華虹宏力“半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法”專利獲授權(quán)
上海華宏利半導(dǎo)體制造有限公司就“半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法”申請(qǐng)專利，申請(qǐng)公告日為11月17日，申請(qǐng)公告號(hào)為cn113921595b。
專利摘要據(jù)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成的方法中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括如下：第一夾雜著離子的電路板；位于基板內(nèi)的深谷結(jié)構(gòu)、機(jī)關(guān)和深深的凹槽結(jié)構(gòu)位于上方的雜質(zhì)區(qū)域切斷，位于阻擋摻雜區(qū)上的第一外延層，第一外延層內(nèi)的體區(qū)，至少一部分是所述深谷位于結(jié)構(gòu)的上部。位于本體內(nèi)的發(fā)源區(qū)，本體區(qū)露出發(fā)源區(qū)的部分表面。柵極位于第一外延層，與深谷結(jié)構(gòu)相鄰的基板上，柵極接觸本體區(qū)和發(fā)源區(qū)暴露的表面。位于襯底底部的集電區(qū)，第2面露在集電區(qū)表面，集電區(qū)與深槽結(jié)構(gòu)底部之間有集電區(qū)的間隔。通過這種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，絕緣柵晶體管的性能得到了提高。
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