摘要

本文研究了一種用于5G通信的射頻微系統(tǒng)與天線一體化三維扇出型集成封裝技術(shù). 通過在玻璃晶圓 上使用雙面布線工藝，實(shí)現(xiàn)毫米波天線陣列的制作. 將TSV轉(zhuǎn)接芯片與射頻芯片倒裝焊在玻璃晶圓上，再用樹脂材料 進(jìn)行注塑，將玻璃晶圓與異構(gòu)芯片重構(gòu)成玻璃與樹脂永久鍵合的晶圓. 減薄樹脂晶圓面漏出TSV轉(zhuǎn)接芯片的銅柱，在 樹脂表面上完成再布線. 把控制、電源管理等芯片倒裝焊在再布線形成的焊盤處，植上BGA焊球形成最終封裝體. 利 用毫米波探針臺對射頻傳輸線的損耗進(jìn)行測量，結(jié)果表明，1 mm長的CPW傳輸線射頻傳輸損耗在60 GHz僅為0.6 dB. 在玻璃晶圓上設(shè)計(jì)了一種縫隙耦合天線，天線在59.8 GHz的工作頻率最大增益達(dá)到6 dB. 這為5G通信的射頻微系統(tǒng) 與天線一體化三維扇出型集成提供了一個切實(shí)可行解決方案.

隨著物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代的來臨，傳統(tǒng)的傳感器芯片與存算芯片相分離的架構(gòu)已難以滿足實(shí)際場景的 需求。３Ｄ集成技術(shù)能夠縮短傳感器芯片與存算芯片間的物理距離，實(shí)現(xiàn)功能擴(kuò)展，提升系統(tǒng)能效。晶圓級集成由于對準(zhǔn)精度高和互連密度大，一直是學(xué)界和產(chǎn)業(yè)界的研究熱點(diǎn)。文章對晶圓級集成 技術(shù)中的兩種主流工藝，包括硅通孔和混合鍵合工藝，進(jìn)行了系統(tǒng)性介紹；并結(jié)合國內(nèi)外多個研究 機(jī)構(gòu)的最新進(jìn)展，對其發(fā)展方向進(jìn)行了展望，以實(shí)現(xiàn)適用于感存算一體化芯片的晶圓級集成工藝。

0 引言

本文研究了一種用于5G通信的射頻微系統(tǒng)與天線一體化三維扇出型集成封裝技術(shù). 通過在玻璃晶圓 上使用雙面布線工藝，實(shí)現(xiàn)毫米波天線陣列的制作. 將TSV轉(zhuǎn)接芯片與射頻芯片倒裝焊在玻璃晶圓上，再用樹脂材料 進(jìn)行注塑，將玻璃晶圓與異構(gòu)芯片重構(gòu)成玻璃與樹脂永久鍵合的晶圓. 減薄樹脂晶圓面漏出TSV轉(zhuǎn)接芯片的銅柱，在 樹脂表面上完成再布線. 把控制、電源管理等芯片倒裝焊在再布線形成的焊盤處，植上BGA焊球形成最終封裝體. 利 用毫米波探針臺對射頻傳輸線的損耗進(jìn)行測量，結(jié)果表明，1 mm長的CPW傳輸線射頻傳輸損耗在60 GHz僅為0.6 dB. 在玻璃晶圓上設(shè)計(jì)了一種縫隙耦合天線，天線在59.8 GHz的工作頻率最大增益達(dá)到6 dB. 這為5G通信的射頻微系統(tǒng) 與天線一體化三維扇出型集成提供了一個切實(shí)可行解決方案.

