任何一顆合格的存儲(chǔ)芯片，都是由晶圓(Wafer)經(jīng)過一系列的測(cè)試，將符合規(guī)格要求的Die取下，封裝形成日常所見的芯片。MK米客方德的存儲(chǔ)產(chǎn)品也是如此，在批量生產(chǎn)前，都會(huì)做大量的測(cè)試和驗(yàn)證以確保芯片的性能和可靠性。

以下是MK米客方德對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行可靠性相關(guān)的測(cè)試項(xiàng)目。

Pre-Conditioning(PC)：預(yù)處理

芯片先在125℃的高溫箱中烘烤24小時(shí)，下一步在溫度為60℃、濕度為60%RH的溫濕箱中吸收一定水分，下一步進(jìn)入回流焊測(cè)試。查看芯片是否有脫層、爆米花效應(yīng)等；此實(shí)驗(yàn)用于模擬芯片在生產(chǎn)、運(yùn)輸、上板使用等過程。

加速測(cè)試

大多數(shù)半導(dǎo)體器件的壽命在正常使用下可超過很多年。但我們不能等到若干年后再研究器件；我們必須增加施加的應(yīng)力。施加的應(yīng)力可增強(qiáng)或加快潛在的故障機(jī)制，幫助找出根本原因，并幫助MK采取措施防止故障模式。

在半導(dǎo)體器件中，常見的一些加速因子為溫度、濕度、電壓和電流。在大多數(shù)情況下，加速測(cè)試不改變故障的物理特性，但會(huì)改變觀察時(shí)間。加速條件和正常使用條件之間的變化稱為“降額”。

高加速測(cè)試是基于 JEDEC 的資質(zhì)認(rèn)證測(cè)試的關(guān)鍵部分。以下測(cè)試反映了基于JEDEC規(guī)范JEP47的高加速條件。如果產(chǎn)品通過這些測(cè)試，則表示器件能用于大多數(shù)使用情況。

溫度循環(huán)測(cè)試

根據(jù) JED22-A104 標(biāo)準(zhǔn)，溫度循環(huán) (TC) 讓部件經(jīng)受極端高溫和低溫之間的轉(zhuǎn)換。進(jìn)行該測(cè)試時(shí)，將部件反復(fù)暴露于這些條件下經(jīng)過預(yù)定的循環(huán)次數(shù)。以評(píng)估芯片封裝對(duì)于極端高低溫快速轉(zhuǎn)換的耐受度。

高溫老化壽命測(cè)試(HTOL)

HTOL 用于確定高溫工作條件下的器件可靠性。該測(cè)試通常根據(jù) JESD22-A108 標(biāo)準(zhǔn)長時(shí)間進(jìn)行。

溫濕度偏壓高加速應(yīng)力測(cè)試(BHAST)

根據(jù) JESD22-A110 標(biāo)準(zhǔn)，THB 和 BHAST 讓器件經(jīng)受高溫高濕條件，同時(shí)處于偏壓之下，其目標(biāo)是讓器件加速腐蝕。THB 和 BHAST 用途相同，但BHAST 條件和測(cè)試過程讓可靠性團(tuán)隊(duì)的測(cè)試速度比 THB 快得多?？焖俚貙⑵骷?nèi)部缺陷或薄弱環(huán)節(jié)激發(fā)出來，從而剔除有缺陷的器件，提高器件使用可靠性。

熱壓器/無偏壓HAST

熱壓器和無偏壓 HAST 用于確定高溫高濕條件下的器件可靠性。與 THB 和 BHAST 一樣，它用于加速腐蝕。不過，與這些測(cè)試不同，不會(huì)對(duì)部件施加偏壓。

高溫貯存

HTS（也稱為“烘烤”或 HTSL）用于確定器件在高溫下的長期可靠性。與 HTOL 不同，器件在測(cè)試期間不處于運(yùn)行條件下。

靜電放電(ESD)

靜電荷是靜置時(shí)的非平衡電荷。通常情況下，它是由絕緣體表面相互摩擦或分離產(chǎn)生；一個(gè)表面獲得電子，而另一個(gè)表面失去電子。其結(jié)果是稱為靜電荷的不平衡的電氣狀況。

當(dāng)靜電荷從一個(gè)表面移到另一個(gè)表面時(shí)，它便成為靜電放電 (ESD)，并以微型閃電的形式在兩個(gè)表面之間移動(dòng)。當(dāng)靜電荷移動(dòng)時(shí)，就形成了電流，因此可以損害或破壞柵極氧化層、金屬層和結(jié)。JEDEC 通過以下兩種方式測(cè)試 ESD。

1.人體放電模型(HBM)

一種組件級(jí)應(yīng)力，用于模擬人體通過器件將累積的靜電荷釋放到地面的行為。人體接觸器件時(shí)產(chǎn)生的放電?；旧弦话阆M(fèi)級(jí)產(chǎn)品達(dá)到2000V即可。

2.帶電器件模型(CDM) 一種組件級(jí)應(yīng)力，根據(jù) JEDEC JESD22-C101 規(guī)范，模擬生產(chǎn)設(shè)備和過程中的充電和放電事件。在元器件裝配、傳遞、試驗(yàn)、測(cè)試、運(yùn)輸和儲(chǔ)存的過程中由于殼體與其它材料摩擦，殼體會(huì)帶靜電。一旦元器件引出腿接地時(shí)，殼體將通過芯體和引出腿對(duì)地放電。

FT測(cè)試(RDT可靠性驗(yàn)證測(cè)試) MK嵌入式產(chǎn)品在特定環(huán)境下通過Burn In板進(jìn)行離線老化。

容量	SD NAND型號(hào)表
	商業(yè)級(jí)	工業(yè)級(jí)
512M	MKDV512MCL-ABA	/
1Gbit	MKDV1GCL-AB	MKDV1GIL-AS
2Gbit	MKDV2GCL-AB	MKDV2GIL-AS
4Gbit	MKDV4GCL-AB	MKDV4GIL-AS
8Gbit	/	MKDV8GIL-AS
16Gbit	MKDN016GCL-AA	/
32Gbit	MKDN032GCL-AA	MKDN032GIL-AA
64Gbit	MKDN064GCL-AA	MKDN064GIL-ZA
128Gbit	MKDN128GCL-ZA	/
256Gbit	MKDN256GCL-ZA	/
512Gbit	MKDN512GCL-ZA	/