９.２.４ 器件參數(shù)的溫度特性∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》
９.２.４器件參數(shù)的溫度特性
第９章雙極型功率開(kāi)關(guān)器件
《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》
代理產(chǎn)品線：
1、國(guó)產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說(shuō)明
2、國(guó)產(chǎn)MCUPtPSTMcu、GDMcu，引腳亦可轉(zhuǎn)換位置靈活重新定義
3、國(guó)產(chǎn)FPGA：原位替換XILINX/賽靈思：SPARTAN6系列4、國(guó)科微GK7202V300 PtP Hi3518EV300 Hi3518ERNCV300 低功耗IPC5、國(guó)科微GK7205V200 PtP Hi3516EV200 Hi3516ERNCV200 4M@18fps
6、GK7205V300 PINtoPIN Hi3516EV300 Hi3516ERBCV300 高清視頻編碼
7、GK7605V100 PINtoPIN Hi3516DV200 Hi3516DRBCV200 HD IP攝像機(jī)IC
8、MCU.十速科技.32位∈4位、8位、8051單片機(jī)
9、中國(guó)芯.HX2401C 2.4G PA芯片 直接PINtoPIN替換XX2401
10、MCU.十速科技.32位∈4位、8位、8051單片機(jī)
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
元器件
+關(guān)注
關(guān)注
113文章
4834瀏覽量
95137 -
晶體管
+關(guān)注
關(guān)注
77文章
10019瀏覽量
141660
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
碳化硅功率器件有哪些特點(diǎn)
隨著全球?qū)G色能源和高效能電子設(shè)備的需求不斷增加，寬禁帶半導(dǎo)體材料逐漸進(jìn)入了人們的視野。其中，碳化硅（SiC）因其出色的性能而受到廣泛關(guān)注。碳化硅功率器件在電力電子、可再生能源以及電動(dòng)汽車等領(lǐng)域的應(yīng)用不斷拓展，成為現(xiàn)代電子
碳化硅功率器件的種類和優(yōu)勢(shì)
在現(xiàn)代電子技術(shù)飛速發(fā)展的背景下，功率器件的性能和效率面臨著越來(lái)越高的要求。碳化硅（SiC）作為一種新興的寬禁帶半導(dǎo)體材料，憑借其優(yōu)異的電氣特性和熱性能，逐漸成為功率電子
碳化硅功率器件的特性和應(yīng)用
）功率器件，成為電力電子領(lǐng)域的核心技術(shù)之一。本文將詳細(xì)介紹碳化硅功率器件的基本特性、主要類型、應(yīng)用領(lǐng)域、市場(chǎng)前景以及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。
碳化硅功率器件的散熱方法
碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，因其耐高壓、耐高溫、高開(kāi)關(guān)速度和高導(dǎo)熱率等優(yōu)良特性，在新能源、光伏發(fā)電、軌道交通和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。然而，碳化硅功率器件在高密度和高
碳化硅功率器件的封裝技術(shù)解析
碳化硅（SiC）功率器件因其低內(nèi)阻、高耐壓、高頻率和高結(jié)溫等優(yōu)異特性，在電力電子系統(tǒng)中得到了廣泛關(guān)注和應(yīng)用。然而，要充分發(fā)揮SiC器件的性能，封裝技
什么是MOSFET柵極氧化層？如何測(cè)試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性？
隨著電力電子技術(shù)的不斷進(jìn)步，碳化硅MOSFET因其高效的開(kāi)關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞，成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件
發(fā)表于 01-04 12:37
碳化硅SiC在電子器件中的應(yīng)用
和熱學(xué)性能，成為了許多高性能電子器件的首選材料。 碳化硅的基本特性 碳化硅是一種由碳和硅原子組成的化合物半導(dǎo)體材料，具有以下特性： 寬帶隙
碳化硅功率器件在能源轉(zhuǎn)換中的應(yīng)用
碳化硅（SiC）功率器件作為一種新興的能源轉(zhuǎn)換技術(shù)，因其優(yōu)異的性能在能源領(lǐng)域受到了廣泛的關(guān)注。本文將介紹碳化硅功率器件的
碳化硅功率器件的工作原理和應(yīng)用
碳化硅（SiC）功率器件近年來(lái)在電力電子領(lǐng)域取得了顯著的關(guān)注和發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅（Si）基功率器件，碳化硅具有許多獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)，使其在高效能、高頻率和高溫環(huán)境下的應(yīng)用中具有明顯的優(yōu)勢(shì)。本
碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域
在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）功率器件正以其獨(dú)特的性能和優(yōu)勢(shì)，逐步成為行業(yè)的新寵。碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點(diǎn)，使得碳化硅功率
碳化硅功率器件的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用
碳化硅（SiliconCarbide，簡(jiǎn)稱SiC）功率器件是近年來(lái)電力電子領(lǐng)域的一項(xiàng)革命性技術(shù)。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比，碳化硅功率
碳化硅功率器件的技術(shù)優(yōu)勢(shì)
隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，傳統(tǒng)的硅基功率器件因其物理特性的限制，已經(jīng)逐漸難以滿足日益增長(zhǎng)的高性能、高效率、高可靠性的應(yīng)用需求。在這一背景下，碳化硅（SiC）功率
碳化硅功率器件有哪些優(yōu)勢(shì)
碳化硅（SiC）功率器件是一種基于碳化硅半導(dǎo)體材料的電力電子器件，近年來(lái)在功率電子領(lǐng)域迅速嶄露頭角。與傳統(tǒng)的硅（Si）功率器件相比，
碳化硅器件的應(yīng)用領(lǐng)域和技術(shù)挑戰(zhàn)
碳化硅（SiC）是一種以碳和硅為主要成分的半導(dǎo)體材料，近年來(lái)在電子器件領(lǐng)域的應(yīng)用迅速發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅材料，碳化硅具有更高的擊穿電場(chǎng)、更高的熱導(dǎo)率和更高的電子飽和速度等優(yōu)異特性，使
碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)和分類
碳化硅（SiC）功率器件是利用碳化硅材料制造的半導(dǎo)體器件，主要用于高頻、高溫、高壓和高功率的電子應(yīng)用。相比傳統(tǒng)的硅（Si）基功率器件，
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論