無(wú)源晶振主要參數(shù)

定義

標(biāo)稱(chēng)頻率（Nominal Frequency）

晶體在特定負(fù)載電容和溫度條件下（通常25℃）的基準(zhǔn)諧振頻率。

負(fù)載電容（Load Capacitance, CL）

晶振工作時(shí)，其兩端所連接的總等效電容

諧振電阻（Equivalent Series Resistance）

晶體在串聯(lián)諧振時(shí)的等效阻抗

頻差（Frequency to tolerance at 25℃）

出廠時(shí)在標(biāo)稱(chēng)負(fù)載電容和常溫（25℃）下的初始頻率誤差。

老化率（Aging）

晶體長(zhǎng)期使用后因材料應(yīng)力釋放、污染物吸附等引起的累積頻率偏移

溫度穩(wěn)定性（Stability over temperature）

晶體頻率隨溫度變化的敏感度

儲(chǔ)存溫度（Storage Temperature Range ）

無(wú)源晶振的儲(chǔ)存溫度

激勵(lì)功率（Level of Drive ）

對(duì)施加在石英晶片上的電流的規(guī)定參數(shù)指標(biāo)，代表驅(qū)動(dòng)晶振（振蕩電路）所需的功率

振蕩模式（Mode of vibration）

基頻/泛音

工作溫度 （Operating Temperature Range）

無(wú)源晶振的工作溫度

有源晶振主要參數(shù)

定義

標(biāo)稱(chēng)頻率 （Nominal Frequency）

晶振實(shí)際輸出的時(shí)鐘頻率，可能包含分頻/倍頻后的值

頻率穩(wěn)定度（Frequency Stability）

全溫度范圍內(nèi)頻率最大偏移，包含初始誤差、溫度漂移、電壓波動(dòng)等綜合影響

電源電壓 （Supply Voltage）

晶振正常工作所需的供電電壓范圍

工作電流 （Current Consumption）

振蕩器所消耗的電流總量

相位噪聲（Phase Noise）

信號(hào)在頻域上的短期穩(wěn)定性，反映時(shí)鐘抖動(dòng)（Jitter）特性

起振時(shí)間（Start up time）

當(dāng)電壓開(kāi)始供電的那一段起振，振蕩器輸出達(dá)到穩(wěn)定時(shí)的時(shí)間

輸出波形（Output Type）

CMOS、削峰正弦波、LVDS、LVPECL、CML、HCSL

上升時(shí)間（Rise Time）

輸出電壓從Logic “0”到Logic “1”所花費(fèi)的時(shí)間（10%->90%）

下降時(shí)間（Fall Time）

輸出電壓從Logic “1”到Logic “0”所花費(fèi)的時(shí)間（90%->10%）