在重負(fù)載時，如果MOSFET的體二極管的反向恢復(fù)時間t_rr較長，且有電流殘留，則在超前臂的MOSFET關(guān)斷時，寄生雙極晶體管可能會誤導(dǎo)通，從而損壞MOSFET。這種問題發(fā)生在由關(guān)斷時產(chǎn)生的對漏源電容C_DS的充電電流而使寄生雙極晶體管自發(fā)地導(dǎo)通（誤導(dǎo)通）、瞬間流過大電流時。 在逆變器電路等電路中，在正向電流流過MOSFET的體二極管的狀態(tài)下，通過施加高反向偏置電壓，強(qiáng)制使體二極管中的電荷（Q_rr）被快速釋放。這種放電所需時間為t_rr，因此最終會導(dǎo)致t_rr變短。 而在PSFB電路中，在反向恢復(fù)期間施加到體二極管的偏置電壓幾乎為0V，這會使電荷釋放速度變慢，最終導(dǎo)致t_rr變長。下圖為超前臂MOSFET的V_DS、I_D和反向恢復(fù)電流示意圖。 當(dāng)t_rr變長時，反向恢復(fù)所產(chǎn)生的電流會發(fā)生變化，如圖中紅色虛線所示。也就是說，當(dāng)關(guān)斷時，MOSFET中有電荷殘存，這使得電流更容易流動，使寄生雙極晶體管更容易誤導(dǎo)通。

因此，在PSFB電路中，需要使用t_rr小的MOSFET。簡言之，t_rr越小越有效。市場上有一些低t_rr的快速恢復(fù)SJ MOSFET，但制造商和產(chǎn)品系列不同，t_rr及其相關(guān)參數(shù)也存在差異，因此，在選擇時需要進(jìn)行充分確認(rèn)。 即使是滯后臂的MOSFET，在關(guān)斷時也可能引起寄生雙極晶體管的誤導(dǎo)通。但是，正如通過PSFB電路的工作所解釋說明的，由于與超前臂相比，I_D為正的時間段較長，因此不容易受到t_rr的影響，滯后臂不容易因寄生雙極晶體管的誤導(dǎo)通而導(dǎo)致MOSFET損壞。與超前臂一樣，這里也給出了反向恢復(fù)電流的示意圖。