01、產(chǎn)品特點(diǎn)

低導(dǎo)通電阻：RDS(ON)≤1.4Ω(VGS=10V)

低柵極電荷:Qg=30nc(Typ)

低輸入結(jié)電容：Ciss=1400PF

快速開關(guān)特性：T(on)~T(off) ≤400ns

100%雪崩測(cè)試

02、應(yīng)用方案

MDD推出的MDD7N65D這款功率MOSFET，采用VDMOS芯片技術(shù)，具有高耐壓、驅(qū)動(dòng)功率小、導(dǎo)通電阻低、卓越的開關(guān)特性和電容特性，可滿足應(yīng)用中各種頻率、能效要求、EMI要求，廣泛應(yīng)用于中小功率開關(guān)電源電路中的PFC電路、開關(guān)電路、同步整流電路中，同時(shí)，采用TO-252的貼片封裝技術(shù)，可滿足客戶端SMT自動(dòng)化生產(chǎn)需求，也可減小應(yīng)用端產(chǎn)品設(shè)計(jì)尺寸。因此，在中小功率的適配器、充電器、LED驅(qū)動(dòng)電源等消費(fèi)類電子產(chǎn)品中，均可發(fā)現(xiàn)這款MOSFET的身影。

03、規(guī)格參數(shù)

04、公司簡(jiǎn)介

MDD是國(guó)內(nèi)少數(shù)采用了“Fabless+封裝測(cè)試”模式的半導(dǎo)體品牌，15年的行業(yè)深耕，一直專注于半導(dǎo)體領(lǐng)域。在科技研發(fā)與創(chuàng)新的基礎(chǔ)上，積累了厚實(shí)的研發(fā)設(shè)計(jì)能力，同時(shí)還建立全流程的封裝測(cè)試產(chǎn)線（涵蓋封裝測(cè)試、成品測(cè)試等多項(xiàng)）。為客戶提供MOSFET、SiC、功率二極管及整流橋等高品質(zhì)的半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)品。

MDD致力滿足客戶高品質(zhì)需求，目前產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于汽車電子、新能源、工控、電源、家電、照明、安防、網(wǎng)通、消費(fèi)電子等多個(gè)領(lǐng)域，并具有UL、RoHS、SGS和REACH等多項(xiàng)認(rèn)證，可為客戶提供可靠、優(yōu)質(zhì)和定制化的半導(dǎo)體解決方案商。

自成立以來，MDD 先后在國(guó)內(nèi)外斬獲百余項(xiàng)的專利與榮譽(yù)，業(yè)務(wù)覆蓋全球40多個(gè)國(guó)家，同時(shí)享有國(guó)內(nèi)外各電子領(lǐng)域企業(yè)的良好口碑。

審核編輯：郭婷