傳三星4nm良率水平追平臺積電，3nm提至60%以上
11日，據(jù)韓國經濟新聞報導，三星電子將4納米node級半導體組的收益率提升到了競爭公司臺積電 （TSMC）的水平。
據(jù)悉，HI Investment & Securities投資證券半導體分析師Park Sang-wook發(fā)表研究報告稱，三星電子的4納米和3納米工程節(jié)點的半導體產量分別提高到75%和60%以上。
據(jù)《韓國經濟新聞》報道，直到今年年初，業(yè)界還預測三星的4納米技術收益率為50%左右。4納米和3納米等尖端工程的收率超過60%，意味著使用這些工程的芯片收率處于穩(wěn)定水平。
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