進(jìn)入物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代，各種傳感器終端的數(shù)量呈幾 何倍數(shù)增長，需要對海量的數(shù)據(jù)進(jìn)行處理，來獲取有 用的信息。現(xiàn)有傳感器一般將采集到的信號進(jìn)行壓 縮編碼后，傳輸?shù)皆贫擞?jì)算機(jī)，在云端解壓后，基于 部署在云端的模型實(shí)現(xiàn)信號的進(jìn)一步處理，如目標(biāo) 識別、目標(biāo)檢測等。這種模式需要經(jīng)過壓縮、傳輸、解壓縮、模型計(jì)算等多個步驟，會帶來延時(shí)、隱私安 全、功耗、成本等一系列問題，難以滿足實(shí)際需求。將傳感器芯片與存算一體化芯片進(jìn)行三維集成，可 以大大簡化系統(tǒng)設(shè)計(jì)和信息處理過程，節(jié)省系統(tǒng)功 耗，實(shí)現(xiàn)高性能感存算一體化芯片。

三維集成工藝的好壞會對整個集成單元的電學(xué) 性能、熱學(xué)性能和力學(xué)性能產(chǎn)生影響，直接關(guān)系到最 終產(chǎn)品的成功與否。三維集成主要有晶圓級集成和 芯片間互連兩種技術(shù)路線，晶圓級集成由于其對準(zhǔn) 精度高且互連密度大，成為產(chǎn)業(yè)界和學(xué)界的研究熱 點(diǎn)。目前晶圓級三維集成的主流工藝主要有硅通孔（ｔｈｒｏｕｇｈ－ｓｉｌｉｃｏｎ ｖｉａ，ＴＳＶ）和混合鍵合（ ｈｙｂｒｉｄ ｂｏｎｄ? ｉｎｇ，ＨＢ）兩種。

１硅通孔工藝

本文研究了一種用于5G通信的射頻微系統(tǒng)與天線一體化三維扇出型集成封裝技術(shù). 通過在玻璃晶圓 上使用雙面布線工藝，實(shí)現(xiàn)毫米波天線陣列的制作. 將TSV轉(zhuǎn)接芯片與射頻芯片倒裝焊在玻璃晶圓上，再用樹脂材料 進(jìn)行注塑，將玻璃晶圓與異構(gòu)芯片重構(gòu)成玻璃與樹脂永久鍵合的晶圓. 減薄樹脂晶圓面漏出TSV轉(zhuǎn)接芯片的銅柱，在 樹脂表面上完成再布線. 把控制、電源管理等芯片倒裝焊在再布線形成的焊盤處，植上BGA焊球形成最終封裝體. 利 用毫米波探針臺對射頻傳輸線的損耗進(jìn)行測量，結(jié)果表明，1 mm長的CPW傳輸線射頻傳輸損耗在60 GHz僅為0.6 dB. 在玻璃晶圓上設(shè)計(jì)了一種縫隙耦合天線，天線在59.8 GHz的工作頻率最大增益達(dá)到6 dB. 這為5G通信的射頻微系統(tǒng) 與天線一體化三維扇出型集成提供了一個切實(shí)可行解決方案.

ＴＳＶ是一種穿透硅基板或芯片的垂直互連結(jié) 構(gòu)，用來完成上下晶圓或芯片間的電學(xué)連接。ＴＳＶ技術(shù)依據(jù)通孔形成的順序可以分為先通孔（ ｖｉａ ｆｉｒｓｔ）、中通孔（ｖｉａ ｍｉｄｄｌｅ）和后通孔（ｖｉａ ｌａｓｔ）三種工 藝類型。圖１為中通孔和后通孔的流程示意圖，主要包含以下幾個步驟：通孔的形成、通孔的填充以 及填充后的表面處理。ＴＳＶ作為一種３Ｄ集成技 術(shù)，已廣泛應(yīng)用在圖像傳感器等領(lǐng)域中。

