臺積電2nm芯片預計將于2025年實現(xiàn)量產(chǎn)
臺積電在北美技術(shù)論壇上公開了未來先進制程的信息，其3nm芯片將于2022年內(nèi)量產(chǎn)，而首次采用GAAFET全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)的2nm制程工藝芯片，預計將于2025年實現(xiàn)量產(chǎn)。
臺積電2nm芯片于3nm相比，性能提升速度快 10-15%，功耗降低25%-30%，密度增加了1.1倍以上，2nm工藝采用新納米片晶體管結(jié)構(gòu)，而不是鰭式場效應晶體管結(jié)構(gòu)，GAAFET技術(shù)可減少漏電損耗，降低功耗。
臺積電或?qū)⒔ǔ?座12英寸晶圓廠，用于制造2nm芯片，該新工藝未來將廣泛應用于各種移動SoC、高性能CPU和GPU等領(lǐng)域。
綜合整理自貝果財經(jīng)、IT之家
審核編輯：湯梓紅
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