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玨芯微電子研究基于沖擊響應(yīng)譜的紅外探測(cè)器引線鍵合

MEMS ? 來源:紅外芯聞 ? 2023-07-28 10:47 ? 次閱讀

制冷型紅外探測(cè)器有響應(yīng)快、靈敏度高和探測(cè)距離遠(yuǎn)的特點(diǎn),在智能光電裝備中應(yīng)用廣泛。然而在實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景中會(huì)經(jīng)歷沖擊激勵(lì),引起沖擊響應(yīng),為了確保制冷型紅外探測(cè)器能夠勝任復(fù)雜多變的苛刻環(huán)境,在設(shè)計(jì)階段進(jìn)行沖擊響應(yīng)譜環(huán)境適應(yīng)性研究十分必要。

據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道,近期,浙江玨芯微電子有限公司的科研團(tuán)隊(duì)在《紅外技術(shù)》期刊上發(fā)表了以“基于沖擊響應(yīng)譜的紅外探測(cè)器引線鍵合研究”為主題的文章。該文章第一作者和通訊作者為熊雄高級(jí)工程師,主要從事紅外探測(cè)器封裝技術(shù)方面的研究工作。

本文針對(duì)紅外探測(cè)器引線鍵合技術(shù),建立有限元模型進(jìn)行模態(tài)分析引線弧形,綜合考慮引線材料特性選擇最佳引線材料,并進(jìn)行一系列工藝優(yōu)化及杜瓦加固,最后通過沖擊響應(yīng)譜試驗(yàn)對(duì)引線鍵合質(zhì)量進(jìn)行評(píng)估。

沖擊響應(yīng)譜試驗(yàn)條件

沖擊試驗(yàn)一般分為經(jīng)典沖擊和沖擊響應(yīng)譜試驗(yàn)兩種。經(jīng)典沖擊一般有半正弦波、梯形波和鋸齒波3種,大量研究表明試件即使通過了經(jīng)典沖擊試驗(yàn),在實(shí)際使用環(huán)境中仍會(huì)損壞,因此不適合采用經(jīng)典沖擊作為檢測(cè)條件的試驗(yàn)規(guī)范。GJB 150A中也明確規(guī)定只有證明測(cè)量數(shù)據(jù)在經(jīng)典脈沖的容差內(nèi),才允許采用梯形波和鋸齒波的經(jīng)典沖擊試驗(yàn),其他均以沖擊響應(yīng)譜作為瞬態(tài)沖擊的試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)。與經(jīng)典沖擊相比,沖擊響應(yīng)譜試驗(yàn)不僅研究沖擊波本身,而且更加關(guān)注沖擊作用與系統(tǒng)的效果,估計(jì)沖擊對(duì)結(jié)構(gòu)的損傷大小,更加接近真實(shí)的沖擊環(huán)境。因此,本研究以沖擊響應(yīng)譜試驗(yàn)作為衡量紅外探測(cè)器中引線鍵合質(zhì)量的檢測(cè)條件。

考慮到?jīng)_擊響應(yīng)譜是針對(duì)不同頻率的響應(yīng)進(jìn)行計(jì)算,可將紅外探測(cè)器的耦合作用分解為多個(gè)線性單自由度系統(tǒng),對(duì)于每個(gè)單自由度系統(tǒng)進(jìn)行沖擊響應(yīng)譜計(jì)算,取系統(tǒng)響應(yīng)的最大值,然后結(jié)合紅外探測(cè)器的固有頻率便可得出整個(gè)系統(tǒng)的沖擊響應(yīng)譜。圖1為單自由度(SDOF)系統(tǒng)的沖擊響應(yīng)振動(dòng)模型。

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圖1 SDOF系統(tǒng)沖擊響應(yīng)振動(dòng)模型