Ｓｕｋｅｇａｗａ等人開發(fā)了一種堆疊背照式圖像 傳感器（ ｂａｃｋｓｉｄｅ ｉｌｌｕｍｉｎａｔｉｏｎ － ＣＭＯＳ ｉｍａｇｅ ｓｅｎｓｏｒ， ＢＩ－ＣＩＳ），包括傳統(tǒng)的背照式圖像傳感器技術(shù)和６５ ｎｍ的標(biāo)準(zhǔn)邏輯技術(shù)。新型的堆疊工藝將傳統(tǒng)的 支撐基板替換為邏輯基板，能夠采用獨(dú)立于ＣＩＳ工 藝的技術(shù)制作先進(jìn)的邏輯電路。如圖２所示，整個 芯片由兩部分組成，芯片的上半部分由傳統(tǒng)的９０ ｎｍ的１Ｐ４Ｍ ＢＩ－ＣＩＳ工藝形成；芯片的下半部分由６５ ｎｍ的１Ｐ７Ｍ邏輯工藝形成。上部ＣＩＳ芯片和 下部邏輯芯片完成堆疊之后，在芯片的頂部制作彩 色濾光片和微透鏡，頂部和底部之間通過ＴＳＶ實(shí)現(xiàn)電學(xué)連接。

Ｔｓｕｇａｗａ等人在像素－邏輯兩層堆疊背照式 圖像傳感器的基礎(chǔ)上，在中間層加入ＤＲＡＭ作為緩 存，開發(fā)了一種集成像素晶圓、ＤＲＡＭ晶圓和邏輯晶 圓的晶圓級集成工藝，如圖３和圖４所示。在單獨(dú) 制作像素、ＤＲＡＭ、邏輯晶圓后，首先將ＤＲＡＭ晶圓 倒置與邏輯晶圓面對面鍵合。接下來，將ＤＲＡＭ晶 圓的Ｓｉ基板減薄，并形成用于連接ＤＲＡＭ晶圓和邏 輯晶圓的ＴＳＶ布線。最后，將像素晶圓倒置并將其 鍵合到ＤＲＡＭ／邏輯堆疊晶圓上，將像素晶圓的背面 減薄，形成ＴＳＶ。通過在像素晶圓邏輯晶圓之間堆 疊ＤＲＡＭ晶圓，有助于減少Ｉ／ Ｏ口數(shù)目，降低功耗，并且實(shí)現(xiàn)對高速鏡頭的捕捉。

２混合鍵合工藝

本文研究了一種用于5G通信的射頻微系統(tǒng)與天線一體化三維扇出型集成封裝技術(shù). 通過在玻璃晶圓 上使用雙面布線工藝，實(shí)現(xiàn)毫米波天線陣列的制作. 將TSV轉(zhuǎn)接芯片與射頻芯片倒裝焊在玻璃晶圓上，再用樹脂材料 進(jìn)行注塑，將玻璃晶圓與異構(gòu)芯片重構(gòu)成玻璃與樹脂永久鍵合的晶圓. 減薄樹脂晶圓面漏出TSV轉(zhuǎn)接芯片的銅柱，在 樹脂表面上完成再布線. 把控制、電源管理等芯片倒裝焊在再布線形成的焊盤處，植上BGA焊球形成最終封裝體. 利 用毫米波探針臺對射頻傳輸線的損耗進(jìn)行測量，結(jié)果表明，1 mm長的CPW傳輸線射頻傳輸損耗在60 GHz僅為0.6 dB. 在玻璃晶圓上設(shè)計(jì)了一種縫隙耦合天線，天線在59.8 GHz的工作頻率最大增益達(dá)到6 dB. 這為5G通信的射頻微系統(tǒng) 與天線一體化三維扇出型集成提供了一個切實(shí)可行解決方案.

