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效率95% 芯仙方案推出2KW氮化鎵雙向逆變電源 內(nèi)置英諾賽科氮化鎵芯片

芯進電子 ? 2023-06-09 10:46 ? 次閱讀
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編者薦語:芯仙能源推出了一款采用氮化鎵器件的雙向AC-DC變換器。
其中霍爾電流傳感器來自芯進電子,型號CC6921SO-50A,是一顆高性能霍爾效應(yīng)電流傳感器,支持測量交流和直流電流,具備高精度,出色的線性度和溫度穩(wěn)定性。電流傳感器用于電流采集,配合MCU保護,實現(xiàn)精準可靠的保護功能

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前言

芯仙能源技術(shù)有限公司推出了一款采用氮化鎵器件的雙向AC-DC變換器,這款變換器支持2000W輸出功率,并支持整流模式和逆變模式。其中整流模式支持寬范圍交流輸入,額定輸出電壓為48V,并支持42-58V調(diào)節(jié)。

逆變模式支持42-58V輸入,輸出支持120或220Vac,最大輸出功率為2000W,轉(zhuǎn)換效率達95%。模塊采用主動風冷散熱設(shè)計,噪聲低,溫升低,提升可靠性。逆變模塊支持多機并聯(lián)工作,可廣泛用于48V電池組的儲能,直流微網(wǎng),V2G逆變等新能源應(yīng)用場景。

逆變模塊的交流和直流側(cè)均具備過壓,欠壓保護,過流和短路保護,并支持過熱保護。充電頭網(wǎng)拿到了這款W2000-48V雙向AC-DC變換器,下面就通過文章的形式,展示這款變換器的設(shè)計和用料。

芯仙2KW氮化鎵雙向變換器外觀

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模塊正面一覽,右端設(shè)有一排接線座子,板子中間設(shè)有兩塊可拆卸小板,垂直焊接的小板覆蓋金屬散熱片,并通過風扇散熱,器件間留有充足空隙,有效避免積熱。

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主板背面主要是隔離驅(qū)動器電流采樣芯片等器件,外圍電路簡潔,整體焊接也十分工整,工藝水準高。

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測得模塊長度約為28cm。

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寬度約為13cm。

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最大厚度約為44mm。

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另外測得模塊重量約為1515g

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芯仙2KW氮化鎵雙向變換器解析

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芯仙這款模塊的輸入輸出接線柱都設(shè)置在一側(cè),左下角為直流接線柱,依次焊接保險絲,濾波電容,升壓/整流管,變壓器,右下角的散熱片為全橋LLC開關(guān)管的散熱片,右側(cè)為高壓濾波電容,右上角的散熱片為圖騰柱無橋PFC開關(guān)管散熱,向左依次為濾波電感等器件。四顆黑色繼電器用于交流輸入和逆變輸出端子切換。

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雙向變換器模塊背面焊接四顆電流傳感器芯片,六顆驅(qū)動器芯片,以及通信芯片。下面我們從直流側(cè)開始觀察雙向變換器模塊的用料和設(shè)計。

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雙向變換器模塊側(cè)面一覽,依次焊接低壓濾波電容,低壓氮化鎵小板,開關(guān)變壓器,諧振電感,高壓氮化鎵小板和高壓濾波電容。其中高低壓氮化鎵小板均固定到散熱片上,并通過風扇進行散熱。

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低壓氮化鎵開關(guān)管焊接在小板上,使用六顆英諾賽科 INN100W032A 低壓氮化鎵,三顆并聯(lián),組成半橋。并且由兩塊小板組成H橋,共使用12顆氮化鎵開關(guān)管。

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英諾賽科 INN100W032A采用 GaN-on-Silicon Emode HEMT技術(shù),有著極低的柵極電荷和超低導(dǎo)通電阻。耐壓100V,導(dǎo)阻3.2mΩ,連續(xù)電流60A,脈沖電流可達230A,能夠適應(yīng)-40℃到150℃工作環(huán)境,零反向恢復(fù)電荷。采用WLCSP 3.5mm x 2.13mm極小封裝,大大節(jié)省占板面積。

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用于驅(qū)動低壓氮化鎵的驅(qū)動器來自納芯微,型號NSi6602A-DSWR,是一顆雙通道隔離柵極驅(qū)動器,支持2MHz開關(guān)頻率。芯片內(nèi)置驅(qū)動器,可以直接驅(qū)動MOS管和氮化鎵開關(guān)管,無需外置驅(qū)動器,簡化電路設(shè)計。

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用于另外一塊低壓小板的驅(qū)動器。

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電流傳感器芯片來自ACEINNA新納,型號MCA1101-50-5,是一顆50A量程的隔離電流傳感器,采用AMR各向異性磁阻技術(shù)。

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霍爾電流傳感器來自芯進,型號CC6921SO-50A,是一顆高性能霍爾效應(yīng)電流傳感器,支持測量交流和直流電流,具備高精度,出色的線性度和溫度穩(wěn)定性。

