ARK（方舟微）的MOSFET產品簡介

ARK（方舟微）研發(fā)銷售的MOS產品主要以N溝道-耗盡型MOSFET為主（包括具有自主知識產權的高閾值電壓（UltraVt?）耗盡型MOSFET系列產品），以及N溝道-增強型MOSFET和P溝道-增強型MOSFET。產品耐壓等級覆蓋0～1700V區(qū)間。

ARK（方舟微）的MOSFET產品大部分都具有柵極ESD保護設計，在一定程度上能夠有效避免客戶在元件貼裝過程中或使用過程中因ESD而出現(xiàn)的產品失效，具有ESD保護設計的MOSFET在產品結構示意圖上有如下特征：

怎么避免和增強型MOSFET混淆？

部分客戶在初次接觸耗盡型MOSFET時，若未先行查看其產品規(guī)格書，則可能會按照測試增強型MOSFET的方式直接對其進行測試，由于耗盡型MOSFET在柵極零偏壓時為導通狀態(tài)，因此會認為器件屬于失效產品。

常用的區(qū)分方法是：

查閱產品規(guī)格書，通過規(guī)格書中的介紹和參數(shù)定義進行判斷。

可直接在G極浮空的情況下，使用萬用表對MOSFET的D-S導通狀態(tài)進行測量，若測得MOSFET的D-S為導通狀態(tài)，且所測阻值約為產品規(guī)格書中定義的導通電阻值，則表明該MOSFET為耗盡型MOSFET；若測得MOSFET的D-S為開路狀態(tài)，則表明該MOSFET為增強型MOSFET。

耗盡型MOSFET與JFET的管腳區(qū)分

JFET的D、S管腳通常是對稱的，即D、S管腳在使用時可以互換；而ARK（方舟微）的耗盡型MOSFET的D、S管腳不具有對稱性，在使用時D、S管腳不能互換。

對于N溝道-耗盡型MOSFET，當電流方向為D→S時，電流僅能從溝道流過；當電流方向為S→D時，電流較小時從溝道流過（體二極管未導通），電流較大時，會同時從溝道和體二極管流過；N溝道-耗盡型MOSFET關斷后只能阻斷D→S方向的電壓。

耗盡型MOSFET與JFET的柵極-源極結構近似嗎？

JFET的G-S、G-D之間的結構為PN結，而耗盡型MOSFET屬于絕緣柵結構，MOSFET的柵極與半導體材料之間隔著柵氧化層，因此通常認為MOSFET的輸入阻抗遠大于JFET。另外因為這種結構上的差異，使得JFET在一定條件下，其G-S可以作為二極管使用，而耗盡型MOSFET的G-S則無法作為二極管使用。

實際上MOSFET的輸入阻抗還和芯片本身的結構及芯片大小相關，ARK（方舟微）研發(fā)的MOSFET大多具有ESD保護設計，在MOSFET的G-S間并聯(lián)有ESD保護二極管，因此我們會在其產品規(guī)格書中看到部分MOSFET的IGSS漏電流可能會達到微安級。