在許多周末，我都會(huì)離家出走，在樹(shù)林里的小路上跑。目前，我距離參加 80.5 公里（50 英里）的越野賽還有大約 10 天的時(shí)間。雖然我可以使用我在一周內(nèi)使用的相同跑鞋，但我了解到最好使用最好的工具來(lái)完成這項(xiàng)工作。需要錘子的時(shí)候誰(shuí)會(huì)用螺絲刀？它可能在真正的緊急情況下起作用，但并不理想。當(dāng)我在小徑上跑步時(shí)，我發(fā)現(xiàn)由于地形的變化，我的腳、腿和膝蓋都會(huì)受到?jīng)_擊。因此，我買(mǎi)了一雙備受推崇的越野跑鞋，它可以為越野跑提供最大的緩沖和最小的重量（圖 1）。您可以說(shuō)，當(dāng)我覆蓋新領(lǐng)域時(shí)，我穿的鞋子可以在預(yù)期條件下優(yōu)化我的表現(xiàn)。

就像跑步者選擇正確的鞋子一樣，設(shè)計(jì)工程師不斷嘗試選擇正確的組件并根據(jù)設(shè)定的要求優(yōu)化他們的設(shè)計(jì)。本博客重點(diǎn)介紹Infineon Technologies OptiMOS ? 6 功率 MOSFET如何通過(guò)提供下一代尖端創(chuàng)新和一流的性能來(lái)優(yōu)化 40V 電源設(shè)計(jì)。

跨應(yīng)用程序優(yōu)化

工程師需要能夠讓他們?cè)诟鞣N應(yīng)用程序中運(yùn)行并工作的組件。Infineon 的 OptiMOS 6 功率 MOSFET 就是這樣一種組件。其設(shè)計(jì)采用薄晶圓技術(shù)，可為更高效、更簡(jiǎn)單的設(shè)計(jì)帶來(lái)顯著的性能優(yōu)勢(shì)。OptiMOS 6 功率 MOSFET 針對(duì)開(kāi)關(guān)模式電源 (SMPS) 中的同步整流進(jìn)行了優(yōu)化，例如用于服務(wù)器、臺(tái)式 PC、電信、無(wú)線(xiàn)充電器、快速充電器和 ORing 電路的電源。

在 SMPS 應(yīng)用中，OptiMOS 6 非常適合在較寬的輸出功率范圍內(nèi)優(yōu)化效率，避免在低負(fù)載和高負(fù)載條件之間進(jìn)行權(quán)衡。在低輸出功率范圍內(nèi)，開(kāi)關(guān)損耗主導(dǎo)效率曲線(xiàn)。與相同的 R DS(on) OptiMOS ? 5相比，OptiMOS 6 功率 MOSFET BSC010N04LS6 在此范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)了更高的效率，因?yàn)樗哂谐錾拈_(kāi)關(guān)性能。此外，在更高的輸出功率下，R DS(on)損耗變得更加主要，OptiMOS 6 可以保持優(yōu)勢(shì)，從而在整個(gè)工作范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)更好的性能（圖 2）。

圖 2：OptiMOS 6 40V 結(jié)合了一流的 R DS(on)和卓越的開(kāi)關(guān)性能。（來(lái)源：英飛凌科技）

優(yōu)化規(guī)格

與上一代 OptiMOS 5 相比， OptiMOS 6 可以將 R DS(on)值降低 30%。該系列的品質(zhì)因數(shù) (FOM) 得到改進(jìn)——FOM (Q g x R DS(on) ) 提高了 29%；FOM (Q gd x R DS(on) ) 提高了 46%——使設(shè)計(jì)人員能夠提高效率，從而實(shí)現(xiàn)更直接的熱設(shè)計(jì)。設(shè)計(jì)工程師還可以減少并聯(lián)，從而降低系統(tǒng)成本（圖 3）。

圖 3：OptiMOS 5 與 OptiMOS 6 的 R DS(on)和 FOM 比較。（來(lái)源：英飛凌科技）

優(yōu)化包裝

OptiMOS 6 40V 功率 MOSFET 采用兩個(gè)獨(dú)立的封裝。兩者都專(zhuān)注于以最小的封裝提供最高的效率和電源管理。第一個(gè)封裝是 SuperSO8—5mm x 6mm ( 30mm2 )，R DS(on)范圍為 5.9mΩ 至 0.7mΩ（圖 4）。它具有熱阻 R thJC0.8K/W。第二種封裝是電源四方扁平無(wú)引線(xiàn) (PQFN)，這是一種主要為板載電源應(yīng)用設(shè)計(jì)的表面貼裝半導(dǎo)體技術(shù)。它消除了不必要的封裝元件，這些元件會(huì)導(dǎo)致更高的電感和電阻（熱和電），因此其功率容量超過(guò)了同等尺寸封裝的功率容量。Infineon 的 PQFN 3.3mm x 3.3mm 封裝在緊湊、節(jié)省空間的封裝中提供高效率和電源管理。該封裝提供的 R DS(on)范圍從 6.3mΩ 低至 1.8mΩ，熱阻 R thJC為 3.2K/W（圖 4）。

圖 4：OptiMOS 6 Super SO8 封裝提供 5.9mΩ 低至 0.7mΩ。R DS(on)和 R thJC為 0.8K/W，而 PQFN 封裝提供 6.3mΩ 低至 1.8mΩ。R DS(on)和 R thJC 3.2K/W。（來(lái)源：英飛凌科技）

結(jié)論

Infineon Technologies 的 OptiMOS ? 6 功率 MOSFET 40V 系列提供同類(lèi)領(lǐng)先的尖端功率 MOSFET，可實(shí)現(xiàn)最高功率密度和高能效解決方案。您有能力優(yōu)化您的電源設(shè)計(jì)?，F(xiàn)在出去跑吧。

審核編輯黃昊宇