相較于硅通孔工藝，混合鍵合工藝更為簡單，混 合鍵合可以同時(shí)實(shí)現(xiàn)兩個基板間的物理連接和電氣 連接，并且能夠以密度更高的垂直互連實(shí)現(xiàn)更小的 尺寸。圖５為混合鍵合工藝的流程示意圖，其關(guān)鍵 步驟包括銅通孔的制作、表面平坦化、表面激活、對 準(zhǔn)以及鍵合后退火。首先，通過深反應(yīng)離子刻蝕來 形成通孔，利用電鍍方式填充銅。再通過化學(xué)機(jī)械 研磨進(jìn)行表面平坦化，表面平整度和銅通孔的凹陷 度會對最終鍵合界面質(zhì)量產(chǎn)生重要影響。接下來利用等離子體對表面進(jìn)行激活，為預(yù)鍵合做準(zhǔn)備。上 下晶圓對準(zhǔn)，完成預(yù)鍵合，經(jīng)過退火操作，來進(jìn)一步 促進(jìn)銅通孔鍵合面的擴(kuò)散，完成良好的電學(xué)連接。銅－銅混合鍵合被認(rèn)為是用于２０ μｍ間距以下最有 前途的３Ｄ集成解決方案之一，已成為３Ｄ集成的 主流技術(shù)之一。

Ｋａｇａｗａ等人利用混合鍵合工藝成功制造了２２５０萬像素、１ ／ ２．６尺寸的背照式圖像傳感器，其中 混合鍵合間距為４ μｍ。如圖６所示，與傳統(tǒng)采用硅 通孔（ＴＳＶ）工藝進(jìn)行層間連接的堆疊背照式傳感器 不同，銅－銅混合鍵合能夠?qū)崿F(xiàn)細(xì)間距和大規(guī)模連 接，可以提高電路設(shè)計(jì)靈活性，并進(jìn)一步減小芯片尺 寸。由圖７可以觀察到，退火后的上下側(cè)銅通孔連 接牢固，鍵合界面無空洞，表現(xiàn)出良好的電學(xué)互連和 可靠性。

之后，Ｋａｇａｗａ等人通過進(jìn)一步優(yōu)化工藝，提 高晶圓對準(zhǔn)精度，成功在３００ ｍｍ晶圓上將混合鍵 合間距縮小至３ μｍ，并且使鍵合對達(dá)到３００萬。其 中，銅通孔的尺寸為１．５ μｍ，通孔間空白區(qū)域尺寸 為１．５ μｍ，新的鍵合工藝成功將對準(zhǔn)誤差控制在０． ５ μｍ以內(nèi)，保證了鍵合連接的穩(wěn)定性。如圖８所 示，每對Ｃｕ－Ｃｕ鍵合牢固地連接上芯片和下芯片，鍵合界面沒有任何缺陷或空隙。

Ｓａｋａｋｉｂａｒａ等人通過銅－銅混合鍵合工藝，實(shí)現(xiàn)ＣＩＳ芯片與邏輯芯片的像素級連接，如圖９所 示。ＣＩＳ芯片采用９０ ｎｍ的１Ｐ４Ｍ工藝制造，像素間 距為６．９ μｍ；邏輯芯片采用相對先進(jìn)的６５ ｎｍ的１Ｐ７Ｍ工藝制造。通過Ｃｕ－Ｃｕ連接直接將ＡＤＣ單元集成在像素下方，能夠?qū)⑺邢袼刂低瑫r(shí)讀出，進(jìn) 行數(shù)據(jù)的并行處理，使得最大拍攝幀率能夠達(dá)到６６０ｆｐｓ。

Ｔａｎｉｄａ等人成功展示了采用全混合Ｃｕ－Ｃｕ直接鍵合工藝制造的三層堆疊背照式圖像傳感器（ＢＳＩ），與只采用硅通孔（ＴＳＶ）連接的三層堆疊背照 式圖像傳感器相比，混合鍵合連接能夠?qū)崿F(xiàn)更高性 能和更多功能。圖１０為其３層堆疊工藝流程示意 圖。首先，利用混合鍵合將中間層鍵合到頂層。在 中間層Ｓｉ減薄之后，制作Ｃｕ－ＴＳＶ和背面ＢＥＯＬ，作 為中間層正面和背面之間的電學(xué)通路。再進(jìn)行第二 次混合鍵合，利用Ｃｕ－Ｃｕ鍵合將中間層的背面與底 層連接。最后，減薄頂層Ｓｉ并形成貫穿頂層Ｓｉ的Ａｌ－ＴＳＶ。研究團(tuán)隊(duì)還發(fā)現(xiàn)鍵合晶圓表面上的等離 子體活化條件是提高較小間距的Ｃｕ－Ｃｕ鍵合成品 率的關(guān)鍵因素，通過優(yōu)化等離子體活化氣體比例，成 功實(shí)現(xiàn)了間距為１．３５ μｍ的混合鍵合，圖１１為鍵合 橫截面的ＴＥＭ圖。

ＳＴＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ和ＣＥＡ－ＬＥＴＩ機(jī)構(gòu)的研究人 員合作開發(fā)了用于３Ｄ堆疊ＣＭＯＳ圖像傳感器的２００ ｍｍ和３００ ｍｍ 晶圓級混合鍵合工藝。在２００ ｍｍ晶圓級混合鍵合工藝中，研究人員通過優(yōu) 化晶圓鍵合對準(zhǔn)系統(tǒng)、偏移補(bǔ)償程序、測量系統(tǒng)、優(yōu) 對準(zhǔn)鍵，以及使用反饋回路來提升晶圓對準(zhǔn)精度。通過進(jìn)一步優(yōu)化工藝和設(shè)備，成功將晶圓級混合鍵 合擴(kuò)展到３００ ｍｍ晶圓上，并且鍵合通孔間距達(dá) 到６ μｍ，可完全符合ＢＳＩ進(jìn)行３Ｄ堆疊的要求。更 小鍵合通孔間距能夠?qū)崿F(xiàn)更高密度互連，但是較小 間距互連可能會危及電氣和可靠性性能。研究團(tuán)隊(duì) 研究了鍵合通孔間距收縮對互連穩(wěn)健性的影響，從工藝、器件性能和魯棒性的角度出發(fā)，分別研究了８．８ μｍ到１． ４４ μｍ鍵合間距，對３Ｄ堆疊背照式ＣＭＯＳ圖像傳感器性能的影響，如圖１２和圖１３所 示。

國內(nèi)圖像傳感器廠商豪威科技也在進(jìn)行堆 疊式圖像傳感器研究。圖１４是一款雙通道轉(zhuǎn)換增 益的堆疊式圖像傳感器示意圖，其中像素單元的部 分器件被布置到邏輯層，以提高傳感器填充系數(shù)，增 加功能。傳感器晶圓和邏輯晶圓單獨(dú)制造，并通過 間距為１．５ μｍ的混合鍵合通孔進(jìn)行像素級連接，像 素級連接使得數(shù)據(jù)能夠從傳感器層上的像素陣列快 速傳輸?shù)竭壿媽由系钠骷嚵小?/p>

可以看到，目前采用混合鍵合工藝的主流產(chǎn)品 是堆疊式圖像傳感器，各大研究機(jī)構(gòu)也在推動混合 鍵合技術(shù)不斷完善，以使其成為一項(xiàng)通用的三維集 成技術(shù)，能夠應(yīng)用在其他領(lǐng)域及產(chǎn)品。三星Ｓａｍ?ｓｕｎｇ通過將ＴＳＶ工藝和混合鍵合工藝結(jié)合，推出Ｘ－ Ｃｕｂｅ ［１６］工藝，應(yīng)用于多枚芯片堆疊封裝中。與采用 多個芯片平面封裝的方式相比，Ｘ－Ｃｕｂｅ ３Ｄ封裝使 整個芯片結(jié)構(gòu)更加緊湊，能夠進(jìn)行更高效和簡單的Ｉ／ Ｏ設(shè)計(jì)，并且由于更短的互連會帶來更低的電阻。Ｓａｍｓｕｎｇ研究人員通過優(yōu)化工藝參數(shù)，利用面對面（Ｆ２Ｆ）和背對面（Ｂ２Ｆ）兩種方式，實(shí)現(xiàn)了多個晶圓 的堆疊集成。以圖１５中３片晶圓堆疊為例，每片晶 圓首先通過大馬士革銅線后端工藝來制作混合鍵合 所需的銅通孔，為了構(gòu)造用于混合鍵合的銅通孔，每 片晶圓應(yīng)該至少包含兩層金屬層。中部和底部晶圓 采用面對面的方式鍵合在一起，緊接著對中部晶圓 的背部進(jìn)行減薄，加工形成ＴＳＶ以及用于與頂部晶 圓進(jìn)行混合鍵合的銅通孔。頂部晶圓以背對面的方 式與中部／底部堆疊晶圓進(jìn)行混合鍵合，對頂部晶圓 背部進(jìn)行減薄并制作ＴＳＶ用于進(jìn)行電學(xué)測試。

