一、三管MOS DRAM基本單元電路原理

如果需要讀出數(shù)據(jù)，首先需要給T4加上一個(gè)預(yù)充電信號(hào)，然后VDD給讀數(shù)據(jù)線(xiàn)充電，代表需要讀出的數(shù)據(jù)是“1”，進(jìn)行讀出時(shí)，讀選擇線(xiàn)是高電平。此時(shí)，如果原來(lái)存儲(chǔ)在電容里面的數(shù)據(jù)是“0”，則電容為低電平，不帶電，那么T1并不會(huì)接通。因此此時(shí)存的數(shù)據(jù)是“0”，讀出的數(shù)據(jù)卻是“1”。//相反，如果存的數(shù)據(jù)是“1”，那么T1管就會(huì)接通，T1、T2導(dǎo)通接地，所以此時(shí)讀數(shù)據(jù)線(xiàn)為低電平，讀出的數(shù)據(jù)就是“0”，。這就是“讀出與原存信息相反”，因此需要在讀數(shù)據(jù)線(xiàn)輸出端加一個(gè)與門(mén)。

如果需要寫(xiě)入數(shù)據(jù)，寫(xiě)選擇線(xiàn)為高電平，T3管接通，寫(xiě)數(shù)據(jù)線(xiàn)若是高電平，就會(huì)給Cg充電，寫(xiě)入數(shù)據(jù)“1”，如果寫(xiě)數(shù)據(jù)線(xiàn)是低電平，則Cg會(huì)通過(guò)T3管放電，存入的數(shù)據(jù)是“0”。這就是“寫(xiě)入與輸入信息相同”。

二、單管MOS動(dòng)態(tài)RAM基本單元電路原理

當(dāng)行被選中時(shí)，字線(xiàn)就會(huì)通電。

讀出數(shù)據(jù)時(shí)：如果Cs存儲(chǔ)的是數(shù)據(jù)“1”，那么就會(huì)通過(guò)T給數(shù)據(jù)線(xiàn)放電，使數(shù)據(jù)線(xiàn)產(chǎn)生電流，如果存的是數(shù)據(jù)“0”，則數(shù)據(jù)線(xiàn)會(huì)給CS充電，那么此時(shí)數(shù)據(jù)線(xiàn)內(nèi)部就不會(huì)有電流。

寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)：數(shù)據(jù)線(xiàn)要傳輸?shù)臄?shù)據(jù)如果是“1”，則數(shù)據(jù)線(xiàn)里面會(huì)有電流，就會(huì)通過(guò)T給Cs充電，存入數(shù)據(jù)“1”，數(shù)據(jù)線(xiàn)如果要傳輸?shù)臄?shù)據(jù)是“0”，則數(shù)據(jù)線(xiàn)不帶電，Cs會(huì)立馬向外放電，放電后代表存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是“0”。