OSC-2無(wú)源晶振的特性參數(shù)
引言:在晶振選型時(shí),除了關(guān)鍵參數(shù)之外,也需要考慮更多的特性與參數(shù),保證系統(tǒng)超長(zhǎng)期運(yùn)行的穩(wěn)定性和可靠性,本節(jié)主要介紹有關(guān)晶振的各項(xiàng)關(guān)鍵特性和參數(shù)。(傳送門(mén):Analog series-OSC-1:無(wú)源晶振的基礎(chǔ))
1.晶振的關(guān)鍵參數(shù)和特性
1.晶振的頻率起伏特性
晶振的頻率起伏特性是因石英晶體單元的Q值、振蕩電路的噪音以及溫度補(bǔ)償電路噪音等影響引起的一種微小的頻率變動(dòng)特性,該特性不包括溫度變動(dòng)因素。
2.溫度特性
溫度特性表示因元器件周?chē)臏囟茸兓蚩諝饬鲃?dòng)等產(chǎn)生的溫度變動(dòng)所引起的頻率的微小變動(dòng)。
3.溫度跟隨特性
表示對(duì)于元器件外部溫度急劇變化的頻率變動(dòng)特性,與上面所說(shuō)的溫度特性區(qū)分表示。
4.調(diào)整頻差ppm
調(diào)整頻差也叫晶振的精度(誤差)是石英晶振重要的參數(shù)之一,表示晶體頻率會(huì)偏離標(biāo)稱(chēng)頻率多少,值越小精度越高。常溫25°C基準(zhǔn)溫度下,工作頻率相對(duì)于標(biāo)稱(chēng)頻率所允許的偏差,包括一定的負(fù)載電容下的晶體頻率公差,加工誤差,調(diào)整頻差(Frequency Tolerance)用頻率變化的最大值和標(biāo)稱(chēng)頻率的比值來(lái)表示,單位是ppm,PPM含義為百萬(wàn)分之一(part per million 1/10^6)。在產(chǎn)品規(guī)格書(shū)中,ppm通常會(huì)用最大值(max)來(lái)表示,例如30ppm max,但產(chǎn)品實(shí)際的誤差值會(huì)更小。
常見(jiàn)的晶振精度有±0.5ppm、±1ppm、±5ppm、±10ppm、±20ppm、±30ppm、±50ppm等等。其中OCXO精度最高,最少可達(dá)到3ppb=0.003ppm。
如果晶振頻偏超過(guò)限度,芯片內(nèi)部的鎖相環(huán)PLL鎖偏導(dǎo)致頻率出錯(cuò),芯片工作就會(huì)不穩(wěn)定甚至停止工作,連帶的通信也會(huì)異常。
5.溫度頻差ppm
溫度頻差(Frequency Stability vs Temp)表示在特定溫度范圍內(nèi),工作頻率相對(duì)于基準(zhǔn)溫度時(shí)工作頻率的允許頻率偏離量,單位也是ppm。
6.DLD2
DLD2指的是:不同激勵(lì)電平下的負(fù)載諧振電阻的最大值與最小值的差值,值越小越好。驅(qū)動(dòng)功率的變化會(huì)引起晶體頻率和諧振阻抗的變化,被稱(chēng)為驅(qū)動(dòng)功率相關(guān)性。
7.驅(qū)動(dòng)功率(激勵(lì)功率)
表2-1:無(wú)源晶振的典型參數(shù)示例
驅(qū)動(dòng)功率表征了驅(qū)動(dòng)該晶體需要的典型功率,如圖2-1所示,要求不能超過(guò)最大驅(qū)動(dòng)功率,否則長(zhǎng)期工作會(huì)有晶振損壞的風(fēng)險(xiǎn)。如果驅(qū)動(dòng)功率過(guò)大可能破壞晶體的內(nèi)部機(jī)理,引起振蕩頻率異常、穩(wěn)定度下降、頻率失真、晶片破損等現(xiàn)象,更為嚴(yán)重的導(dǎo)致電極受損。如果激勵(lì)功率過(guò)低,也會(huì)帶來(lái)DLD問(wèn)題或者不起振,關(guān)于驅(qū)動(dòng)功率的計(jì)算后續(xù)章節(jié)會(huì)提到。
2.怎么計(jì)算頻率誤差
例如3225封裝,標(biāo)稱(chēng)頻率12MHz,±30ppm,其頻率誤差為±30/100萬(wàn)*12MHz=±360Hz.
