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東芝推出新款4.5-kV雙柵極反向傳導注入增強型柵極晶體管

科技綠洲 ? 來源:東芝半導體 ? 作者:東芝半導體 ? 2022-06-30 17:09 ? 次閱讀
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近日,東芝研發(fā)出新款4.5-kV雙柵極反向傳導注入增強型柵極晶體管(RC-IEGT)。經(jīng)測試證實,相比于傳統(tǒng)單柵極結(jié)構(gòu),該產(chǎn)品在導通關(guān)斷時的總功耗(開關(guān)損耗)可降低24%。

功率器件是供電和管理電源的組件,對于降低各種電子設(shè)備功耗和實現(xiàn)碳中和社會至關(guān)重要。在全球脫碳和節(jié)能的趨勢下,IEGT被廣泛用于大功率逆變器高壓直流輸電等需要大電流、高能效,以及更低功率損耗的應用。但由于在IEGT開啟時降低損耗(導通損耗)會增加開關(guān)損耗,因此很難降低IEGT功耗。

此次東芝開發(fā)的全新器件是一種4.5kV雙柵極RC-IEGT,其利用空穴控制柵極(CG)與主柵極(MG)分離。與單柵極器件中的反向恢復相比,這種方法通過在關(guān)斷和注入之前控制空穴提取來降低損耗。在IEGT模式下,電流從基板的背面流向正面,CG關(guān)斷之后MG關(guān)斷,減少了基板中累積的空穴,同時降低了關(guān)斷損耗。在二極管模式下,電流從基板正面流向背面,MG和CG在反向恢復之前同時導通,減少了基板中累積的電子,降低了反向恢復損耗。

新開發(fā)的雙柵極RC-IEGT結(jié)合柵極控制技術(shù),關(guān)斷和導通損耗分別比傳統(tǒng)單柵極結(jié)構(gòu)降低24%和18%,反向恢復損耗降低32%。因此在實際測量值中,總開關(guān)損耗降低24%,而導通損耗沒有任何增加。

審核編輯:彭靜
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