芯片亮點(diǎn)

VDD耐壓高：芯片VDD耐壓大于40V，高于海外競品10V以上；

工作頻率可調(diào)：芯片振蕩器工作頻率由外圍電阻RRT、電容CCT所設(shè)定，頻率可達(dá)500kHz；

驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)：芯片采用大電流圖騰柱式輸出驅(qū)動(dòng)，提供±1A的峰值輸出驅(qū)動(dòng)能力，應(yīng)用場(chǎng)景更廣泛；

運(yùn)放內(nèi)部集成：芯片內(nèi)部集成了高增益，低輸出阻抗的誤差放大器?？赏ㄟ^內(nèi)部運(yùn)放實(shí)現(xiàn)閉環(huán)反饋；

芯片系列化：芯片按照啟動(dòng)電壓閾值、最大占空比、以及工作電流大小進(jìn)行區(qū)分，推出多個(gè)版本，適配不同需求；

應(yīng)用靈活：芯片內(nèi)部邏輯簡單，可靈活搭建Buck、Boost、Buck-Boost、反激等諸多電路拓?fù)洌€可作為PWM發(fā)生器來使用；

AP8262X系列版本區(qū)分

高可靠性

Chipown工業(yè)輔源系列芯片全部通過工業(yè)級(jí)JEDEC可靠性嚴(yán)苛認(rèn)證。

問題一

芯片工作頻率是如何產(chǎn)生的？

AP8262X系列芯片內(nèi)部集成振蕩器電路，工作頻率由外圍電阻RT、電容CT充放電時(shí)間所決定，頻率可達(dá)500kHz。

AP8262振蕩器工作示意圖

在一個(gè)脈沖周期里，芯片基準(zhǔn)源VREF通過電阻RRT給電容CCT充電，VRT/CT上升到內(nèi)部設(shè)定電壓上限VRT/CT_H時(shí)，振蕩器電路控制內(nèi)部電流源對(duì)CCT以恒流Idisc放電，VRT/CT放電至內(nèi)部設(shè)定電壓下限VRT/CT_L時(shí)，泄放電路關(guān)閉，CCT重新充電，開啟新一周期。

AP8262 RT/CT引腳波形示意圖

可參考以下簡化公式來設(shè)計(jì)RRT、CCT：

問題二

RRT電阻阻值與CCT電容容值可以

隨意選取嗎？

理論上RRT 、CCT 大小可以隨意選取，但實(shí)際應(yīng)用中RRT 、CCT存在一個(gè)合理的選擇范圍。

RRT太小會(huì)使得給CCT充電電流較大，當(dāng)充電電流超過內(nèi)部放電電流時(shí)，CCT無法放電，振蕩器停止工作；

當(dāng)RRT選好后，CCT太小會(huì)使得三角波下降沿時(shí)間較短。若三角波下降沿時(shí)間小于芯片內(nèi)部延時(shí)與驅(qū)動(dòng)下降沿時(shí)間，則驅(qū)動(dòng)將出現(xiàn)異常；

在確定的頻率下，RRT或CCT一方選擇太大，則會(huì)使得另一方太??；

因此綜合考慮，RRT推薦值5kΩ~100kΩ，CCT推薦值1nF~100nF。

問題三

不同版本AP8262X系列芯片

VDDon、VDDoff閾值不同，

該如何選擇？

對(duì)于帶輔助繞組供電的拓?fù)?，建議選擇閾值遲滯電壓大的版本，確保在輔助繞組建立供電之前芯片VDD不會(huì)降到VDDoff以下（見典型應(yīng)用一）；

對(duì)于輸入電壓較低的DC-DC應(yīng)用，可選擇遲滯電壓小的版本，輸入電壓直接給VDD供電（見典型應(yīng)用二） ；

對(duì)于輸入電壓較高或輸入電壓范圍寬的DC-DC應(yīng)用，建議外接輔源供電或在輸入和VDD之間再接一級(jí)穩(wěn)壓電路。

AP8262 UVLO功能示意圖

問題四

芯片如何實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)閉環(huán)反饋？

AP8262X系列芯片內(nèi)部集成了高增益，低輸出阻抗的誤差放大器。放大器同相端接入芯片內(nèi)部2.5V基準(zhǔn)，引出反相端FB和輸出端COMP方便進(jìn)行環(huán)路配置與調(diào)整。

