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DDR4與DDR5內(nèi)存模塊的主要區(qū)別

ACS 安費(fèi)諾信息通信 ? 來(lái)源:ACS 安費(fèi)諾信息通信 ? 2023-02-07 18:07 ? 次閱讀
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數(shù)據(jù)及其相關(guān)存儲(chǔ)對(duì)于所有計(jì)算應(yīng)用程序都至關(guān)重要,無(wú)論是筆記本電腦、便攜式電腦還是尖端服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心。所有領(lǐng)導(dǎo)智慧城市發(fā)展的現(xiàn)代技術(shù),例如5G物聯(lián)網(wǎng)、工廠自動(dòng)化以及無(wú)人駕駛汽車等,均依賴于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)及數(shù)據(jù)處理。

在數(shù)據(jù)管理方面,內(nèi)存模塊無(wú)疑發(fā)揮著無(wú)可替代的作用。這些集成電路內(nèi)存芯片可安裝在小型電路板上,并采用預(yù)定義的設(shè)計(jì)規(guī)格和功能。工程師們可以根據(jù)這些預(yù)定義的規(guī)格和功能,將內(nèi)存芯片用于各類應(yīng)用場(chǎng)景。在標(biāo)準(zhǔn)定義的范圍內(nèi),內(nèi)存模塊一直在不斷更新迭代。

與此同時(shí),內(nèi)存模塊也廣泛用于各種數(shù)據(jù)設(shè)備和通信設(shè)備,例如個(gè)人電腦、筆記本電腦、平板電腦,以及數(shù)據(jù)中心、網(wǎng)絡(luò)連接儲(chǔ)存(Network-Attached Storage,NAS)設(shè)備和工業(yè)計(jì)算機(jī)等。

DDR4與DDR5主要區(qū)別

DDR5采用當(dāng)今前沿和先進(jìn)的規(guī)格標(biāo)準(zhǔn),可滿足AI機(jī)器學(xué)習(xí)以及頂級(jí)數(shù)據(jù)中心和云環(huán)境對(duì)高性能計(jì)算不斷增長(zhǎng)的需求。我們的DDR5連接器主要針對(duì)高密度和高速連接場(chǎng)景,嚴(yán)格符合JEDEC SO-024和JEDEC MO-337規(guī)范。

DDR5連接器

DDR4內(nèi)存模塊旨在支持在各類現(xiàn)代應(yīng)用場(chǎng)景中輕松擴(kuò)展內(nèi)存,包括服務(wù)器、工作站和臺(tái)式計(jì)算機(jī),以及通信和工業(yè)設(shè)備中的嵌入式應(yīng)用。JEDEC稱DDR4在速度及性能規(guī)格方面均屬歷來(lái)之最,直到其下一代DDR5橫空出世。

DDR4內(nèi)存模塊

除此之外,DDR4和DDR5在間距尺寸、接觸位置及插槽尺寸方面相差不大。

DDR5最新規(guī)格的鍵槽寬度為3.875毫米,同DDR4相比(5.575毫米)略有差別。就插槽尺寸而言,DDR5的長(zhǎng)寬均發(fā)生了明顯變化,分別為133.75+0.30/-0.10毫米和1.45+0.05/-0.07毫米,而DDR4的長(zhǎng)寬分別為133.75+/-0.10毫米和1.58+0.05/-0.07毫米。

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圖1和表1:DDR5內(nèi)存模塊和DDR4內(nèi)存模塊之間的對(duì)比

安費(fèi)諾垂直0.85毫米間距DDR5 DIMM插槽提供288個(gè)觸點(diǎn),專用于插接符合JEDEC MO-329標(biāo)準(zhǔn)的DDR5內(nèi)存模塊。安費(fèi)諾DDR5產(chǎn)品還包括標(biāo)準(zhǔn)版和窄插銷版。由于DIMM插槽需要并排放置,因此窄插銷版產(chǎn)品有助于增加空氣流通。

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安費(fèi)諾DDR5 SO-DIMM連接器具有262個(gè)觸點(diǎn),工作電壓為1.1伏,傳輸速度為6.4Gb每秒,而DDR4 SO-DIMM連接器具有260個(gè)觸點(diǎn),工作電壓為1.2伏,傳輸速度為3.2Gb每秒,相比之下得到了明顯提升。

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表2:DDR5 SODIMM內(nèi)存模塊和DDR4 SODIMM內(nèi)存模塊的對(duì)比

此外,DDR5 SODIMM連接器對(duì)座深和鍵槽寬度也做了改進(jìn),分別為3.95毫米和1.25毫米,而DDR4分別為3.90毫米和3.50毫米。

DDR4和DDR5均具有低功耗性能,并能有效地改善熱管理。不同的鍵控位置有助于確保準(zhǔn)確配接連接器,從而防止發(fā)生錯(cuò)配。

總而言之,這兩款不同規(guī)格的連接器之間最大的區(qū)別無(wú)疑是數(shù)據(jù)傳輸速度得到了大幅提升。在單端插針排布模式下,DDR5支持高達(dá)6.4Gb/s的數(shù)據(jù)速率,是DDR4數(shù)據(jù)速率(3.2Gb/s)的兩倍。

安費(fèi)諾DDR4內(nèi)存模塊符合JEDEC MO-309標(biāo)準(zhǔn),此外還符合新的JEDEC POD12接口標(biāo)準(zhǔn)。這些連接器具有更小間距和更低工作電壓,因此有助于降低功耗。DDR4連接器對(duì)產(chǎn)品寬度及各類插針尾端長(zhǎng)度均進(jìn)行了縮減,因此適用于各種應(yīng)用設(shè)計(jì),可支持UDIMM、RDIMM和LRDIMM規(guī)格等多種變體形式的內(nèi)存模塊,并能節(jié)省板上空間。DDR4連接器還提供超薄型(Ultra Low Profile,ULP)版本,該版本具有1.1毫米的超低模塊座深,以及13.1毫米的超低連接器高度。

查看符合您設(shè)計(jì)需求的先進(jìn)內(nèi)存模塊解決方案。

審核編輯:湯梓紅

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原文標(biāo)題:存儲(chǔ)模塊連接器升級(jí) | DDR4與DDR5性能PK

文章出處:【微信號(hào):Amphenol ICC,微信公眾號(hào):ACS 安費(fèi)諾信息通信】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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