臺積電ＴＳＭＣ發(fā)布名為ＳｏＩＣ的三維集成 工藝，是業(yè)界第一款邏輯－邏輯、存儲器－邏輯的３Ｄ集成工藝。ＳｏＩＣ技術(shù)能夠?qū)⒉煌に嚬?jié)點(diǎn)、材料、功能和尺寸的芯片進(jìn)行堆疊，設(shè)計(jì)和集成更加靈活，使系統(tǒng)能夠以更低的成本和更好的性能進(jìn)行擴(kuò)展。

如圖１６所示，ＳｏＩＣ不再使用凸點(diǎn)（ｂｕｍｐ）進(jìn)行芯片 間的連接，轉(zhuǎn)為表面更為平整的混合鍵合進(jìn)行連接，因此 無 須 再 進(jìn) 行 層 間 縫 隙 填 充。與 傳 統(tǒng) 采 用μ－ｂｕｍｐ的３Ｄ集成方式相比，ＳｏＩＣ能夠提供更高的Ｉ／ Ｏ鍵合密度，鍵合間距至少?。幢叮I合密度至少 高１６倍。并且實(shí)現(xiàn)了更低的功耗、更低的ＲＣ延 遲、ＩＲ壓降和更低的熱阻。

Ｉｎｔｅｌ公司也在基于混合鍵合工藝開發(fā)自 家的３Ｄ集成技術(shù)。Ｉｎｔｅｌ研究了混合鍵合工藝對頂 部金屬層無源器件和功率傳輸?shù)挠绊?，提出最小?影響的具體設(shè)計(jì)。并且通過優(yōu)化相關(guān)工藝參數(shù)，來 滿足混合鍵合要求。例如，在制作鍵合金屬層時(shí)，避 免引起過度的晶片翹曲；在進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光時(shí)，實(shí) 現(xiàn)光滑平坦的表面電介質(zhì)和凹陷受控的鍵合通孔；在鍵合時(shí)，保持極其干凈的鍵合表面、高精度對準(zhǔn)和 最大化測試覆蓋率。圖１７是測試芯片上的一個鍵 合菊花鏈的橫截面，顯示出良好的對準(zhǔn)精度和鍵合 界面，可以看到鍵合界面金屬顆粒相互擴(kuò)散，實(shí)現(xiàn)金 屬到金屬的鍵合。

