電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/吳子鵬）隨著遠(yuǎn)程醫(yī)療、智慧醫(yī)療、數(shù)字醫(yī)療等創(chuàng)新概念的興起，全球醫(yī)療電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展換擋提速，未來(lái)幾年將保持蓬勃發(fā)展的態(tài)勢(shì)。在PCIM Asia 2023上，Littelfuse半導(dǎo)體應(yīng)用技術(shù)經(jīng)理劉鵬援引市場(chǎng)分析機(jī)構(gòu)Statista的數(shù)據(jù)稱(chēng)，預(yù)計(jì)到2030年全球市場(chǎng)中美國(guó)、中國(guó)、法國(guó)和德國(guó)醫(yī)療設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模均將超過(guò)500億美元，其中美國(guó)醫(yī)療設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模屆時(shí)將超過(guò)2000億美元。

數(shù)據(jù)來(lái)源：Statista

他指出，針對(duì)醫(yī)療設(shè)備市場(chǎng)，Littelfuse提供三大產(chǎn)品線，分別是來(lái)自IXYS的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，包括可控硅、Mosfet、IGBT、二極管、三極管和驅(qū)動(dòng)器等；來(lái)自Littelfuse的電路保護(hù)器件，包括保險(xiǎn)絲、TVS二極管、保護(hù)IC等；還有來(lái)自C&K的按鍵產(chǎn)品，包括觸控按鍵、按鍵開(kāi)關(guān)和滑動(dòng)按鍵等。



Littelfuse將醫(yī)療設(shè)備市場(chǎng)分為三個(gè)方向，分別是生命力支持設(shè)備、外科手術(shù)設(shè)備、診斷和治療設(shè)備。

除顫儀AED屬于生命力支持設(shè)備。劉鵬介紹稱(chēng)，圍繞除顫儀，Littelfuse在電源系統(tǒng)、電池管理單元、開(kāi)關(guān)按鈕、用戶(hù)界面和高壓脈沖放電H橋(H-Bridge)等方面都有產(chǎn)品供應(yīng)。在H橋應(yīng)用上，Littelfuse提供獨(dú)有的3000V IGBT，不僅提高了AED的可靠性，并且縮小了設(shè)備體積和設(shè)計(jì)周期。。

除顫儀電路框圖

應(yīng)用于除顫儀的IGBT并非普通的IGBT產(chǎn)品，而是高壓IGBT，器件的工作電壓達(dá)到3000V。Littelfuse的Very High Voltage系列BiMOSFET兼具M(jìn)OSFET和IGBT的優(yōu)勢(shì)，工作電壓為2500V-3600V。除顫儀的電池電壓一般為12V或24V，然后升壓到2000VDC，H橋是目前除顫儀中主流的電路架構(gòu)。根據(jù)劉鵬的介紹，現(xiàn)階段在醫(yī)療設(shè)備用的3000V IGBT市場(chǎng)只有Littelfuse獨(dú)家供應(yīng)，是一個(gè)出貨量很大的產(chǎn)品類(lèi)別。除了IGBT，高壓可控硅也是Littelfuse在除顫儀市場(chǎng)非常具有統(tǒng)治力的一個(gè)器件，在2500V高壓可控硅市場(chǎng)幾乎沒(méi)有競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。

他指出，過(guò)去幾年，除顫儀設(shè)備在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)快速起量，原因在于政府政策對(duì)于公眾健康更加重視，像體育場(chǎng)、學(xué)校、交通樞紐和醫(yī)院等公共場(chǎng)所都開(kāi)始要求配備除顫儀。未來(lái)，家用除顫儀是一個(gè)巨大的待開(kāi)發(fā)市場(chǎng)，出貨量可能遠(yuǎn)超過(guò)現(xiàn)有的市場(chǎng)規(guī)模，小型化和低成本是其中的挑戰(zhàn)。除顫儀也是本次Littelfuse在PCIM Asia 2023上重點(diǎn)展示的醫(yī)療設(shè)備方案。

