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R課堂 | 小型低損耗肖特基勢壘二極管“RBR/RBQ系列”的產(chǎn)品陣容進(jìn)一步擴(kuò)大

羅姆半導(dǎo)體集團(tuán) ? 來源:未知 ? 2023-02-03 01:55 ? 次閱讀
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RBR系列:低損耗且效率更高,用更小封裝實現(xiàn)同等性能

ROHM的小型高效率肖特基勢壘二極管(以下簡稱“SBD”)產(chǎn)品在車載設(shè)備、工業(yè)設(shè)備和消費電子設(shè)備等眾多應(yīng)用中擁有出色的應(yīng)用實績,此次,其產(chǎn)品陣容中又新增了12款“RBR系列”產(chǎn)品和12款“RBQ系列”產(chǎn)品。至此,這兩個系列的產(chǎn)品陣容總計已達(dá)178款產(chǎn)品。另外,這兩個系列中均有符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101的產(chǎn)品。

隨著各種應(yīng)用產(chǎn)品對更低損耗的要求提高,與其他二極管相比,正向電壓VF(以下簡稱“VF”)更低的低損耗SBD應(yīng)用越來越廣泛。然而,如果為了降低損耗而降低VF,則具有權(quán)衡關(guān)系的反向電流IR(以下簡稱“IR”)會變大,熱失控的風(fēng)險會增加,因此,在SBD選型過程中,很重要的一點是需要根據(jù)用途和目的對VF特性與IR特性進(jìn)行平衡考量。

ROHM進(jìn)一步增強了滿足VF特性和IR特性平衡需求的SBD產(chǎn)品陣容,并致力于擴(kuò)充支持更大電流、更高電壓和小型化的產(chǎn)品陣容。此次擴(kuò)充產(chǎn)品陣容的RBR系列具有IR得到抑制且VF更低的特點,有助于降低損耗。同樣,RBQ系列通過平衡VF特性和IR特性,可降低熱失控的風(fēng)險。

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下面介紹RBR系列的亮點。

RBR系列的亮點1

具有低VF特性,損耗更低

RBR系列不僅保持了與低VF特性存在權(quán)衡關(guān)系的低IR特性,與相同尺寸的ROHM以往產(chǎn)品相比,VF降低約25%,損耗更低,不僅非常適用于要求更高效率的車載充電器等車載設(shè)備,還非常適用于要求更節(jié)能的筆記本電腦等消費電子設(shè)備。

另外,與同等性能產(chǎn)品相比,RBR系列的芯片尺寸更小,使得ROHM小型封裝的產(chǎn)品陣容得以進(jìn)一步擴(kuò)充。例如,以往3.5mm×1.6mm尺寸(PMDU封裝)的產(chǎn)品,現(xiàn)在可以替換為RBR系列2.5mm×1.3mm尺寸(PMDE封裝)的產(chǎn)品,這樣可以減少約42%的安裝面積。

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RBR系列的亮點2

新增的小型封裝產(chǎn)品有助于進(jìn)一步節(jié)省空間

在RBR系列中,此次新增了12款2.5mm×1.3mm的PMDE封裝產(chǎn)品(消費電子設(shè)備和車載領(lǐng)域各6款)。至此,該系列已經(jīng)擁有140款產(chǎn)品(耐壓:30V/40V/60V,電流:1A~40A),豐富的產(chǎn)品陣容可以滿足節(jié)省空間乃至降低損耗的需求。

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應(yīng)用示例

  • 車載充電器

  • LED前照燈

  • 汽車配件

  • 筆記本電腦

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