英飛凌第二代CoolSiC MOSFET G2分立器件1200V TO-247-4HC高爬電距離

采用TO-247-4HC高爬電距離封裝的第二代CoolSiC MOSFET G2 1200V 12mΩ至78mΩ系列以第一代技術的優(yōu)勢為基礎，加快了系統(tǒng)設計的成本優(yōu)化，實現(xiàn)高效率、緊湊設計和可靠性。

第二代產(chǎn)品在硬開關工況和軟開關拓撲的關鍵性能指標上都有顯著改進，適用于所有常見的交流-直流、直流-直流和直流-交流各種功率變換。

產(chǎn)品型號：

■IMZC120R012M2H

■IMZC120R017M2H

■IMZC120R022M2H

■IMZC120R026M2H

■IMZC120R034M2H

■IMZC120R040M2H

■IMZC120R053M2H

■IMZC120R078M2H

產(chǎn)品特點

RDS(on)=12-78mΩ，VGS=18V，Tvj=25°C

開關損耗極低

更大的最大VGS范圍，-10V至+25V

過載運行溫度最高可達Tvj=200°C

最大短路耐受時間2μs

基準柵極閾值電壓4.2V

應用價值

更高的能源效率

優(yōu)化散熱

更高的功率密度

新的穩(wěn)健性性能

高可靠性

容易并聯(lián)

競爭優(yōu)勢

性能增強：開關損耗更低，效率更高

.XT互連技術：熱阻更低，MOSFET溫度更低

市場上同類最佳的最低RDS(on）

數(shù)據(jù)手冊上保證的短路最大承受時間

獨特的堅固性

應用領域

電動汽車充電

工業(yè)電機驅動和控制

不間斷電源(UPS)

三相組串逆變器