芯片實(shí)現(xiàn)穩(wěn)壓反饋具有兩種方式，一種是使用外部的誤差放大器，如TL431，誤差放大器的輸出反饋到芯片的COMP腳，實(shí)現(xiàn)閉環(huán)反饋；另一種是將輸出電壓分壓反饋到芯片F(xiàn)B腳，通過芯片內(nèi)部誤差放大器產(chǎn)生誤差反饋，即COMP腳電壓，來實(shí)現(xiàn)閉環(huán)反饋；

AP8262 反饋方式一

AP8262 反饋方式二

AP8262X系列芯片最大的特點(diǎn)就是使用靈活，工程師們可以通過搭建外圍電路來實(shí)現(xiàn)所需輔助功能。

01

軟啟動(dòng)電路

軟啟動(dòng)會(huì)使得啟動(dòng)階段最大峰值電流限制逐步的提高，可以大大減小器件的應(yīng)力。

芯片上電時(shí)，COMP腳內(nèi)部恒流源通過二極管D1給電容C充電，COMP腳電壓隨電容C電壓逐步升高，從而使得脈沖電流逐步增大來實(shí)現(xiàn)軟啟動(dòng)功能。二極管D2在系統(tǒng)下電時(shí)通過芯片內(nèi)部阻抗給C放電，使得再次上電時(shí)軟啟動(dòng)功能正常。

AP8262軟啟動(dòng)電路

02

斜坡補(bǔ)償電路

峰值電流控制模式在CCM工況下占空比高于50%時(shí)，會(huì)出現(xiàn)次諧波振蕩，需要斜坡補(bǔ)償電路使得擾動(dòng)逐步縮小。

將AP8262的RT/CT腳電壓通過一射極跟隨器電路，疊加到CS管腳電流采樣信號(hào)上，等效于對(duì)電流波形擾動(dòng)添加了斜坡抑制，從而使得系統(tǒng)穩(wěn)定，斜坡補(bǔ)償量通過RSLOPE電阻來調(diào)節(jié)。

AP8262斜坡補(bǔ)償電路

03

快速關(guān)斷電路

在需要快速關(guān)斷的場(chǎng)合，可以將芯片COMP腳電壓下拉到2VF以下（兩個(gè)二極管壓降），或?qū)S管腳電壓上拉至高電平來快速關(guān)斷芯片輸出。

這里提供了一種快速關(guān)斷電路，當(dāng)給Q2基極施加一個(gè)高電平，通過兩個(gè)三極管的配合使COMP腳電壓下拉并保持該狀態(tài)。

AP8262快速關(guān)斷電路

AP8262X系列芯片簡單易用，可靈活搭建Buck、Boost、Buck-Boost、反激等諸多電路拓?fù)洌€可作為PWM發(fā)生器來使用。以下推薦兩型典型應(yīng)用電路。

典型應(yīng)用一：離線應(yīng)用，隔離反激拓?fù)?，采用外部誤差放大器（TL431）進(jìn)行反饋。供電采用輔助繞組供電。

AP8262 應(yīng)用于原副邊隔離反激系統(tǒng)

典型應(yīng)用二：DC-DC應(yīng)用，Boost升壓拓?fù)?，采用?nèi)部誤差放大器進(jìn)行反饋（反饋接FB引腳），輸入電壓直接供電。

AP8262 應(yīng)用于Boost升壓系統(tǒng)

應(yīng)用要點(diǎn)

VDD和VREF電容CVDD和CVREF放在距離VDD、VREF管腳和GND管腳最近的地方；使用內(nèi)部誤差放大器時(shí)，為了減小管腳對(duì)地寄生電容對(duì)于穩(wěn)定性的不良影響，反饋網(wǎng)絡(luò)盡量靠近FB管腳，減小走線長度和面積。

振蕩器頻率設(shè)置電阻RRT、電容 CCT取值在推薦范圍之內(nèi)，RRT推薦值為5kΩ~100kΩ，CCT推薦值為1nF~100nF。RRT、CCT到芯片管腳的連接盡量短，少外部干擾；CCT接地需要接到芯片地，接功率地會(huì)帶來不穩(wěn)定干擾；

CS腳建議增加RC濾波器，提高抗干擾性，其截止頻率應(yīng)大于10倍開關(guān)頻率。RCSF推薦值為1kΩ，CCSF推薦值為300pF。

啟動(dòng)電阻RSTART（反激系統(tǒng)）的選取除了滿足啟動(dòng)電流要求外，還需要綜合考慮啟動(dòng)時(shí)間以及電阻上損耗；

電阻RBLEEDER可以避免欠壓鎖定期間芯片漏電流使得MOSFET誤開通，推薦值10kΩ；

審核編輯：劉清