ON熱搜現(xiàn)貨專場(chǎng)，熱搜品類 MOSFET三極管，電源監(jiān)控器，熱搜型號(hào)包括：FDV303N ，CAT811STBI-GT3 ，F(xiàn)DPF33N25T等。

型號(hào)：FDV303N

MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23

活動(dòng)價(jià)：低至￥0.4565

FDV303N是一款N溝道 MOSFET。這種器件通常用于開(kāi)關(guān)和放大電路中，可以控制電流流動(dòng)并放大信號(hào)，其主要功能特性包括：

低功耗：這款 MOSFET 具有低靜態(tài)功耗特性，適用于需要節(jié)能的電路設(shè)計(jì)。

小封裝：通常采用小型封裝，適用于需要在有限空間內(nèi)集成的應(yīng)用。

低閾值電壓：該器件的閾值電壓（Gate Threshold Voltage）通常較低，這意味著較小的輸入電壓就可以控制器件的導(dǎo)通和截止。

開(kāi)關(guān)應(yīng)用：可以用作開(kāi)關(guān)，將控制信號(hào)應(yīng)用于其柵極，以控制其通道的導(dǎo)通和截止，從而控制電流流動(dòng)。

模擬應(yīng)用：除了開(kāi)關(guān)應(yīng)用外，這種 MOSFET 也可以用于模擬電路中，作為信號(hào)放大器或電壓控制元件。

通用用途：屬于一類通用用途的 MOSFET，適用于多種不同的電路設(shè)計(jì)。

規(guī)格參數(shù)

功能特性

?25 V，0.68 A連續(xù)，2 A峰值

?RDS（ON）=0.45Ω@VGS=4.5 V

?RDS（ON）=0.6Ω@VGS=2.7 V

?允許在3 V電路中直接操作的極低電平柵極驅(qū)動(dòng)要求，VGS（th）<1 V?

?用于ESD堅(jiān)固性的門-源齊納，>6 kV人體模型

?緊湊型工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SOT?23表面安裝封裝

?該設(shè)備不含Pb?、無(wú)鹵素/BFR，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

引腳分配圖

功能框圖

瞬態(tài)熱響應(yīng)曲線

封裝設(shè)計(jì)參數(shù)

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型號(hào)：CAT811STBI-GT3IC SUPERVISOR MPU 2.93V SOT-143

活動(dòng)價(jià)：低至￥1.843

型號(hào)：FDPF33N25T

MOSFET N-CH 250V 33A TO-220F

活動(dòng)價(jià)：低至￥10.58

審核編輯：湯梓紅