X光影像系統(tǒng)DR屬于診斷和治療設(shè)備，Littelfuse在高壓發(fā)生器、輔助電源和用戶(hù)界面方面能夠提供相關(guān)器件。

X光影像系統(tǒng)電路框圖

劉鵬談到，X光影像系統(tǒng)里面的高壓發(fā)生器會(huì)產(chǎn)生一個(gè)150kV的高壓，功率可能達(dá)到40-80kW的級(jí)別，Littelfuse高性能大電流的保險(xiǎn)絲在其中起到了保護(hù)作用。另外，設(shè)備前端會(huì)用到Littelfuse的三相整流橋，850V-1000V的MOSFET應(yīng)用在高壓發(fā)生器(HV Generator)，高壓的MOSFET是Littelfuse的強(qiáng)項(xiàng)，這些器件擁有超低的RDS（ON）和Qg，以及卓越的dv/dt性能，可以顯著提高醫(yī)療產(chǎn)品的可靠性。

超聲手術(shù)刀是一種外科手術(shù)設(shè)備，主要用于生物組織的切割與血管閉合等操作。具有出血少、對(duì)周?chē)M織傷害少、術(shù)后恢復(fù)快等特點(diǎn)。在相關(guān)設(shè)備的AD/DC系統(tǒng)、電源系統(tǒng)和換能器等方面，Littelfuse提供了對(duì)應(yīng)的解決方案。

劉鵬表示，超聲手術(shù)刀電路的功率不大，一般不超過(guò)200W，但電路較為復(fù)雜。功放電路(Power Amplifier), 發(fā)出純正的正弦波，推動(dòng)換能器工作。由于換能器核心部件是壓電陶瓷，在正弦波的激勵(lì)下，換能器不停地震蕩，將電能轉(zhuǎn)化成機(jī)械能，會(huì)以55.5kHz的高頻來(lái)進(jìn)行切割。

超聲手術(shù)刀電路框圖

在超聲手術(shù)刀應(yīng)用中，如果用方波驅(qū)動(dòng)換能器，那么就會(huì)造成換能器異常損壞，因此純正的正弦波才能保證換能器的工作壽命。
Littelfuse提供極具創(chuàng)新價(jià)值的線性MOSFET管。這種器件和傳統(tǒng)的開(kāi)關(guān)MOSFET有很大的不同，后者的驅(qū)動(dòng)波形一般是PWM方波，而Littelfuse的線性MOSFET管可以承受?chē)?yán)苛的正弦波驅(qū)動(dòng)。

常規(guī)MOSFET管內(nèi)部是均勻排布的小MOSFET管，比例是相同的，那么在開(kāi)關(guān)波形里面就會(huì)具有很好的一致性。不過(guò)，常規(guī)MOSFET的開(kāi)啟電壓Vgsth是負(fù)溫度系數(shù)的，熱點(diǎn)主要集中在器件的中間區(qū)域。由于Vgsth是負(fù)溫度系數(shù)的，那么器件中間熱區(qū)的MOSFET管Vgsth 將進(jìn)一步下降，并形成正反饋，導(dǎo)致電流異常集中而損壞Mosfet。 Littelfuse的技術(shù)創(chuàng)新在于，將MOSFET中間區(qū)域MOSFET晶胞的Vgsth人為調(diào)高，這是一個(gè)非常領(lǐng)先的工藝調(diào)整。當(dāng)MOSFET 工作在線性區(qū)，大電流進(jìn)入Littelfuse的線性MOSFET管時(shí)，器件表面的溫度就會(huì)趨向均勻，不會(huì)因?yàn)闊峒行?yīng)而失效。


除了這些典型的案例，劉鵬還向電子發(fā)燒友網(wǎng)記者介紹了Littelfuse 產(chǎn)品在創(chuàng)新醫(yī)療中的應(yīng)用。比如：脈沖電場(chǎng)消融、血管內(nèi)脈沖除鈣化和呼吸機(jī)等方面的應(yīng)用，涉及了4500V超高壓IGBT等功率器件以及C&K的高性能開(kāi)關(guān)，體現(xiàn)了Littelfuse在醫(yī)療電子領(lǐng)域的布局廣度和布局深度。