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升壓變壓器采用銅片組成低壓側(cè)線圈。電感來自深圳市共創(chuàng)富電子。

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諧振電感線圈采用膠帶纏繞絕緣。

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用于LLC全橋及主動整流的氮化鎵開關(guān)管來自英諾賽科,型號INN650TA030AH,是一顆650V耐壓的增強型氮化鎵開關(guān)管,采用 GaN-on-Silicon Emode HEMT技術(shù),有著極低的柵極電荷和超低導(dǎo)通電阻。導(dǎo)阻低至25mΩ,采用TOLL封裝,具有開爾文源極,具有更強的散熱能力。適用于開關(guān)電源,圖騰柱PFC,電池快充,高功率密度及高能效電源應(yīng)用。

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英諾賽科 INN650TA030AH 詳細資料。

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用于驅(qū)動兩顆氮化鎵開關(guān)管的驅(qū)動器來自納芯微,型號NSi6602B-DSPNR,是一顆雙通道隔離柵極驅(qū)動器,支持2MHz開關(guān)頻率。芯片內(nèi)置驅(qū)動器,可以直接驅(qū)動MOS管和氮化鎵開關(guān)管,無需外置驅(qū)動器,簡化電路設(shè)計。

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四顆高壓濾波電容來自Acon新中元,規(guī)格均為550V 180μF,濾波電容總?cè)萘繛?20μF。

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雙向逆變模塊交流側(cè)一覽,焊接氮化鎵開關(guān)管小板,整流橋,濾波電感,濾波電容以及切換輸入輸出的繼電器。電容來自于華威遠大。

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小板上同樣采用INN650TA030AH氮化鎵開關(guān)管,用于逆變輸出調(diào)制/圖騰柱無橋PFC功能。二三極管來自于濟南晶恒。


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輸出濾波電感特寫,采用四個磁環(huán)并排。來自深圳市共創(chuàng)富電子。

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兩顆NTC熱敏電阻串聯(lián),用于抑制電容充電的浪涌電流。濾波電感底部采用電木板絕緣,并打膠固定。

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四顆藍色Y電容特寫。

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安規(guī)X2電容和共模電感特寫。

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切換輸入輸出的繼電器來自Churod中匯瑞德,線圈電壓12V,觸點容量50A。

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交流接線端子與直流接線端子特寫。

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安規(guī)X2電容來自WQC威慶電子,規(guī)格為0.47μF。

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交流輸入和輸出保險絲來自華德電子,為WM50系列電力熔斷器,規(guī)格為50A 250V。

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在直流端子右側(cè)是通信接口。

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逆變器主板上還連接兩塊小板,分別用于逆變器升壓及波形調(diào)制控制和輔助供電。圖中是逆變器升壓和波形調(diào)制控制小板,正面焊接一顆MCU和穩(wěn)壓芯片。

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主控MCU來自微芯科技,型號dsPIC33CK256MP506,為dsPIC33CK系列數(shù)字信號控制器,內(nèi)置100MHz dsPIC DSC內(nèi)核,集成DSP和增強型外設(shè),用于逆變器整機驅(qū)動信號輸出。

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穩(wěn)壓芯片來自DIODES,絲印GH16D,實際型號為AZ1117,輸出電壓3.3V,為主控MCU供電。

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另一路電源采用MPS MP6001轉(zhuǎn)換器,芯片內(nèi)置開關(guān)管,內(nèi)部集成100V啟動電路,支持36-75V輸入供電。

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一顆開關(guān)降壓芯片來自芯朋微,型號AP2905,是一顆內(nèi)置開關(guān)管的同步降壓轉(zhuǎn)換器,固定5V輸出電壓。

充電頭網(wǎng)總結(jié)

芯仙能源技術(shù)推出的這款雙向AC-DC變換器具備2000W輸出功率,支持整流輸出模式和逆變模式,適合用于48V電池系統(tǒng)的儲能應(yīng)用等場合。逆變模塊內(nèi)部采用英諾賽科的氮化鎵器件,其中用于電池端升壓和同步整流的低壓氮化鎵開關(guān)管采用INN100W032A,用于逆變整流調(diào)制以及PFC和全橋LLC的高壓氮化鎵開關(guān)管采用INN650TA030AH。

英諾賽科INN100W032A開關(guān)管為100V耐壓,適合48V應(yīng)用,具有3.2mΩ導(dǎo)阻,能顯著降低大電流下的損耗,并且采用WLCSP封裝,可增強散熱能力,縮短電流路徑。其中英諾賽科INN650TA030AH氮化鎵開關(guān)管為650V耐壓,具有30mΩ超低導(dǎo)阻,并采用TOLL封裝,簡化氮化鎵器件的散熱設(shè)計。

逆變模塊采用微芯科技dsPIC33CK256MP506進行整機控制,通過納芯微驅(qū)動器驅(qū)動氮化鎵開關(guān)管。并使用新納和芯進的四顆電流傳感器用于不同環(huán)路的電流采集,配合MCU保護,實現(xiàn)精準可靠的保護功能。

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