正負端5V2.4A同步整流ic U7711特點分析

近期ChatGPT持續(xù)更新?lián)Q代，其背后也帶動算力需求提升，從而帶動AI服務(wù)器需求量上漲，而AI服務(wù)器核心依托高性能芯片，因此芯片板塊近期連續(xù)6個工作日收漲。

正負端5V2.4A同步整流ic U7711是一款用于替代反激變換器中副邊肖特基二極管的高性能同步整流功率開關(guān)，內(nèi)置超低導通阻抗功率 MOSFET 以提升系統(tǒng)效率。

U7711支持“浮地”和“共地”同步整流兩種架構(gòu)，同時支持系統(tǒng)斷續(xù)工作模式 (DCM) 和準諧振工作模式 (QR)。

U7711

正負端5V2.4A同步整流ic U7711主要特點：

▲反激拓撲副邊同步整流功率開關(guān)

▲支持“浮地”和“共地”同步整流兩種拓撲

▲支持斷續(xù)工作模式 (DCM) 和準諧振工作模式(QR)

▲<300uA 超低靜態(tài)電流

▲內(nèi)置 VDD 高壓供電模塊，無需VDD輔助繞組供電

▲內(nèi)置 40V 功率 MOSFET

▲內(nèi)部集成保護：VDD 欠壓保護 (UVLO)、VDD 電壓鉗位 (>5mA 鉗位電流)

▲封裝信息 SOP-8

在原邊MOSFET導通期間，正負端5V2.4A同步整流ic U7711內(nèi)部7.1V穩(wěn)壓器將從其Drain管腳抽取電流向VDD供電，以使VDD電壓恒定在7.1V左右。

基于高頻解耦和供電考慮，推薦選取容量為1uF的陶瓷電容作為VDD電容。

同步整流ic U7711引腳名稱如下：

1/2/3 GND P IC 參考地，同時也是內(nèi)部功率 MOSFET 的源極

4 P IC VDD供電腳，推薦使用 0.1uF 瓷片電容

5/6/7/8 Drain I 內(nèi)置功率 MOSFET 漏極

U7711

系統(tǒng)開機以后，正負端5V2.4A同步整流ic U7711內(nèi)部高壓LDO從Drain管腳抽取電流向VDD電容供電。

當VDD電壓低于欠壓保護閾值后（3.1V 典型值），芯片進入睡眠模式，同時內(nèi)部同步整流MOSFET進入關(guān)斷狀態(tài)，副邊繞組電流經(jīng)內(nèi)部同步整流MOSFET的體二極管實現(xiàn)續(xù)流。

當VDD電壓高于VDD開啟電壓后（4V 典型值），芯片開始工作。芯片內(nèi)部同步整流MOSFET只在副邊續(xù)流期間才能開通。

審核編輯：劉清