氮化鎵和碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料，整體發(fā)展較晚，滲透率較低。隨著半導(dǎo)體化合物的穩(wěn)定發(fā)展，第三代半導(dǎo)體具有高穿透電場(chǎng)、高導(dǎo)熱率、高電子遷移率、高操作溫度等特點(diǎn)。與第一代硅基半導(dǎo)體和第二代砷化邈相比。該設(shè)備具有更大的功率和更好的頻率特性，用于代表物質(zhì)制造。 氮化鎵的能量間隙很寬，是3.4電子伏特，可用于大功率、高速光電元件，如紫光激光二極管，非線性半導(dǎo)體泵浦固體激光器（Diode-pumped solid-state laser）紫光激光(405nm)在條件下產(chǎn)生。

Keep Tops氮化鎵的特點(diǎn)：

1、氮化鎵芯片KT65C1R200D擁有強(qiáng)大的擊穿電壓：材料本身具有很高的抗壓能力，目前相對(duì)完善的Si基GaN設(shè)備的耐壓性一般在650V-1200V，長(zhǎng)時(shí)間應(yīng)用于高功率領(lǐng)域。

2、GaN最好的優(yōu)點(diǎn)是開(kāi)關(guān)頻率高。 GaN可以解決更高頻率和更高功率的問(wèn)題。與硅設(shè)備相比，它可以在尺寸和能耗減半的情況下運(yùn)輸相同的功率，從而提高功率，有利于設(shè)計(jì)師滿(mǎn)足更高的功率要求，而不增加設(shè)計(jì)空間。

3、更高的頻率交換意味著GaN可以一次轉(zhuǎn)換更廣泛的功率，減少?gòu)?fù)雜設(shè)計(jì)中的功率轉(zhuǎn)換。因?yàn)槊恳淮喂β兽D(zhuǎn)換都會(huì)形成新的能耗，這對(duì)于許多高壓應(yīng)用來(lái)說(shuō)是一個(gè)明顯的優(yōu)勢(shì)?；贕an的新電源和轉(zhuǎn)換系統(tǒng)功率損失較低，產(chǎn)生的熱量較少。

由于高溫會(huì)增加使用成本，影響數(shù)據(jù)信號(hào)，造成機(jī)械故障，這些特性尤為重要。 氮化鎵和碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料，整體發(fā)展較晚，滲透率較低。數(shù)據(jù)顯示，目前氮化鎵半導(dǎo)體器件的滲透率僅為0.2%左右，可大規(guī)模發(fā)展。由于單晶爐產(chǎn)量有限，氮化鎵的成本遠(yuǎn)高于硅基和碳化硅。

然而，與光電器件相比，基于硅和碳化硅的氮化鎵射頻和功率器件的成本較低，這是目前滲透率提高的主流方向。 Gan的演變還沒(méi)有完成。未來(lái)，Gan將繼續(xù)擴(kuò)展到客戶(hù)電子設(shè)備等領(lǐng)域，打造更薄的平板顯示器，減少能源浪費(fèi)?？梢哉f(shuō)，如果你只需要提高3%或4%的能效，你可以通過(guò)許多其他方式來(lái)完成。但是，如果你想讓功率翻倍，KeepTops氮化鎵芯片KT65C1R200D是你的首選。

審核編輯 黃宇