長江存儲ＹＭＴＣ最先在３Ｄ ＮＡＮＤ Ｆｌａｓｈ制造中 引入混合鍵合工藝，并將其命名為Ｘｔａｃｋｉｎｇ。３Ｄ ＮＡＮＤ Ｆｌａｓｈ由存儲單元和外圍電路組成，在傳 統(tǒng)工藝中，外圍電路和存儲單元并排放置，共享有限 的芯片面積。但是隨著３Ｄ ＮＡＮＤ存儲單元層數(shù)的 增加，外圍電路占整個芯片尺寸的百分比將增加，外 圍電路占據(jù)的面積難以忽視。Ｘｔａｃｋｉｎｇ工藝通過存 儲單元和外圍電路分別制造在兩片晶圓上，利用混 合鍵合工藝進(jìn)行層間連接。分離開的存儲單元和外 圍電路可以獨(dú)立設(shè)計(jì)生產(chǎn)，極大提升了工藝靈活性，并縮短了研究周期。圖１８是Ｘｔａｃｋｉｎｇ鍵合工藝的 簡要描述，兩片晶圓在準(zhǔn)備結(jié)束之后進(jìn)行對準(zhǔn)，退 火，形成數(shù)百萬對具有小間距的金屬通孔，完成電學(xué) 連接和物理支撐。研究團(tuán)隊(duì)從測試結(jié)構(gòu)和產(chǎn)品兩個 層面研究了Ｘｔａｃｋｉｎｇ工藝鍵合界面的可靠性。在測 試結(jié)構(gòu)級可靠性測試中，Ｘｔａｃｋｉｎｇ鍵合層在超長時(shí) 間熱或濕度應(yīng)力后表現(xiàn)出非常穩(wěn)定的金屬電阻、介 電泄漏、鍵合強(qiáng)度和介電擊穿電壓。在產(chǎn)品級可靠 性測試中，封裝的３Ｄ ＮＡＮＤ產(chǎn)品表現(xiàn)出類似的優(yōu) 異可靠性，充分證明了混合鍵合工藝的可行性。ＹＭＴＣ不斷對Ｘｔａｃｋｉｎｇ工藝進(jìn)行改進(jìn)，到目前為止，已推出Ｘｔａｃｋｉｎｇ ２．０和Ｘｔａｃｋｉｎｇ ３．０版本，并已有相 關(guān)產(chǎn)品面世。

阿里巴巴達(dá)摩院提出針對于人工智能應(yīng)用 的高密度和高能效的近內(nèi)存計(jì)算解決方案，其中利 用混合鍵合工藝來連接邏輯芯片和ＤＲＡＭ芯片，如 圖１９所示。晶圓級混合鍵合技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)高帶寬 集成，實(shí) 驗(yàn) 數(shù) 據(jù) 表 明，其 能 效 比ＨＢＭ或ＤＤＲ ＳＤＲＡＭ等片外存儲器解決方案高出２００倍，比最先 進(jìn)的近內(nèi)存計(jì)算解決方案高出至少２倍。ＤＲＡＭ芯 片和邏輯芯片分別基于２５ ｎｍ和５５ ｎｍ工藝制造，通過間距為３ μｍ的銅通孔連接在一起，銅通孔為 兩者間的電學(xué)通道。

比利時(shí)微電子研究中心ＩＭＥＣ基于標(biāo)準(zhǔn)的６５ ｎｍ工藝技術(shù)制造了鍵合通孔間距為２．５ μｍ的３００ ｍｍ混合鍵合晶圓片，并且對鍵合晶圓的電學(xué)、熱學(xué)、力學(xué)和可靠性性能進(jìn)行評估，如圖２０所示。研究團(tuán)隊(duì)通過晶圓片上的回環(huán)結(jié)構(gòu)來評估混合鍵合 通孔的電學(xué)性能，并證明了當(dāng)測試樣品在４點(diǎn)彎曲 設(shè)置中經(jīng)受１０００次機(jī)械循環(huán)時(shí)，混合鍵合界面的質(zhì) 量不受影響。以及通過在測試芯片的一個單元中產(chǎn) 生熱源，并利用集成溫度傳感器測量兩個晶圓片的 熱響應(yīng)來評估堆疊晶圓的熱性能，結(jié)果表明，溫度傳 感器和熱源相對于外部熱邊界條件的位置在分析實(shí) 驗(yàn)結(jié)果時(shí)起著重要作用。