圖中,a為輸入運(yùn)動(dòng),b為響應(yīng)運(yùn)動(dòng),m為載荷質(zhì)量,k、c分別為SDOF的剛度系數(shù)與阻尼系數(shù)。根據(jù)沖擊響應(yīng)譜的頻率范圍和取樣間隔,得到各個(gè)小波分量頻率,該頻率即為各個(gè)SDOF的固有頻率,然后計(jì)算各SDOF在激勵(lì)下的響應(yīng)曲線,取其峰值并結(jié)合各小波分量頻率即得到?jīng)_擊響應(yīng)譜。

基于應(yīng)用需求,為研制能適應(yīng)沖擊響應(yīng)譜為1000 g量級(jí)(試驗(yàn)參數(shù)如圖2)的高可靠紅外探測(cè)器,本研究重點(diǎn)攻關(guān)杜瓦封裝中的引線鍵合加固設(shè)計(jì)與工藝優(yōu)化。

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圖2 沖擊試驗(yàn)參數(shù)

引線鍵合設(shè)計(jì)

紅外探測(cè)器在運(yùn)輸、試驗(yàn)和使用中會(huì)經(jīng)歷各種振動(dòng)和熱環(huán)境,封裝杜瓦也同樣受到環(huán)境的影響。杜瓦內(nèi)部引線鍵合一般分為同一水平面的和不同水平面的鍵合,后者由于引線弧形不對(duì)稱及受力不平衡,更容易產(chǎn)生過大應(yīng)力應(yīng)變甚至斷裂的風(fēng)險(xiǎn)。如圖3所示,杜瓦封裝內(nèi)基板與引線環(huán)鍵合時(shí),第一、二焊點(diǎn)間隔距離遠(yuǎn)且不在同一水平面上,其中,引線水平方向跨距為ΔL、垂直方向跨高為ΔH。

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圖3 鍵合引線示意圖

圖3中,引線弧形是由劈刀運(yùn)動(dòng)軌跡決定的,在鍵合第一焊點(diǎn)后,劈刀先向上運(yùn)動(dòng)高度h1;然后向左運(yùn)動(dòng)距離l1;最后向下運(yùn)動(dòng)高度h2并鍵合第二焊點(diǎn)形成最終的引線弧形。

通過引線弧形各點(diǎn)數(shù)據(jù)建立模型并進(jìn)行有限元分析,建立的紅外探測(cè)器模型中,底部法蘭面進(jìn)行固定支撐約束,其余各部件進(jìn)行綁定約束,仿真的引線材料為30 μm的鉑絲,設(shè)定1000 g沖擊響應(yīng)譜試驗(yàn)條件,分別沿X、Y、Z三軸正方向進(jìn)行仿真,最終得到3個(gè)方向的單軸沖擊仿真結(jié)果。圖4中ΔH為7000 μm時(shí),Y軸正方向引線位移的仿真結(jié)果,最大位移為0.2672 mm。將10根引線弧形的仿真結(jié)果整合后得到圖5。

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圖4 沿Y軸沖擊的弧形位移仿真結(jié)果

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圖5 弧形仿真結(jié)果:(a)為弧高與位移的關(guān)系;(b)為弧高與應(yīng)力的關(guān)系

圖5中結(jié)果顯示,在1000 g沖擊響應(yīng)譜試驗(yàn)條件下,Y軸正方向沖擊對(duì)弧形的位移與應(yīng)力影響最大,Z軸正方向的沖擊對(duì)其影響最小,X軸居中。且隨著弧高逐漸增大,弧形應(yīng)力與位移也逐漸變大。因此為了減小1000 g沖擊響應(yīng)譜條件下引線形變及斷裂的可能,需要弧高盡可能小。

除了考慮鍵合引線弧形外,鍵合引線的材料對(duì)鍵合質(zhì)量也有直接關(guān)系,并影響紅外探測(cè)器組件長(zhǎng)期使用的可靠性和穩(wěn)定性。紅外探測(cè)器封裝對(duì)引線材料的要求是:低電阻的歐姆連接、漏熱小、可塑性好、鍵合處的機(jī)械強(qiáng)度高以及鍵合完成后對(duì)杜瓦真空度影響小。常用的引線材料有:金絲、銀絲、鉑絲、硅鋁絲、鋁絲和銅絲等,表1列出了常用引線材料的部分物理參數(shù)。

