在芯片的納米世界中,多晶硅(Polycrystalline Silicon,簡稱Poly-Si) 。這種由無數(shù)微小硅晶粒組成的材料,憑借其可調(diào)的電學(xué)性能與卓越的工藝兼容性,成為半導(dǎo)體制造中不可或缺的“多面手”。
發(fā)表于 07-08 09:48
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隧穿氧化層鈍化接觸(TOPCon)技術(shù)作為當(dāng)前太陽能電池領(lǐng)域的核心技術(shù)之一,憑借其優(yōu)異的背面鈍化性能,在工業(yè)生產(chǎn)中實現(xiàn)了廣泛應(yīng)用。然而,多晶硅薄膜材料固有的窄帶隙和高吸收系數(shù)特性,導(dǎo)致其在
發(fā)表于 06-23 09:03
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本文介紹了在多晶硅鑄造工藝中碳和氮雜質(zhì)的來源、分布、存在形式以及降低雜質(zhì)的方法。
發(fā)表于 04-15 10:27
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本文圍繞單晶硅、多晶硅與非晶硅三種形態(tài)的結(jié)構(gòu)特征、沉積技術(shù)及其工藝參數(shù)展開介紹,重點解析LPCVD方法在多晶硅制備中的優(yōu)勢與挑戰(zhàn),并結(jié)合不同工藝條件對
發(fā)表于 04-09 16:19
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多晶硅(Polycrystalline Silicon,簡稱Poly)是由無數(shù)微小硅晶粒組成的非單晶硅材料。與單晶硅(如
發(fā)表于 04-08 15:53
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本文介紹了多晶硅作為晶體管的柵極摻雜的原理和必要性。
發(fā)表于 04-02 09:22
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鑄錠澆注法是較早出現(xiàn)的一種技術(shù),該方法先將硅料置于熔煉坩堝中加熱熔化,隨后利用翻轉(zhuǎn)機械將其注入模具內(nèi)結(jié)晶凝固,最初主要用于生產(chǎn)等軸多晶硅。近年來,為提升多晶硅電池轉(zhuǎn)換效率,通過控制模具中熔體凝固過程的溫度,創(chuàng)造定向散熱條件,從而
發(fā)表于 03-13 14:41
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。在動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)芯片的制造過程中,由多晶硅 - 鎢硅化物構(gòu)成的疊合型薄膜被廣泛應(yīng)用于柵極、局部連線以及單元連線等關(guān)鍵部位。 傳統(tǒng)的高溫爐多晶硅沉積和化學(xué)氣相沉積(CVD)鎢硅化物工藝,在進行鎢硅化物沉積之
發(fā)表于 02-11 09:19
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在全球積極推動清潔能源轉(zhuǎn)型的大背景下,太陽能光伏產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展,而多晶硅作為光伏產(chǎn)業(yè)鏈的關(guān)鍵起始原料,其質(zhì)量和性能直接關(guān)系到整個光伏系統(tǒng)的發(fā)電效率和穩(wěn)定性。因此,了解并嚴格把控多晶硅的存儲條件顯得尤為重要。
發(fā)表于 12-27 09:22
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1. 美國宣布提高中國太陽能硅片、多晶硅關(guān)稅至50% 2025 年1 月1 日生效 ? 美國拜登政府周三(12月11日)宣布,將增加對中國太陽能硅片和多晶硅、鎢產(chǎn)品的進口關(guān)稅,作為其保護本國清潔
發(fā)表于 12-12 10:09
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? ? ? ?多晶硅還原爐內(nèi),硅芯起著至關(guān)重要的作用。?? 在多晶硅的生長過程中,硅芯的表面會逐漸被新沉積的硅層所覆蓋,形成
發(fā)表于 11-14 11:27
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與亞微米工藝類似,多晶硅柵工藝是指形成 MOS器件的多晶硅柵極,柵極的作用是控制器件的關(guān)閉或者導(dǎo)通。淀積的多晶硅是未摻雜的,它是通過后續(xù)的源漏離子注入進行摻雜,PMOS 的柵是p型摻雜
發(fā)表于 11-07 08:58
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光伏多晶硅是太陽能光伏產(chǎn)業(yè)中的關(guān)鍵材料,它在太陽能電池的生產(chǎn)中扮演著重要角色。多晶硅太陽能電池因其成本相對較低、制造工藝成熟、穩(wěn)定性好等特點,在光伏市場中占有重要地位。 1. 住宅和商業(yè)建筑 1.1
發(fā)表于 09-20 11:33
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光伏多晶硅是一種用于制造太陽能電池的材料,其分片過程是將整塊的多晶硅切割成適合制造太陽能電池的小塊。這個過程對于提高太陽能電池的效率和降低成本至關(guān)重要。以下是一篇關(guān)于光伏多晶硅分片方法
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當(dāng)柵與襯底之間存在壓差時,它們之間存在電場,靜電邊界條件使多晶硅靠近氧化層界面附近的能帶發(fā)生彎曲,并且電荷耗盡,從而形成多晶硅柵耗盡區(qū)。該耗盡區(qū)會在多晶硅柵與柵氧化層之間產(chǎn)生一個額外的串聯(lián)電容。當(dāng)柵氧化層厚度減小到 2nm 以下
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