn)入飽和區(qū)。

（2）也可以用舌尖舔住柵極，現(xiàn)象同上。