例如標(biāo)稱(chēng)頻率為10MHz的晶振,-20~+70℃中誤差為±20ppm,其在-20℃~+70℃溫度范圍內(nèi),溫度誤差范圍:±(10MHz × 20ppm)=±200Hz,那么晶振的頻率為9.999800MHz ~ 10.000200MHz。
3.影響晶振頻率穩(wěn)定度的因素
頻率穩(wěn)定性表示晶振的輸出頻率因溫度變化、頻率老化、電壓變化、輸出負(fù)載變化等外部條件而發(fā)生的變化。我們常說(shuō)的總頻差就是這些工作和非工作參數(shù)全部結(jié)合起來(lái)而引起晶振頻率與標(biāo)稱(chēng)頻率之間的最大偏差。
頻率穩(wěn)定度(Frequency Stability)通常分為長(zhǎng)期和短期兩種,是用來(lái)衡量振蕩頻率保持不變的能力。下面將介紹幾點(diǎn)會(huì)影響頻率穩(wěn)定度的因素:
1.老化 Aging
晶振的頻率隨著工作時(shí)間的變化而變化,物理現(xiàn)象被稱(chēng)為老化aging。在生產(chǎn)過(guò)程中,根據(jù)不同產(chǎn)品屬性,設(shè)置不同的溫度和時(shí)間對(duì)晶片進(jìn)行加速老化,使得晶片趨近于穩(wěn)定精度,來(lái)提高產(chǎn)品的穩(wěn)定性。
極端溫度升高會(huì)導(dǎo)致頻率漂移(Frequency Drift),晶振的頻率隨著工作時(shí)間的定向漂移,物理現(xiàn)象被稱(chēng)為老化aging。老化被認(rèn)為是“質(zhì)量遷移”和“應(yīng)力馳豫”這兩個(gè)原因產(chǎn)生的。
2.溫度Temperature
不同晶體的切割方式有著不同的頻率溫度特性:音叉Tuning Fork晶振的溫度特性曲線(xiàn)是負(fù)二次方程曲線(xiàn),AT切的切角為35°15' 是晶體諧振器里最常用的切型,頻率和溫度是三次函數(shù)關(guān)系;SC切切割角度是基于x,y,z基礎(chǔ)坐標(biāo)的雙旋轉(zhuǎn),切角分別為21.93°和 34.11°。
3.驅(qū)動(dòng)功率 (Drive Level/Level of drive)
驅(qū)動(dòng)功率是晶體在工作時(shí)的功耗,通常以mW和uW來(lái)表示。驅(qū)動(dòng)功率過(guò)高會(huì)導(dǎo)致晶片振動(dòng)變強(qiáng),振動(dòng)導(dǎo)致溫度升高,頻率穩(wěn)定度隨之降低,嚴(yán)重時(shí)晶振不穩(wěn)定,晶片會(huì)振裂,加快老化。如果驅(qū)動(dòng)功率偏小,諧振器輸出波形偏弱,長(zhǎng)期可能會(huì)停振,引起芯片停止工作。
4.負(fù)載電容Load Capacity
晶體諧振器必須與變化的負(fù)載匹配,如果晶體兩端的等效電容和標(biāo)稱(chēng)負(fù)載電容存在差異,晶體輸出的頻率將會(huì)和標(biāo)稱(chēng)工作頻率產(chǎn)生偏差。
5.電壓變化Voltage Change
有源晶振需要使用干凈穩(wěn)定的電源,電壓變化會(huì)帶動(dòng)電阻變化,輸出電壓需要保持在電源的額定值。
-
晶體
+關(guān)注
關(guān)注
2文章
1391瀏覽量
36374 -
無(wú)源晶振
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
856瀏覽量
16901 -
晶振
+關(guān)注
關(guān)注
35文章
3268瀏覽量
70209 -
振蕩電路
+關(guān)注
關(guān)注
18文章
510瀏覽量
99865
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
晶振的主要參數(shù)

晶振的基本原理及特性
什么是晶振的溫度特性?
晶振為何按需選擇晶振是關(guān)鍵
晶振選擇的關(guān)鍵
晶振PPM小參數(shù),大作用
晶振的關(guān)鍵參數(shù)及選型

無(wú)源晶振的結(jié)構(gòu)和參數(shù)特性

無(wú)源晶振的參數(shù)特性
常見(jiàn)的有源晶振選型參數(shù)

評(píng)論