現(xiàn)在介紹該模型的幾個元素,如下所示。首先,我們討論關鍵通道區(qū)域。這里我們使用著名的伯克利BSIM 3v3模型。只要有可能,我們就盡力不做重復工作。在本例中,我們嘗試建模一個適合BSIM模型的MOSFET通道。該模型以物理為基礎,通過亞閾值、弱反和強反準確地捕捉轉(zhuǎn)換過程。此外,它具有很好的速度和收斂性,廣泛適用于多個仿真平臺。
圖1顯示典型的碳化硅MOSFET器件的橫截面。圖2展示我們精簡版本的子電路模型。
接下來,我們需要包含由EPI區(qū)域的多晶硅重疊形成的門極到漏極的臨界電容CGD。該電容器基本上是高度非線性金屬氧化物半導體(MOS)電容器。該電容的耗盡區(qū)域依賴于復雜的工藝參數(shù),包括摻雜分布、p阱dpw之間的距離和外延層的厚度?;谖锢淼哪P涂紤]到所有這些影響,采用SPICE不可知論的行為方法實現(xiàn)。稍后,我們將談談什么是SPICE不可知論方法。
從橫截面開始,我們將介紹芯片布局可擴展性的一些概念和構(gòu)造,如圖3所示,灰色區(qū)域是有源區(qū)。藍色無源區(qū)與裸芯邊緣、門極焊盤(gate pad)和門極流道(gate runners)相關聯(lián)?;谖锢韼缀蔚膶ё記Q定了無源區(qū)和有源區(qū)之間的分布,這是實現(xiàn)可擴展性所必需的。我們非常關注在有源和無源區(qū)邊界區(qū)域形成的寄生電容。一旦您開始忽略布局中的寄生電容,什么時候停止?所有可忽略的電容最終加起來就成了一個問題。在這種情況下無法實現(xiàn)擴展。我們的理念是使寄生電容為0。
碳化硅MOSFET支持非??斓膁V/dts,約每納秒50 V至100 V,而dI/dts則支持每納秒3 A至6 A。本征器件門極電阻很重要,可用來抗電磁干擾(EMI)。在圖3中右邊的設計有較少的門極流道,因此RG較高;很好地限制振鈴。圖3左邊的設計有許多門極流道,因此RG較低。左邊的設計適用于快速開關,但每個區(qū)域有更高的RDSon,因為門極流道吞噬了有源區(qū)。
審核編輯:郭婷
-
MOSFET
+關注
關注
150文章
8565瀏覽量
220301 -
半導體
+關注
關注
335文章
28880瀏覽量
237368 -
電磁干擾
+關注
關注
36文章
2390瀏覽量
106546
發(fā)布評論請先 登錄
碳化硅功率器件有哪些特點
碳化硅功率器件的種類和優(yōu)勢
麥科信光隔離探頭在碳化硅(SiC)MOSFET動態(tài)測試中的應用
碳化硅MOSFET的優(yōu)勢有哪些
寬禁帶技術(shù)如何提升功率轉(zhuǎn)換效率

碳化硅功率器件的散熱方法
產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲能變流器PCS中的應用
安森美碳化硅應用于柵極的5個步驟
安森美在碳化硅半導體生產(chǎn)中的優(yōu)勢
什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?
第三代寬禁帶半導體:碳化硅和氮化鎵介紹

評論