表1 鍵合引線部分物理參數(shù)

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紅外探測(cè)器為了獲得可以接受的制冷時(shí)間,必須相應(yīng)地降低杜瓦組件的靜態(tài)熱負(fù)載。因此紅外探測(cè)器的引線選擇除了考慮鍵合性能外,還要兼顧引線漏熱。此外,為避免紅外探測(cè)器在實(shí)際應(yīng)用過程中發(fā)生共振現(xiàn)象導(dǎo)致紅外探測(cè)器損壞,材料的固有頻率則需要被考慮。通過對(duì)鍵合引線受力分析及綜合考慮材料多種特性之后,最終優(yōu)選30 μm鉑絲為鍵合材料且確定了其鍵合弧形參數(shù)。

引線鍵合工藝優(yōu)化

引線鍵合的可靠性受多種因素影響,如鍵合表面材質(zhì)、鍵合表面狀態(tài)、引線材料、鍵合參數(shù)及杜瓦整體抗振性能等。在基板、引線環(huán)及鍵合引線材料確定的前提下,引線鍵合的質(zhì)量則只與鍵合表面狀態(tài)、鍵合參數(shù)和杜瓦整體抗振性能有關(guān)。我們將鍵合表面狀態(tài)因素設(shè)定為A,鍵合參數(shù)因素設(shè)定為B,杜瓦整體抗振性能因素為C,則鍵合引線發(fā)生各種斷裂等失效的概率為P(ABC)。以玨芯微電子的制冷型紅外探測(cè)器為例,在過去30個(gè)制冷型紅外探測(cè)器共計(jì)900根引線1000 g沖擊響應(yīng)譜試驗(yàn)中,存在26根為鍵合參數(shù)不適合導(dǎo)致失效,存在25根因鍵合表面狀態(tài)問題導(dǎo)致的失效,存在11根因杜瓦整體抗振性能差導(dǎo)致的引線斷裂失效。

在1000 g沖擊響應(yīng)譜試驗(yàn)條件下,30根引線即單個(gè)紅外探測(cè)器通過試驗(yàn)的概率并不高,即鍵合工藝仍然有較大的優(yōu)化空間。在以鉑絲作為鍵合引線材料后,為了進(jìn)一步提高鍵合強(qiáng)度,主要采用直接加固和間接加固的方式。直接加固方式包括對(duì)鍵合表面的潔凈處理、鍵合工藝參數(shù)的優(yōu)化以及植球等方式。其中,鍵合表面潔凈處理在一般清潔表面污染方式的基礎(chǔ)上增加了等離子清洗工藝;鍵合工藝參數(shù)的優(yōu)化可通過設(shè)計(jì)正交試驗(yàn),取鍵合三要素鍵合壓力、超聲功率、超聲時(shí)間構(gòu)成3因素4水平的正交實(shí)驗(yàn),并對(duì)結(jié)果進(jìn)行極差分析從而得出最佳的鍵合工藝參數(shù);植球則是指在第二焊點(diǎn)鍵合結(jié)束后,再對(duì)第二焊點(diǎn)進(jìn)行球焊操作,植球后的引線強(qiáng)度往往比未植球時(shí)高。間接加固方式為對(duì)杜瓦冷指頂端輔助加固從而對(duì)懸臂梁結(jié)構(gòu)進(jìn)行力學(xué)強(qiáng)化,在減少其振動(dòng)的同時(shí)而間接減少鍵合引線的受力。中國(guó)科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所也提出了一種杜瓦冷指頂端輔助加固的力學(xué)強(qiáng)化方式。

采用推拉力試驗(yàn)機(jī)對(duì)工藝優(yōu)化后的鍵合引線進(jìn)行測(cè)試,測(cè)試速度為500 μm/s,設(shè)定負(fù)載40 g。圖6為工藝優(yōu)化前后鍵合引線拉力強(qiáng)度值對(duì)比。

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圖6 鍵合引線拉力強(qiáng)度對(duì)比

沖擊響應(yīng)譜試驗(yàn)

