當(dāng)購(gòu)買(mǎi)無(wú)源晶振時(shí),我們常常會(huì)被問(wèn)到:“您需要多少 PF 的晶振?”這里的 PF 是無(wú)源晶振負(fù)載電容值的單位。電容的大小會(huì)對(duì)無(wú)源晶振的起振時(shí)間、頻率穩(wěn)定度等產(chǎn)生影響。
無(wú)源晶振和振蕩器不同,它需要與外部諧振電路相匹配才能輸出信號(hào),自身無(wú)法振蕩。在選擇晶體的負(fù)載電容時(shí),我們需要權(quán)衡能量損耗和頻率的穩(wěn)定性。同一封裝尺寸的晶體,負(fù)載越小,能耗就越低。
因此,在選購(gòu)無(wú)源晶振時(shí),需要根據(jù)實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景來(lái)選擇合適的負(fù)載電容值,以確保晶振的正常工作并達(dá)到最佳的性能表現(xiàn)。
無(wú)源晶振常用的負(fù)載電容:
- kHz晶體:6,7,9,12.5pF
- MHz晶體:8,9,12,15,18,20pF
根據(jù)負(fù)載電容選擇匹配電容C1和C2, 通常C1=C2:
- 當(dāng)負(fù)載電容CL=12.5pF,建議外接電容C1=C2=15~18pF
- 當(dāng)負(fù)載電容CL=9pF,建議外接電容C1=C2=12pF
雜散電容Cstray的值一般為4~6pF。雜散電容可能對(duì)無(wú)源晶振的輸出頻率精度及穩(wěn)定性造成不確定性影響。一般情況下,雜散電容會(huì)因電路板的復(fù)雜程度及/或布線(xiàn)設(shè)計(jì)的不合理性而增加。
如果負(fù)載電容CL很大,靜態(tài)電容C0的改變對(duì)頻率變化的影響很小,頻率更加穩(wěn)定。所以負(fù)載高,遠(yuǎn)端相位噪聲好;若數(shù)過(guò)大,則很難調(diào)整到標(biāo)稱(chēng)頻率,晶振不容易起振。
相反,如果負(fù)載電容CL很小,靜電容C0的微小變化會(huì)造成頻率的明顯變化。近端相位噪聲好,容易調(diào)整頻率,晶振容易起振。
-
振蕩器
+關(guān)注
關(guān)注
28文章
4009瀏覽量
140851 -
無(wú)源晶振
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
856瀏覽量
16880 -
負(fù)載電容
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
145瀏覽量
10818 -
雜散電容
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
17瀏覽量
1495
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
晶振旁邊有兩個(gè)電容,分別起到什么作用
如何匹配晶振的負(fù)載電容

評(píng)論