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65W-1A2C接口氮化鎵(GaN)充電頭

御風(fēng)傳感 ? 來源:御風(fēng)傳感 ? 作者:御風(fēng)傳感 ? 2023-02-24 09:01 ? 次閱讀
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2023年數(shù)碼圈中說較多的莫過于是氮化鎵(GAN)充電頭。氮化鎵+充電頭+65w究竟會產(chǎn)生怎樣的火花呢?單口充電頭和多口充電頭能解決什么問題呢?不同品牌手機究竟怎樣才能選擇好適合自己使用的充電器呢?

氮化鎵是一種寬能隙材料,它能夠提供與碳化硅(SiC)相似的性能優(yōu)勢,但降低成本的可能性卻更大。業(yè)界認為,在未來數(shù)年間,氮化鎵功率器件的成本可望壓低到和硅MOSFET、IGBT及整流器同等價格。

充電頭的工作原理:是將220v交流電轉(zhuǎn)化為直流電,在通過變頻的方式,將220V交流電變?yōu)?v直流電,從而為手機充電。上一代的充電頭材料是SI材料,現(xiàn)在更換為GAN材料。所以,氮化鎵充電頭,只是把以前的SI材料的充電頭中的SI材料,換為GAN。

因為現(xiàn)在科技更新越來越快,對于手機的依賴越來越高,同時電池的容量也越來越大,對于快速充電的需求也明顯加大,所以對于尋求新材料應(yīng)對如今快速充電也是急需面臨的事情。

氮化鎵功率器優(yōu)勢:

一、功率性比硅高900倍

二、易散熱、體積小、損耗小、功率大

三、耐高溫、開關(guān)快、電阻低、耐高壓

氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢,并可與成本極低、技術(shù)成熟度極高的硅基半導(dǎo)體集成電路工藝相兼容,在新一代高效率、小尺寸的電力轉(zhuǎn)換與管理系統(tǒng)、手機充電頭、電動機車、工業(yè)電機等領(lǐng)域具有巨大的發(fā)展?jié)摿Α?/p>

推薦一款來自臺灣美祿的快充電源設(shè)計方案,本電源模塊是65W1A2C界面,其輸出電壓由協(xié)議IC可以控制5V/3A, 9V/3A, 15V/3A, 20V/3.25A等電壓輸出,使用QR/DCM反馳式電路架構(gòu)于輸出20V重載時可達91.62%效率及功率密度可達1.5W/cm3,本系統(tǒng)采用同系列控制單晶片:QR一 次 側(cè) 控 制 IC 驅(qū) 動 MTC D-mode GaN FET(MGZ31N65-650V)、二次側(cè)同步整流控制IC及PD3.0協(xié)議IC)可達到較佳匹配。

本報告內(nèi)容包括65W1A2C電氣規(guī)格、線路圖、BOM、主變壓器設(shè)計參數(shù)、線路布局,然后是效能量測及EMI測試結(jié)果。

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描述

優(yōu)勢:

返馳式谷底偵測減少開關(guān)損失

輕載Burst Mode增加效率

較佳效能可達91%

空載損耗低于50mW

控制IC可支持頻率高達160 kHz

系統(tǒng)頻率有Jitter降低EMI干擾

控制IC可直接驅(qū)動GaN

進階保護功能如下:

(1) VDD過電壓及欠電壓保護

(2) 導(dǎo)通時較大峰值電流保護

(3) 輸出過電壓保護

(4) 輸出短路保護

(5)可輸出65W功率

審核編輯:湯梓紅

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