新加坡ＩＭＥ機(jī)構(gòu)基于有限元分析方法對混合 鍵合機(jī)制進(jìn)行了一系列仿真研究，圖２１為鍵 合面有限元分析模型。通過對晶圓級混合鍵合工藝 的多個流程進(jìn)行三維建模，針對各種設(shè)計(jì)和工藝條件，例如晶圓片翹曲度、銅通孔凹陷值、退火溫度和 退火時(shí)間、硅通孔（ ＴＳＶ）深度和銅通孔間距等，從 熱－力－電的角度模擬混合鍵合技術(shù)的鍵合過程，詳 細(xì)研究影響鍵合完整性的關(guān)鍵因素，并提供可能的 改進(jìn)方法。對混合鍵合工藝進(jìn)行數(shù)值研究可以為實(shí) 際設(shè)計(jì)和工藝提供指南和參考，有助于優(yōu)化設(shè)計(jì)和 工藝參數(shù)，縮短工藝開發(fā)周期和降低研發(fā)成本。

海力士半導(dǎo)體ＳＫ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ 、格羅方德ＧｌｏｂａｌＦｏｕｎｄｒｉｅｓ、富 士 通Ｆｕｊｉｔｓｕ以 及 三 菱Ｍｉｔｓｕｂｉｓｈｉ也對混合鍵合工藝進(jìn)行了深入研究。

3 結(jié)論

本文研究了一種用于5G通信的射頻微系統(tǒng)與天線一體化三維扇出型集成封裝技術(shù). 通過在玻璃晶圓 上使用雙面布線工藝，實(shí)現(xiàn)毫米波天線陣列的制作. 將TSV轉(zhuǎn)接芯片與射頻芯片倒裝焊在玻璃晶圓上，再用樹脂材料 進(jìn)行注塑，將玻璃晶圓與異構(gòu)芯片重構(gòu)成玻璃與樹脂永久鍵合的晶圓. 減薄樹脂晶圓面漏出TSV轉(zhuǎn)接芯片的銅柱，在 樹脂表面上完成再布線. 把控制、電源管理等芯片倒裝焊在再布線形成的焊盤處，植上BGA焊球形成最終封裝體. 利 用毫米波探針臺對射頻傳輸線的損耗進(jìn)行測量，結(jié)果表明，1 mm長的CPW傳輸線射頻傳輸損耗在60 GHz僅為0.6 dB. 在玻璃晶圓上設(shè)計(jì)了一種縫隙耦合天線，天線在59.8 GHz的工作頻率最大增益達(dá)到6 dB. 這為5G通信的射頻微系統(tǒng) 與天線一體化三維扇出型集成提供了一個切實(shí)可行解決方案.

本文對晶圓級集成技術(shù)的兩種主流工藝——— ＴＳＶ工藝和混合鍵合工藝進(jìn)行了系統(tǒng)性的介紹，綜 合多個研究機(jī)構(gòu)的最新技術(shù)成果，對其進(jìn)行了進(jìn)一 步詳細(xì)說明。

混合鍵合由于其工藝較為簡單，集成密度更高，能夠同時(shí)實(shí)現(xiàn)電學(xué)連接和物理支撐，是接下來研究 和發(fā)展的重點(diǎn)。在將混合鍵合工藝應(yīng)用于感存算一 體化芯片之前，仍有大量研究工作需要進(jìn)行，包括優(yōu) 化設(shè)計(jì)和工藝參數(shù)，提高晶圓對準(zhǔn)精度，實(shí)現(xiàn)低溫退 火以及降低成本等。面向感存算一體化芯片的晶圓級集成工藝的成功開發(fā)，將有力推動感存算一體化 技術(shù)的進(jìn)步和實(shí)際應(yīng)用，為我國先進(jìn)半導(dǎo)體工藝技 術(shù)的自主自強(qiáng)做出貢獻(xiàn)。

來源：功能材料與器件學(xué)報(bào)第 ２９ 卷第 １ 期

作者：趙國強(qiáng)１，２ ，趙 毅２，３（１．中國電子科技南湖研究院，；２． 浙江大學(xué)信息與電子工程學(xué)院；３． 華東師范大學(xué)集成電路科學(xué)與工程學(xué)院）

審核編輯：湯梓紅