對(duì)引線鍵合優(yōu)化后的紅外探測(cè)器進(jìn)行1000 g沖擊試驗(yàn),試驗(yàn)參數(shù)如圖2,加載方向±X、±Y、±Z每向3次。圖8為試驗(yàn)流程。

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圖8 沖擊響應(yīng)譜試驗(yàn)過程

沖擊響應(yīng)譜試驗(yàn)一般包括圖中9個(gè)步驟,試驗(yàn)開始前首先調(diào)節(jié)設(shè)備沖擊響應(yīng)譜,使其輸出與試驗(yàn)條件一致,接著確認(rèn)紅外探測(cè)器試驗(yàn)前狀態(tài),然后就可以開始試驗(yàn)。試驗(yàn)時(shí)按X、-X、Y、-Y、Z、-Z的順序進(jìn)行沖擊響應(yīng)譜試驗(yàn),試驗(yàn)完成后確認(rèn)探測(cè)器的狀態(tài)。

試驗(yàn)結(jié)束后分析得到:4個(gè)紅外探測(cè)器試驗(yàn)樣品經(jīng)過1000 g量級(jí)沖擊響應(yīng)譜試驗(yàn)后未發(fā)現(xiàn)明顯的缺陷,鍵合引線亦保持正常的電氣連接功能。因此,對(duì)鍵合引線受力進(jìn)行理論分析、綜合考慮鍵合引線材料及工藝優(yōu)化這一體系措施對(duì)于提高鍵合引線在沖擊響應(yīng)譜試驗(yàn)下的可靠性是有效且可行的。

結(jié)論與展望

本研究通過建立有限元模型對(duì)紅外探測(cè)器杜瓦封裝中的鍵合引線進(jìn)行模態(tài)分析,綜合考慮鍵合材料的物性參數(shù),最終選定了鉑絲作為鍵合材料并確定了其弧形參數(shù)。在對(duì)引線鍵合工藝進(jìn)行優(yōu)化后得到了符合期望的引線鍵合質(zhì)量,且通過了1000 g量級(jí)沖擊響應(yīng)譜試驗(yàn)。本研究給基于沖擊響應(yīng)譜試驗(yàn)條件下如何提高鍵合引線可靠性提供了新的思路。然而,該研究仍然有優(yōu)化的空間:

1)由于缺少高速攝像設(shè)備,對(duì)于鍵合引線在沖擊環(huán)境下的實(shí)際運(yùn)動(dòng)軌跡未能捕捉到;

2)下一步,可通過設(shè)備升級(jí)及采用多種檢測(cè)方法來更好地把控鍵合一致性;

3)建立多變量系統(tǒng)性的仿真平臺(tái),獲得更接近真實(shí)情況的引線鍵合仿真數(shù)據(jù);

4)完善鍵合引線材料數(shù)據(jù)庫(kù),做到針對(duì)不同情況快速篩選合適的引線材料。






審核編輯:劉清

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原文標(biāo)題:玨芯微電子研究基于沖擊響應(yīng)譜的紅外探測(cè)器引線鍵合

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    金絲<b class='flag-5'>鍵</b><b class='flag-5'>合</b>強(qiáng)度測(cè)試儀試驗(yàn)方法:<b class='flag-5'>鍵</b><b class='flag-5'>合</b>拉脫、<b class='flag-5'>引線</b>拉力、<b class='flag-5'>鍵</b><b class='flag-5'>合</b>剪切力

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    的頭像 發(fā)表于 07-03 16:06 ?1339次閱讀
    探索<b class='flag-5'>紅外</b>熱成像<b class='flag-5'>探測(cè)器</b>的基礎(chǔ)原理

    紅外探測(cè)器封裝秘籍:高可靠性工藝全解析

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    的頭像 發(fā)表于 05-23 09:38 ?1235次閱讀
    <b class='flag-5'>紅外</b><b class='flag-5'>探測(cè)器</b>封裝秘籍:高可靠性<b class='flag-5'>鍵</b><b class='flag-5'>合</b>工藝全解析