新品 | 用于高速開關(guān)應(yīng)用的1200V EasyDUAL? CoolSiC? MOSFET
增強型1代1200V CoolSiC MOSFET的EasyDUAL 1B半橋模塊，采用PressFIT壓接式安裝技術(shù)和溫度檢測NTC，并有使用預(yù)涂的熱界面材料（TIM）版本。
產(chǎn)品型號：
FF17MR12W1M1H_B11
17mΩ 1200V
FF17MR12W1M1H_B70
17mΩ 1200V 低熱阻
FF17MR12W1M1HP_B11
17mΩ 1200V TIM版本
FF33MR12W1M1H_B11
33mΩ 1200V
FF33MR12W1M1HP_B11
33mΩ 1200V TIM版本
產(chǎn)品特點
1200V CoolSiC MOSFET
Easy1B封裝
Best-in-class 12毫米高度模塊封裝
非常低的模塊寄生電感
RBSOA反向工作安全區(qū)寬
柵極驅(qū)動電壓窗口大
PressFIT引腳
兩個阻值型號都有帶有熱界面材料版本
應(yīng)用價值
擴(kuò)展了柵源電壓最大值：+23V和-10V
在過載條件下，Tvjop最高可達(dá)175°C
最佳的性價比，可降低系統(tǒng)成本
可工作在高開關(guān)頻率，并改善對冷卻要求
競爭優(yōu)勢
引入新的M1H增強型1代芯片系列模塊，Best-in-class 1200V Easy1B模塊
采用英飛凌WBG材料，達(dá)到功率和效率的新水平
緊跟市場的新趨勢，支持多種目標(biāo)應(yīng)用
應(yīng)用領(lǐng)域
電機控制和驅(qū)動
不間斷電源(UPS)
電動汽車充電
光伏系統(tǒng)的解決方案
儲能系統(tǒng)
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