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瑞能半導(dǎo)體最新推出1700V SiC MOSFET產(chǎn)品

瑞能半導(dǎo)體 ? 來源:瑞能半導(dǎo)體 ? 作者:瑞能半導(dǎo)體 ? 2022-09-07 14:33 ? 次閱讀
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9月6日,瑞能半導(dǎo)體CEO Markus Mosen先生受邀出席了在上海盛大舉辦的第九屆中國國際半導(dǎo)體高管峰會(以下簡稱:CISES)。在CISES上,Markus Mosen先生發(fā)表了《新一代碳化硅MOSFET,正在打造更加綠色的未來》的主題演講,聚焦在“雙碳”背景的驅(qū)動(dòng)下,碳化硅產(chǎn)業(yè)充滿的機(jī)遇和前景,重點(diǎn)結(jié)合了最新推出的1700V SiC MOSFET產(chǎn)品的效率優(yōu)勢,詳解了瑞能半導(dǎo)體在應(yīng)用領(lǐng)域的建樹。

作為全球規(guī)模最大的半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)年度盛會之一,CISES聚焦行業(yè)發(fā)展新動(dòng)態(tài)、新趨勢、新產(chǎn)品,致力于為業(yè)界高端決策者提供國際性合作交流平臺。

目前,全球推進(jìn)“雙碳”目標(biāo),緩解日益嚴(yán)重的溫室效應(yīng)的過程將帶來更多清潔能源發(fā)電、新能源汽車、充電樁和儲能等全新的需求。顯而易見,功率半導(dǎo)體會成為綠色能源和高效負(fù)載能源網(wǎng)絡(luò)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力。根據(jù) Yole 預(yù)測,全球功率半導(dǎo)體器件市場將有望從 2020 年的75 億美元增長至 2026 年 的 262 億美元,年均復(fù)合增長率為 6.9%。

瑞能半導(dǎo)體CEO

以新能源汽車應(yīng)用場景為例,隨著推出更多更好的基于碳化硅的解決方案,綠色未來會近在眼前。新能源汽車廠商可以通過采用基于碳化硅產(chǎn)品的解決方案,大幅提高整車性能,優(yōu)化整車架構(gòu),使新能源汽車可以具有更低的成本、更長的續(xù)航里程、更高的功率密度。

相比于硅基高壓器件,碳化硅開關(guān)器件擁有更小的導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗。碳化硅MOSFET產(chǎn)品采用更多創(chuàng)新結(jié)構(gòu)和領(lǐng)先工藝,憑借“耐高壓”、“耐高溫”和“高頻”的特點(diǎn),為高壓高頻應(yīng)用提供了更簡單,成本更低的解決方案,從而實(shí)現(xiàn)更好的用電效率。今天,這些碳化硅功率器件正在幫助新能源汽車達(dá)到更高的續(xù)航里程,實(shí)現(xiàn)更快的充電速度,并且進(jìn)一步降低車身重量,實(shí)現(xiàn)更明顯的效率優(yōu)勢。

需要強(qiáng)調(diào)的是,新一代碳化硅MOSFET在系統(tǒng)效能上也有不俗的表現(xiàn)。據(jù)專業(yè)研究數(shù)據(jù),使用完整的碳化硅模塊能夠使電池重量減小2kg。隨著工作頻率和溫度的提高,對無源元件和散熱的需求也在降低,這可以顯著提高系統(tǒng)效率并減少主驅(qū)逆變器的尺寸。經(jīng)過實(shí)驗(yàn),整體的碳化硅電源模塊可減少44%的功率損耗,同時(shí)減少80%的開關(guān)損失。

數(shù)據(jù)顯示,2022年上半年,全球新能源汽車銷量超過422萬輛,同比增長66.38%,再創(chuàng)新高。其中,中國新能源汽車銷量達(dá)到260萬輛,占全球銷量六成以上,市場滲透率超21.6%。受益于新能源汽車景氣應(yīng)用的驅(qū)動(dòng),全球碳化硅功率器件市場的規(guī)模會持續(xù)擴(kuò)大。

Markus Mosen先生表示,新能源汽車是碳化硅功率器件的主要應(yīng)用場景,尤其是碳化硅 MOSFET 憑借更高的逆變器效率、更小的系統(tǒng)尺寸、更低的系統(tǒng)成本,有望對傳統(tǒng)的硅基器件加速替代。瑞能半導(dǎo)體從未放慢過技術(shù)研發(fā)的步伐,通過不斷加碼技術(shù)創(chuàng)新,保證了產(chǎn)品的競爭優(yōu)勢,同時(shí)源源不斷地推出迭代產(chǎn)品,賦能產(chǎn)品和品牌價(jià)值。

迄今,瑞能半導(dǎo)體全球客戶超過2000家。作為行業(yè)領(lǐng)先功率半導(dǎo)體廠商,瑞能半導(dǎo)體始終以市場需求和客戶利益為中心。未來,瑞能半導(dǎo)體將一如既往提供可靠的,創(chuàng)新的和廣泛的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合,使客戶在終端應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)最佳效率。

審核編輯:彭靜
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原文標(biāo)題:瑞能半導(dǎo)體以效率優(yōu)勢探索,憑新一代碳化硅MOSFET定義性能新高度

文章出處:【微信號:weensemi,微信公眾號:瑞能半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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