作為提供不間斷連接的關鍵，許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導體技術來提高能效和功率密度。

氮化鎵技術，通常稱為 GaN，是一種寬帶隙半導體材料，越來越多地用于高電壓應用。這些應用需要具有更大功率密度、更高能效、更高開關頻率、更出色熱管理和更小尺寸的電源。除了數(shù)據(jù)中心，這些應用還包括 HVAC 系統(tǒng)、通信電源、光伏逆變器和筆記本電腦充電電源。

德州儀器 GaN 產(chǎn)品線負責人 David Snook 表示：“氮化鎵是提高功率密度和提高多種應用中電源系統(tǒng)和電源效率的關鍵一步。在設計中使用 GaN 的公司數(shù)量正在迅速增長。降低功耗和提高效率至關重要?！?/p>

在過去 60 多年里，硅一直是半導體電源管理元件的基礎，這些元件將交流 (AC) 轉換為直流 (DC)，然后根據(jù)各種應用需求將直流電壓輸入進行轉換，從手機到工業(yè)機器人，不一而足。隨著元件的改進和優(yōu)化，硅的物理特性已得到充分應用。如今，在不增加尺寸的前提下，硅已無法在所需的頻率下提供更高功率。

因此，在過去十年間，許多電路設計人員轉向采用 GaN，以便在更小的空間里實現(xiàn)更高功率。許多設計人員對于該技術將在未來創(chuàng)新中發(fā)揮的潛能充滿信心，主要歸因于以下三點：

原因 1：GaN 已取得發(fā)展

做為半導體應用，盡管 GaN 相對于硅來說較新，但已經(jīng)發(fā)展了多年并具有一定可靠性。德州儀器 GaN 芯片通過了 4,000 萬小時以上的可靠性測試。即使在數(shù)據(jù)中心等要求嚴苛的應用中，其有效性也顯而易見。

David 表示：“隨著消費者和企業(yè)對人工智能、云計算和工業(yè)自動化等應用的數(shù)據(jù)量的需求不斷增長，全球范圍內(nèi)需要越來越多的數(shù)據(jù)中心。要使數(shù)據(jù)中心在不會過量增加能耗的前提下上線，需要實現(xiàn)更高效的服務器電源，而 GaN 是實現(xiàn)這類電源的關鍵技術。”

原因 2：使用 GaN 的系統(tǒng)級設計可節(jié)省成本

盡管現(xiàn)在按芯片級別比較，GaN 比硅昂貴，但 GaN 所帶來的整個系統(tǒng)的成本優(yōu)勢、效率和功率密度的提高超過了初始投資的價值。例如，在 100 兆瓦數(shù)據(jù)中心中，使用基于 GaN 的電源管理系統(tǒng)，即使效率增益僅為 0.8%，也能在 10 年間節(jié)約 700 萬美元的能源成本。節(jié)約的能源足夠 80,000 個家庭，也就是大約一個小型城市，使用一年。

德州儀器電源設計服務團隊總經(jīng)理 Robert Taylor 表示：“GaN 技術可在較高頻率下運行，進而可實現(xiàn)一些具有更低物料清單成本的拓撲和架構。得益于較高的運行頻率，工程師還可以在設計中選擇較小型的其他元件。GaN 提供了硅芯片所不支持的拓撲，使得工程師可以靈活優(yōu)化其電源設計。”

原因 3：通過集成提升了性能和易用性

GaN FET 需要專用的柵極驅(qū)動器，這意味著需要額外的設計時間和工作量。不過，德州儀器通過在芯片中集成柵極驅(qū)動器和一些保護功能，簡化了 GaN 設計。

David 表示：“集成驅(qū)動器有助于提高性能并提供更高的功率密度和更高的開關頻率，從而提升效率并降低整體系統(tǒng)尺寸。集成提供巨大的性能優(yōu)勢并使用 GaN 簡化設計，可使設計人員更大程度地利用這項技術的優(yōu)勢。”

性能優(yōu)勢

David 說：“客戶會很高興看到我們的參考設計，比如適用于數(shù)據(jù)中心的 5 千瓦圖騰柱功率因數(shù)校正設計所展示的 GaN 的性能優(yōu)勢。他們一旦認識到可以以更小的解決方案尺寸實現(xiàn)更高的效率，或者以同樣的外形尺寸實現(xiàn)更高的功率水平，這會促使他們轉向使用 GaN?！?/p>

例如，一些模塊化家用空調(diào)設備制造公司采用 GaN 進行設計，將電源效率提高了 5%。

Robert 表示：“從空調(diào)耗能的角度來看，這個數(shù)字意義重大，提高 5% 的效率可以節(jié)省一大筆資金。能用 GaN 器件實現(xiàn)這點真是太棒了?！?/p>

審核編輯：湯梓紅