近日，根據(jù)SEMI發(fā)布的《2026年200mm晶圓廠展望報(bào)告》（后簡(jiǎn)稱“報(bào)告”），其預(yù)計(jì)在2023年到2026年，全球半導(dǎo)體制造商200mm（8英寸）晶圓廠產(chǎn)能將增加14%，新增12個(gè)200mm晶圓廠（不包括EPI），達(dá)到每月770多萬(wàn)片晶圓的歷史新高。

汽車和功率半導(dǎo)體產(chǎn)能增速最快，其次為MPU/MCU

功率（化合物）半導(dǎo)體對(duì)消費(fèi)、汽車和工業(yè)領(lǐng)域至關(guān)重要，是8英寸投資的最大驅(qū)動(dòng)力。特別是電動(dòng)汽車的動(dòng)力總成逆變器和充電站的發(fā)展，預(yù)計(jì)隨著電動(dòng)汽車采用率的持續(xù)上升，將推動(dòng)全球8英寸晶圓產(chǎn)能的增長(zhǎng)。據(jù)SEMI統(tǒng)計(jì)，包括Bosch（博世）、Fuji Electric（富士電機(jī)）、Infineon（英飛凌）、Mitsubishi（三菱）、Onsemi（安森美）、Rohm（羅姆）、STMicroelectronics（意法半導(dǎo)體）和Wolfspeed（原Cree，科銳）在內(nèi)的芯片供應(yīng)商正在加快其8英寸產(chǎn)能的項(xiàng)目。

報(bào)告顯示，汽車和功率半導(dǎo)體的晶圓廠產(chǎn)能將增長(zhǎng)34%，排名第一，微處理器單元/微控制器單元（MPU/MCU）排名第二，為21%，其次是MEMS、Analog和Foundry，分別為16%、8%和8%。從代工技術(shù)節(jié)點(diǎn)來(lái)看，80nm至130nm節(jié)點(diǎn)產(chǎn)能預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)10%，而131nm至350nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)產(chǎn)能預(yù)計(jì)將在2023年至2026年增長(zhǎng)18%。

來(lái)源：SEMI

東南亞引領(lǐng)8英寸增長(zhǎng)，中國(guó)大陸占22%產(chǎn)能

按地區(qū)來(lái)看，東南亞預(yù)計(jì)將引領(lǐng)8英寸產(chǎn)能的增長(zhǎng)，將在報(bào)告期內(nèi)增長(zhǎng)32%。預(yù)計(jì)中國(guó)大陸將以22%的增長(zhǎng)率位居第二。作為8英寸產(chǎn)能擴(kuò)張的最大貢獻(xiàn)者，中國(guó)大陸預(yù)計(jì)到2026年將達(dá)到每月170多萬(wàn)片晶圓。美洲、歐洲和中東以及中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)將分別以14%、11%和7%的增長(zhǎng)率緊隨其后。

2023年，中國(guó)大陸預(yù)計(jì)將占據(jù)8英寸晶圓廠產(chǎn)能的22%，而日本預(yù)計(jì)將占據(jù)總產(chǎn)能的16%，中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)、歐洲和中東以及美國(guó)分別占15%、14%和14%。

大陸8英寸晶圓廠現(xiàn)有產(chǎn)能及擴(kuò)產(chǎn)盤點(diǎn)

根據(jù)亞化咨詢統(tǒng)計(jì)，目前國(guó)內(nèi)8英寸晶圓廠已投產(chǎn)項(xiàng)目超20個(gè)，產(chǎn)能約140萬(wàn)片/月。已投產(chǎn)項(xiàng)目中，頭部企業(yè)主要為中芯國(guó)際（含上海、天津、深圳廠）、華虹宏力、上海積塔、及華潤(rùn)微（重慶、無(wú)錫）等大陸廠商，目前產(chǎn)能均超10萬(wàn)片/月，臺(tái)資/外資企業(yè)中，臺(tái)積電上海、蘇州和艦科技、無(wú)錫海力士產(chǎn)能較高，其余企業(yè)實(shí)際產(chǎn)能均為月產(chǎn)數(shù)萬(wàn)片級(jí)。

而未來(lái)8英寸主要擴(kuò)產(chǎn)廠商以內(nèi)資企業(yè)為主，多家頭部企業(yè)有擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，此外，比亞迪半導(dǎo)體、中車時(shí)代電氣、青島芯恩等企業(yè)同樣加入擴(kuò)產(chǎn)大軍，從主要產(chǎn)品來(lái)看，未來(lái)將集中于功率、MCU、MEMS等。

近年來(lái)，受益于新能源汽車和充電樁、光伏逆變及儲(chǔ)能、服務(wù)器及數(shù)據(jù)中心等市場(chǎng)領(lǐng)域的快速發(fā)展，尤其是電動(dòng)汽車領(lǐng)域，中國(guó)已經(jīng)在全球獨(dú)占鰲頭。如IGBT和MOSFET這類功率器件產(chǎn)品已經(jīng)開始被國(guó)內(nèi)企業(yè)廣泛替代。而在過去，這些領(lǐng)域幾乎都是由國(guó)際品牌主導(dǎo)。

功率器件隸屬于半導(dǎo)體分立器件，其是半導(dǎo)體行業(yè)中的一大重要分支，在整體半導(dǎo)體行業(yè)的主營(yíng)業(yè)務(wù)收入中，分立器件占比在22%-25%之間。相比其他類半導(dǎo)體，功率半導(dǎo)體器件差不多每隔二十年才進(jìn)行一次產(chǎn)品迭代，迭代周期相對(duì)慢，每一代芯片都擁有較長(zhǎng)的生命周期，這種特性為國(guó)內(nèi)功率企業(yè)提供了充裕的時(shí)間窗口，也促使功率半導(dǎo)體成為國(guó)產(chǎn)化大將中的一員。除傳統(tǒng)硅基功率器件外，基于SiC/GaN等第三代半導(dǎo)體制造的功率器件，未來(lái)也將廣泛應(yīng)用于上述領(lǐng)域，也是上述8英寸晶圓廠未來(lái)的重要布局項(xiàng)目。