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新品 | 第二代 CoolSiC? MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬電距離

英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體 ? 2025-02-08 08:34 ? 次閱讀

新品

第二代CoolSiC MOSFET G2

分立器件1200V TO-247-4HC

高爬電距離

7dadce48-e5b4-11ef-9434-92fbcf53809c.jpg

采用TO-247-4HC高爬電距離封裝的第二代CoolSiC MOSFET G2 1200V 12mΩ至78mΩ系列以第一代技術(shù)的優(yōu)勢為基礎(chǔ),加快了系統(tǒng)設(shè)計的成本優(yōu)化,實現(xiàn)高效率、緊湊設(shè)計和可靠性。

第二代產(chǎn)品在硬開關(guān)工況和軟開關(guān)拓撲的關(guān)鍵性能指標上都有顯著改進,適用于所有常見的交流-直流、直流-直流和直流-交流各種功率變換。

產(chǎn)品型號:

IMZC120R012M2H

IMZC120R017M2H

IMZC120R022M2H

IMZC120R026M2H

IMZC120R034M2H

IMZC120R040M2H

IMZC120R053M2H

IMZC120R078M2H

產(chǎn)品特點

RDS(on)=12-78mΩ,VGS=18V,Tvj=25°C

開關(guān)損耗極低

更大的最大VGS范圍,-10V至+25V

過載運行溫度最高可達Tvj=200°C

最大短路耐受時間2μs

基準柵極閾值電壓4.2V

應(yīng)用價值

更高的能源效率

優(yōu)化散熱

更高的功率密度

新的穩(wěn)健性性能

高可靠性

容易并聯(lián)

競爭優(yōu)勢

性能增強:開關(guān)損耗更低,效率更高

.XT互連技術(shù):熱阻更低,MOSFET溫度更低

市場上同類最佳的最低RDS(on)

數(shù)據(jù)手冊上保證的短路最大承受時間

獨特的堅固性

應(yīng)用領(lǐng)域

電動汽車充電

工業(yè)電機驅(qū)動和控制

不間斷電源(UPS)

三相組串逆變器

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