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第三代半導(dǎo)體中的明星元器件產(chǎn)品

得捷電子DigiKey ? 來源:得捷電子DigiKey ? 作者:得捷電子DigiKey ? 2022-09-22 09:48 ? 次閱讀
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近年來,「第三代半導(dǎo)體」這個(gè)名詞頻頻進(jìn)入我們的視野。尤其近年來「第三代半導(dǎo)體」在電動(dòng)車、充電樁、高功率適配器等應(yīng)用中的爆發(fā)式增長(zhǎng),使得其越來越貼近我們的生活。

業(yè)界一般把禁帶寬度(Eg)大于或等于2.3eV的半導(dǎo)體材料稱之為寬帶隙半導(dǎo)體(Wide Band Gap Semiconductors)材料,也稱「第三代半導(dǎo)體」材料。相比較以Si(硅)、Ge(鍺)為代表的第一代半導(dǎo)體,「第三代半導(dǎo)體」可以承受更高功率、更高頻率,并且擁有更優(yōu)異的散熱性。

近年來,特別是在全球變暖的大環(huán)境下,低碳減排已然是大勢(shì)所趨,與此同時(shí),5G通訊技術(shù)趨于成熟,而電動(dòng)車、數(shù)據(jù)中心與能源應(yīng)用也在大量落地和全面鋪開,這使得以GaN(氮化鎵)、SiC(碳化硅)為代表的「第三代半導(dǎo)體」已經(jīng)開始在很多行業(yè)逐漸嶄露頭角。

其中,GaN(氮化鎵)主要應(yīng)用于光電器件微波射頻器件,諸如4G / LTE基站的RF包絡(luò)跟蹤、自動(dòng)駕駛汽車、機(jī)器人、無人機(jī)和安全系統(tǒng)的光檢測(cè)和測(cè)距(激光雷達(dá))系統(tǒng)等應(yīng)用,這些都是能夠充分發(fā)揮高速GaN(氮化鎵)器件性能優(yōu)勢(shì)的應(yīng)用場(chǎng)景。與此同時(shí),SiC(碳化硅)在高功率、高電壓電力電子應(yīng)用上性能優(yōu)異,能提供更高效率的電源轉(zhuǎn)換能力,帶來更好的節(jié)能效果,有望部分取代原本以硅為基礎(chǔ)的功率元件,其主要用途包括變頻、整流、變壓、功率放大、通訊、消費(fèi)電子、新能源交通等領(lǐng)域,特別是在延長(zhǎng)電動(dòng)車電池的續(xù)航力,被給予厚望。

既然第三代半導(dǎo)體的性能優(yōu)勢(shì)這么突出,那么你想不想認(rèn)識(shí)一些第三代半導(dǎo)體中的明星元器件產(chǎn)品?在本期視頻中,我們就跟著達(dá)爾聞妮姐來結(jié)識(shí)幾款——

看完了視頻,我們現(xiàn)在將視頻中介紹的幾款元器件及其相關(guān)技術(shù)資源總結(jié)如下,供大家參考:

LMG3410R050RWHT

具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的600V 50mΩ氮化鎵MOSFET

LMG341xR050 氮化鎵功率級(jí)具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能,可讓設(shè)計(jì)人員在電力電子系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。LMG341x 的固有優(yōu)勢(shì)超越了硅MOSFET,包括超低輸入和輸出電容值、可將開關(guān)損耗降低80%的零反向恢復(fù)特性,以及可降低 EMI 的低開關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴。這些優(yōu)勢(shì)特性使得該器件可支持諸如圖騰柱 PFC 之類的高功率密度、高效率拓?fù)洹?/p>

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Digi-Key零件編號(hào): 296-LMG3410R050RWHTTR-ND -卷帶(TR) 296-LMG3410R050RWHTCT-ND -剪切帶(CT) 296-LMG3410R050RWHTDKR-ND -Digi-Reel得捷定制卷帶

MASTERGAN1

高功率密度600V雙增強(qiáng)模式氮化鎵HEMT半橋驅(qū)動(dòng)器

MASTERGAN1 是一款先進(jìn)的系統(tǒng)級(jí)功率封裝,在半橋配置中集成了柵極驅(qū)動(dòng)器和兩個(gè)增強(qiáng)模式 GaN 晶體管。集成功率 GaN 具有150mΩ的 RDS(ON)和650V漏源擊穿電壓,而嵌入式柵極驅(qū)動(dòng)器的高側(cè)可由集成式自舉二極管輕松提供。

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ST官網(wǎng)資料鏈接

Digi-Key零件編號(hào): 497-MASTERGAN1-ND

GAN041-650WSB

650V,35mΩ氮化鎵MOSFET,TO-247封裝

GAN041-650WSB 是一款650V,35mΩ TO-247封裝氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管。結(jié)合Nexperia最新的高壓 GaN HEMT H2 技術(shù)和低壓硅MOSFET技術(shù),可提供卓越的可靠性和性能。

Digi-Key在線購買鏈接

Nexperia官網(wǎng)資料鏈接

Digi-Key零件編號(hào): 1727-GAN041-650WSBQ-ND

NTH4L040N120SC1

碳化硅MOSFET,N溝道,1200V,40mΩ,TO247?4L封裝

NTH4L040N120SC1碳化硅(SiC)MOSFET采用了一種全新技術(shù),與硅器件相比,它提供了優(yōu)越的開關(guān)性能和更高的可靠性。此外,低ON阻值和緊湊的芯片尺寸確保低電容和柵電荷。因此,該器件的應(yīng)用可以為系統(tǒng)設(shè)計(jì)帶來諸多好處,包括更高的效率、更快的工作頻率、更大功率密度、減少 EMI ,以及減小產(chǎn)品尺寸。

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Onsemi官網(wǎng)資料鏈接

Digi-Key零件編號(hào): 488-NTH4L040N120SC1-ND

E3M0280090D

碳化硅功率MOSFET,E系列汽車級(jí)N溝道增強(qiáng)型產(chǎn)品

Wolfspeed 公司發(fā)布了全新的E系列產(chǎn)品,這是一個(gè)強(qiáng)大的 SiC 半導(dǎo)體器件家族,用于電動(dòng)汽車(EV)和可再生能源市場(chǎng),為車載汽車電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)、車載充電、太陽能逆變器和其他戶外應(yīng)用提供最高的可用功率密度和耐用性。

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Wolfspeed官網(wǎng)資料鏈接

Digi-Key零件編號(hào): E3M0280090D-ND

審核編輯:湯梓紅

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原文標(biāo)題:第三代半導(dǎo)體不斷升溫,幾款當(dāng)紅明星產(chǎn)品來認(rèn)識(shí)一下!

文章出處:【微信號(hào):得捷電子DigiKey,微信公眾號(hào):得捷電子DigiKey】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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